公开(公告)号：CN110050194A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780076151.7

申请日：2017-10-04

Applicant: 日本电产理德股份有限公司

Inventor： 山本正美 ,  太田宪宏 ,  坂井滋树

IPC: G01R1/067 ,  G01R1/073

Abstract: 本发明提供一种接触式探针，其降低了在高温环境下进行探测后的收缩量而改善了耐久性。接触式探针1包括具有线圈状弹簧结构11a的Ni管11。Ni管11含有0.5重量％～10重量％的P。

公开(公告)号：CN108931673A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810509356.6

申请日：2018-05-24

Applicant: 日本电产理德股份有限公司

Inventor： 山本正美 ,  太田宪宏 ,  坂井滋树

IPC: G01R1/067

CPC classification number: G01R1/06761 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/42 ,  C25D1/04 ,  C25D1/20 ,  C25D3/12 ,  C25D3/562 ,  C25D5/12 ,  C25D5/14 ,  C25D5/48 ,  G01R1/06722 ,  G01R35/00

Abstract: 本发明提供一种当在高温环境下收缩、解放弹簧部时，也提升弹簧部的耐热性的接触探针。本发明的接触探针具有Ni-P层，且P的浓度根据Ni-P层的厚度方向的位置而不同。优选在Ni-P层的厚度方向上，从Ni-P层的内侧起依次具有第1部分及第2部分，且第2部分的P的浓度比第1部分低。

公开(公告)号：CN110050194B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201780076151.7

申请日：2017-10-04

Applicant: 日本电产理德股份有限公司

Inventor： 山本正美 ,  太田宪宏 ,  坂井滋树

IPC: G01R1/067 ,  G01R1/073

Abstract: 本发明提供一种接触式探针，其降低了在高温环境下进行探测后的收缩量而改善了耐久性。本发明也提供一种电连接夹具及Ni管。接触式探针1包括具有线圈状弹簧结构11a的Ni管11。Ni管11含有0.5重量％～10重量％的P。

公开(公告)号：CN115236369A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210859753.2

申请日：2018-05-24

Applicant: 日本电产理德股份有限公司

Inventor： 山本正美 ,  太田宪宏 ,  坂井滋树

IPC: G01R1/067

Abstract: 本发明提供一种当在高温环境下收缩、解放弹簧部时，也提升弹簧部的耐热性的接触探针。本发明的接触探针具有Ni‑P层，且P的浓度根据Ni‑P层的厚度方向的位置而不同。优选在Ni‑P层的厚度方向上，从Ni‑P层的内侧起依次具有第1部分及第2部分，且第2部分的P的浓度比第1部分低。

公开(公告)号：CN111448678A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079165.9

申请日：2018-11-26

Applicant: 日本电产理德股份有限公司

Inventor： 山本正美 ,  北野一彦 ,  太田宪宏 ,  坂井滋树 ,  沼田清

IPC: H01L43/00 ,  G01R33/02 ,  H01F41/04 ,  H01L43/12

Abstract: MI元件1的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线2的外周形成绝缘体层3；无电解镀敷步骤，在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4；电解镀敷步骤，在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5；抗蚀剂步骤，在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R；曝光步骤，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，而在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR；以及蚀刻步骤，将抗蚀剂层R作为遮盖材而进行蚀刻，去除沟道部GR中的无电解镀敷层4及电解镀敷层5，从而由残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成线圈6。