复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法

    公开(公告)号:CN110294630B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910201625.7

    申请日:2019-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法。上述复合烧结体具备AlN和MgAl2O4。该复合烧结体的开口气孔率小于0.1%。该复合烧结体的相对密度为99.5%以上。该复合烧结体中的AlN和MgAl2O4的合计含有率为95重量%~100重量%。该复合烧结体中的MgAl2O4的含有率为15重量%~70重量%。由此,能够提供一种具有高等离子体耐腐蚀性、高体积电阻率和高导热系数的高密度的复合烧结体。

    复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法

    公开(公告)号:CN110294630A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910201625.7

    申请日:2019-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法。上述复合烧结体具备AlN和MgAl2O4。该复合烧结体的开口气孔率小于0.1%。该复合烧结体的相对密度为99.5%以上。该复合烧结体中的AlN和MgAl2O4的合计含有率为95重量%~100重量%。该复合烧结体中的MgAl2O4的含有率为15重量%~70重量%。由此,能够提供一种具有高等离子体耐腐蚀性、高体积电阻率和高导热系数的高密度的复合烧结体。

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