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公开(公告)号：CN113439208A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201980090924.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：测定电极44，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及基准电极42，其在作为特定气体浓度的检测基准的基准气体中露出。传感器元件具备导入口保护层(第五保护层84e)，其将元件主体102的表面中的作为被测定气体流通部9的入口的气体导入口10、以及开设有该气体导入口10的第五面102e的至少一部分覆盖。并且，第五保护层84e所具有的第五内部空间90e的第五内周面94e(第五外侧内周面95e)的算术平均粗糙度Rap满足：8μm以上或大于保护层84中的与元件主体102之间的接合面97的算术平均粗糙度Rac中的至少一个条件。
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公开(公告)号：CN111751424A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010173600.3
申请日：2020-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/41
Abstract: 本发明提供耐浸水性比以往更优异的气体传感器元件。气体传感器元件具备：元件基体，其是具备测定对象气体成分的检测部的陶瓷结构体；以及末端保护层，其是在相对于元件基体的检测部侧的端部的规定范围设置于元件基体的外周部的多孔质层，末端保护层包括：第一末端保护层，其至少设置于元件基体的2个主面上；第二末端保护层，其设置成将端部和包括形成有第一末端保护层的2个主面在内的元件基体的4个侧面覆盖；以及第三末端保护层，其设置成将第二末端保护层覆盖，第二末端保护层具有30％～80％的气孔率且形成为第一末端保护层的厚度的30倍～50倍的厚度，第三末端保护层具有15％～30％的气孔率且形成为第一末端保护层的厚度的5倍～10倍的厚度。
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公开(公告)号：CN105916682B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201580004696.8
申请日：2015-02-03
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B32B18/00 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G13/00
CPC classification number: H01G13/00 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3263 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 层叠体10包括具有第一介电常数的第一材料层20和具有低于第一介电常数的第二介电常数的第二材料层30。第一材料层20包括第一粒子部22，所述第一粒子部22是BaTiO3中的一部分含有Ba、Ti以外的金属元素的化合物和BaTiO3中的至少一者，第一晶界部24，所述第一晶界部24含有ZnO且存在于第一粒子部22的粒子间，及Ag粒子部26。第二材料层30包括第二粒子部32和存在于第二粒子部32的粒子间的第二晶界部34。
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公开(公告)号：CN104064534A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410108729.0
申请日：2014-03-21
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种陶瓷部件以及半导体制造装置用部件，其在包含氧化镁的陶瓷部件以及半导体制造装置用部件中，具有性能得到改进的电极。半导体制造装置用部件20具有基材部22以及形成于基材部22上的陶瓷部件30。本发明的陶瓷部件30具有陶瓷基体32和设置在陶瓷基体32的一部分上的电极34，其中陶瓷基体32包含氧化镁、规定成分固溶于氧化镁中的氧化镁固溶体以及氧化锆中的至少一种，电极34包含作为电极成分的钌铝合金。陶瓷部件30是平板状部件，其具有电极34被埋设在其内部的结构。该电极34与从陶瓷部件30的下侧插入的供电部件26连接，由该供电部件26供给电力。
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公开(公告)号：CN113439209B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980090927.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：长条的长方体形状的元件主体102，在其内部设置有被测定气体流通部9；测定电极，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及多孔质的保护层84，其将元件主体102的第一～第五面102a～102e覆盖。将在元件主体102的一部分且是从被测定气体流通部9至第一～第五面102a～102e的各面的部分存在的外壁105中最薄的第五外壁105e设为最薄外壁，将与最薄外壁对应的第五面102e设为最接近面，保护层84中的将最接近面覆盖的第五保护层84e在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁整体重叠。第五保护层84e具有：在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁的80％以上重叠的第五内部空间90e。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113439209A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201980090927.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：长条的长方体形状的元件主体102，在其内部设置有被测定气体流通部9；测定电极，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及多孔质的保护层84，其将元件主体102的第一～第五面102a～102e覆盖。将在元件主体102的一部分且是从被测定气体流通部9至第一～第五面102a～102e的各面的部分存在的外壁105中最薄的第五外壁105e设为最薄外壁，将与最薄外壁对应的第五面102e设为最接近面，保护层84中的将最接近面覆盖的第五保护层84e在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁整体重叠。第五保护层84e具有：在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁的80％以上重叠的第五内部空间90e。
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公开(公告)号：CN105916682A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004696.8
申请日：2015-02-03
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B32B18/00 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G13/00
CPC classification number: H01G13/00 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3263 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 层叠体10包括具有第一介电常数的第一材料层20和具有低于第一介电常数的第二介电常数的第二材料层30。第一材料层20包括第一粒子部22，所述第一粒子部22是BaTiO3中的一部分含有Ba、Ti以外的金属元素的化合物和BaTiO3中的至少一者，第一晶界部24，所述第一晶界部24含有ZnO且存在于第一粒子部22的粒子间，及Ag粒子部26。第二材料层30包括第二粒子部32和存在于第二粒子部32的粒子间的第二晶界部34。
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公开(公告)号：CN103857643A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280049986.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/04 , C04B35/58 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C04B35/053 , C04B35/58 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的陶瓷构件（30）包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体（32）和配置在部分陶瓷基体（32）上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极（34）。该陶瓷基体（32）也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。
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公开(公告)号：CN113439208B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980090924.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：测定电极44，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及基准电极42，其在作为特定气体浓度的检测基准的基准气体中露出。传感器元件具备导入口保护层(第五保护层84e)，其将元件主体102的表面中的作为被测定气体流通部9的入口的气体导入口10、以及开设有该气体导入口10的第五面102e的至少一部分覆盖。并且，第五保护层84e所具有的第五内部空间90e的第五内周面94e(第五外侧内周面95e)的算术平均粗糙度Rap满足：8μm以上或大于保护层84中的与元件主体102之间的接合面97的算术平均粗糙度Rac中的至少一个条件。
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公开(公告)号：CN111751424B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202010173600.3
申请日：2020-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/41
Abstract: 本发明提供耐浸水性比以往更优异的气体传感器元件。气体传感器元件具备：元件基体，其是具备测定对象气体成分的检测部的陶瓷结构体；以及末端保护层，其是在相对于元件基体的检测部侧的端部的规定范围设置于元件基体的外周部的多孔质层，末端保护层包括：第一末端保护层，其至少设置于元件基体的2个主面上；第二末端保护层，其设置成将端部和包括形成有第一末端保护层的2个主面在内的元件基体的4个侧面覆盖；以及第三末端保护层，其设置成将第二末端保护层覆盖，第二末端保护层具有30％～80％的气孔率且形成为第一末端保护层的厚度的30倍～50倍的厚度，第三末端保护层具有15％～30％的气孔率且形成为第一末端保护层的厚度的5倍～10倍的厚度。
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