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公开(公告)号：CN111279538B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880059332.3
申请日：2018-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M4/131 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 提供一种全固体锂电池，其能够显著改善电池电阻和充放电时的倍率性能，并且也能够大幅改善电池制造的成品率。一种全固体锂电池，其中，该全固体锂电池具备：低角度取向正极板，其是空隙率为的锂复合氧化物烧结体板；负极板，其包含Ti、且能够以0.4V(相对于Li/Li+)以上进行锂离子的插入脱离；和固体电解质，其具有比取向正极板或负极板的熔点或分解温度低的熔点，在与取向正极板的板面垂直的方向的截面进行评价的情况下，取向正极板中包含的空隙的30％以上填充有固体电解质。
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公开(公告)号：CN113597698A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201980093401.7
申请日：2019-10-24
Applicant: 国立大学法人名古屋工业大学 , 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01B1/06 , H01G11/56
Abstract: 本发明提供一种3LiOH·Li2SO4基固体电解质，其即便在高温下长时间保持后也能够明显地抑制锂离子传导率降低。该固体电解质利用X射线衍射被鉴定为3LiOH·Li2SO4，且还包含硼。
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公开(公告)号：CN105764871A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201580002729.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B37/00
CPC classification number: C04B35/195 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B37/00 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/3481 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9646 , C04B2237/30 , C04B2237/52 , C04B2237/55 , C30B33/06
Abstract: 本发明的堇青石烧结体，在X射线衍射图中，除了堇青石成分以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于堇青石的(110)面的峰顶强度的比为0.0025以下。该堇青石烧结体中，除了堇青石成分以外的异相极其少，因而在将表面研磨成镜面状时的表面平整度高。
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公开(公告)号：CN113597698B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201980093401.7
申请日：2019-10-24
Applicant: 国立大学法人名古屋工业大学 , 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01B1/06 , H01G11/56
Abstract: 本发明提供一种3LiOH·Li2SO4基固体电解质，其即便在高温下长时间保持后也能够明显地抑制锂离子传导率降低。该固体电解质利用X射线衍射被鉴定为3LiOH·Li2SO4，且还包含硼。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111656460A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980005795.6
申请日：2019-02-07
Applicant: 国立大学法人名古屋工业大学 , 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高锂离子二次电池的性能的固体电解质。该固体电解质包含由3LiOH·Li2SO4表示的固体电解质。固体电解质在25℃下具有0.1×10－6S/cm以上的锂离子传导率，且具有0.6eV以上的活化能。
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公开(公告)号：CN103180266B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180051162.2
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 静电卡盘(1A)包括具有吸附半导体的吸附面(11a)的基座(11A)与埋设到该基座内的静电卡盘电极(4)。基座(11A)包括板状主体部(3)与表面耐腐蚀层(2)，介电层构成所述表面耐腐蚀层(2)，介电层的上表面构成所述吸附面(11a)。表面耐腐蚀层(2)由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°。
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公开(公告)号：CN103180267B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180051175.X
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种加热装置（11A），其包括具有加热半导体的加热面（12a）的基座（12A）。基座（12A）包括板状主体部（13）和表面耐腐蚀层（14），所述基座（12A）的上表面构成所述加热面。表面耐腐蚀层（14）由以镁、铝、氧以及氮为主成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
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公开(公告)号：CN103857643A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280049986.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/04 , C04B35/58 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C04B35/053 , C04B35/58 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的陶瓷构件（30）包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体（32）和配置在部分陶瓷基体（32）上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极（34）。该陶瓷基体（32）也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。
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公开(公告)号：CN103180266A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051162.2
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 静电卡盘（1A）包括具有吸附半导体的吸附面（11a）的基座（11A）与埋设到该基座内的静电卡盘电极（4）。基座（11A）包括板状主体部（3）与面对吸附面（11a）的表面耐腐蚀层（2）。表面耐腐蚀层（2）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
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