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公开(公告)号:CN115124333B
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202210174755.8
申请日:2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28 , B01D53/94 , B01D53/72 , B01D53/62 , B01D53/56
Abstract: 本发明涉及复合烧结体、蜂窝结构体、电加热催化器及复合烧结体的制造方法,其课题在于,提供低电阻且具有高耐氧化性的复合烧结体。复合烧结体包含:作为主相的硅相、堇青石相、以及含有Si的非晶质相。另外,于室温的体积电阻率为0.1Ω·cm以上且2.5Ω·cm以下。据此,即便复合烧结体暴露于高温氧化气氛的情况下,硅粒子的氧化也得以抑制,复合烧结体的体积电阻率的变化得到抑制。因此,能够提供低电阻且具有高耐氧化性的(即,在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)复合烧结体。
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公开(公告)号:CN111744288B
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202010199337.5
申请日:2020-03-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B01D46/24 , C04B35/195 , C04B35/622 , C04B38/06
Abstract: 本发明提供蜂窝结构体及蜂窝结构体的制造方法,在蜂窝结构体中,通过多个隔壁(23)而形成从轴向观察时呈二维地排列的多个隔室。多个隔壁(23)由以堇青石为主成分的多孔质材料形成。在隔壁(23)中,作为从两表面分别起算至深度达到隔壁厚度的25%为止的部位的表层部(32)的气孔率及作为其他部位的内部(33)的气孔率为50%以上。表层部(32)包括轴向气孔宽度小于30μm的气孔和轴向气孔宽度为30μm以上的气孔,内部(33)也包括轴向气孔宽度小于30μm的气孔和轴向气孔宽度为30μm以上的气孔。表层部(32)的轴向平均气孔宽度小于内部(33)的轴向平均气孔宽度。
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公开(公告)号:CN114427490A
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202111127374.6
申请日:2021-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供接合体及接合体的制造方法,在接合对象物与电极部的接合中实现了高耐氧化性。接合体具备接合对象物、基底层(41)、电极部(3)以及固定层(42)。导电性的基底层(41)固定于接合对象物的表面。电极部(3)固定于基底层(41)上。导电性的固定层(42)以中间隔着电极部(3)的方式固定于基底层(41)上。基底层(41)及固定层(42)各自的气孔率为10%以下。由此,能够在接合对象物与电极部(3)的接合中实现高耐氧化性。
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公开(公告)号:CN111744288A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010199337.5
申请日:2020-03-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B01D46/24 , C04B35/195 , C04B35/622 , C04B38/06
Abstract: 本发明提供蜂窝结构体及蜂窝结构体的制造方法,在蜂窝结构体中,通过多个隔壁(23)而形成从轴向观察时呈二维地排列的多个隔室。多个隔壁(23)由以堇青石为主成分的多孔质材料形成。在隔壁(23)中,作为从两表面分别起算至深度达到隔壁厚度的25%为止的部位的表层部(32)的气孔率及作为其他部位的内部(33)的气孔率为50%以上。表层部(32)包括轴向气孔宽度小于30μm的气孔和轴向气孔宽度为30μm以上的气孔,内部(33)也包括轴向气孔宽度小于30μm的气孔和轴向气孔宽度为30μm以上的气孔。表层部(32)的轴向平均气孔宽度小于内部(33)的轴向平均气孔宽度。
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公开(公告)号:CN115124347B
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202210174357.6
申请日:2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28
Abstract: 本发明涉及碳化硅质多孔体、蜂窝结构体、电加热催化器及碳化硅质多孔体的制造方法,其课题在于,提供具有高耐氧化性的碳化硅质多孔体。碳化硅质多孔体包含:β-SiC粒子、Si粒子、以及金属硅化物粒子。β-SiC粒子的最大粒径为15μm以上。Si粒子的含有率为10质量%以上。Si粒子的最大粒径为40μm以下。另外,在Si粒子的表面设置有厚度0.01μm以上且5μm以下的氧化物被膜。据此,能够提供具有高耐氧化性的(即,在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)碳化硅质多孔体。
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公开(公告)号:CN115124333A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202210174755.8
申请日:2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28 , B01D53/94 , B01D53/72 , B01D53/62 , B01D53/56
Abstract: 本发明涉及复合烧结体、蜂窝结构体、电加热催化器及复合烧结体的制造方法,其课题在于,提供低电阻且具有高耐氧化性的复合烧结体。复合烧结体包含:作为主相的硅相、堇青石相、以及含有Si的非晶质相。另外,于室温的体积电阻率为0.1Ω·cm以上且2.5Ω·cm以下。据此,即便复合烧结体暴露于高温氧化气氛的情况下,硅粒子的氧化也得以抑制,复合烧结体的体积电阻率的变化得到抑制。因此,能够提供低电阻且具有高耐氧化性的(即,在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)复合烧结体。
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公开(公告)号:CN115124347A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202210174357.6
申请日:2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28
Abstract: 本发明涉及碳化硅质多孔体、蜂窝结构体、电加热催化器及碳化硅质多孔体的制造方法,其课题在于,提供具有高耐氧化性的碳化硅质多孔体。碳化硅质多孔体包含:β-SiC粒子、Si粒子、以及金属硅化物粒子。β-SiC粒子的最大粒径为15μm以上。Si粒子的含有率为10质量%以上。Si粒子的最大粒径为40μm以下。另外,在Si粒子的表面设置有厚度0.01μm以上且5μm以下的氧化物被膜。据此,能够提供具有高耐氧化性的(即,在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)碳化硅质多孔体。
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