公开(公告)号：CN114180942B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202111074760.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫西启太 ,  阿闭恭平 ,  永井明日美 ,  山口浩文 ,  青柳宗一郎

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。

公开(公告)号：CN112047738A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010472737.9

申请日：2020-05-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 木俣贵文 ,  青柳宗一郎 ,  山本规介

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00 ,  H05B3/14 ,  B01J27/224 ,  B01J32/00 ,  B01J35/04 ,  F01N3/28 ,  B01D46/24

Abstract: 本发明提供SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法，所述SiC粉末的电阻率不易经时上升。SiC粉末含有70质量％以上的β－SiC，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm，D10为5μm以上。

公开(公告)号：CN112047738B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202010472737.9

申请日：2020-05-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 木俣贵文 ,  青柳宗一郎 ,  山本规介

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00 ,  H05B3/14 ,  B01J27/224 ,  B01J32/00 ,  B01J35/04 ,  F01N3/28 ,  B01D46/24

Abstract: 本发明提供SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法，所述SiC粉末的电阻率不易经时上升。SiC粉末含有70质量％以上的β－SiC，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm，D10为5μm以上。

公开(公告)号：CN114180942A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111074760.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫西启太 ,  阿闭恭平 ,  永井明日美 ,  山口浩文 ,  青柳宗一郎

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。