公开(公告)号：CN114631062A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080058274.X

申请日：2020-06-25

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 丹尼尔·彼得 ,  李达 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  吴呈昊 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  凯文·利·顾 ,  利昂·塔莱 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  游正义 ,  薛萌

IPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01J37/32

摘要： 含金属光致抗蚀剂膜可使用干式沉积技术沉积在半导体衬底上。在沉积、斜面和背侧清洁、烘烤、显影或蚀刻操作期间，非预期的含金属光致抗蚀剂材料可能形成在处理室的内表面上。原位干式室清洁可通过暴露于蚀刻气体来执行，以去除非预期的含金属光致抗蚀剂材料。干式室清洁可以在升高的温度且未激励等离子体下执行。在一些实施方案中，干式室清洁可包括抽排/清扫及调节操作。

公开(公告)号：CN115885376A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180051077.X

申请日：2021-06-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 丹尼尔·彼得 ,  游正义 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  薛萌 ,  李达 ,  基思·爱德华·道森 ,  克林特·爱德华·托马斯 ,  约翰·丹尼·贝特里娜·帕乔

IPC分类号： H01L21/687

摘要： 执行干式背侧和斜面边缘清洁而不暴露于等离子体，以从衬底移除不想要的光致抗蚀剂材料。衬底被支撑在衬底支撑件上并通过最小接触区域(MCA)支撑件抬高，使得蚀刻气体可以接触到衬底背侧。气体分配器是将帘式气体输送至衬底的正面，以保护正面上的光致抗蚀剂材料。蚀刻气体输送源是将第一蚀刻气流输送至该背侧，一或多个周围气体入口则将第二蚀刻气流输送至正面的周围以及斜面边缘附近。辐射热源位于衬底下方以加热衬底。