公开(公告)号：CN118519315A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410079218.4

申请日：2018-05-15

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 内德·莎玛 ,  理查德·怀斯 ,  游正义 ,  萨曼莎·坦

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

摘要： 本文描述了用于在光刻图案化的衬底上执行与深宽比有关的沉积和与深宽比无关的蚀刻的循环的方法和装置。方法适合于减少通过光刻形成和部分形成的特征之间的特征深度和/或深宽比的变化，一些部分形成的特征由于随机效应而部分形成。方法和装置适合于在极紫外光刻之后处理具有光致抗蚀剂的衬底。一些方法涉及通过等离子体增强化学气相沉积进行的沉积以及通过原子层蚀刻进行的定向蚀刻的循环。

公开(公告)号：CN110892509B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201880046648.9

申请日：2018-05-15

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 内德·莎玛 ,  理查德·怀斯 ,  游正义 ,  萨曼莎·坦

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02

摘要： 本文描述了用于在光刻图案化的衬底上执行与深宽比有关的沉积和与深宽比无关的蚀刻的循环的方法和装置。方法适合于减少通过光刻形成和部分形成的特征之间的特征深度和/或深宽比的变化，一些部分形成的特征由于随机效应而部分形成。方法和装置适合于在极紫外光刻之后处理具有光致抗蚀剂的衬底。一些方法涉及通过等离子体增强化学气相沉积进行的沉积以及通过原子层蚀刻进行的定向蚀刻的循环。

公开(公告)号：CN117120938A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280026951.9

申请日：2022-03-31

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 丹尼尔·彼得 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  游正义 ,  李达 ,  薛猛 ,  崔旭 ,  金智妍 ,  艾伦·J·詹生 ,  沙赫德·哈桑·拉比卜 ,  李英熙 ,  赵鸿翔

IPC分类号： G03F7/40

摘要： 本文中提供用于控制半导体衬底上的含金属污染物的各种技术。此技术可涉及显影后烘烤处理、化学处理、等离子体处理、光处理及背侧与斜面边缘清洁的其中一者或更多。所述技术可依特定应用的需求而结合。在许多情况下，所述技术是用于解决在光致抗蚀剂显影操作期间产生的含金属污染物。

公开(公告)号：CN114270479B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202080056237.5

申请日：2020-06-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 徐相俊 ,  游正义 ,  梁振伟 ,  艾伦·J·詹生 ,  萨曼塔·S·H·坦

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 在半导体设备制造中使用氧化锡膜作为间隔物及硬掩模。在一种方法中，需要在暴露的含硅层，例如SiOC、SiON、SiONC、非晶硅、SiC、或SiN存在时选择性地蚀刻锡氧化物层(如间隔物基脚)。为了减少对含硅层的损伤，工艺涉及使含硅层相对于锡氧化物蚀刻化学物质钝化、蚀刻氧化锡、以及以交替方式重复钝化与蚀刻。例如，钝化与蚀刻可各自进行介于2‑50次之间的次数。在一实现方案中，通过利用在等离子体中受到活化的含氧反应物处理衬底而进行钝化，并且氧化锡蚀刻是由基于氯的化学物质(如使用Cl2与BCl3的混合物)执行的。

公开(公告)号：CN111902912A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980022122.1

申请日：2019-03-18

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 游正义 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  阿图尔·科利奇 ,  潘阳

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44

摘要： 一种在衬底上沉积金属互连层的方法包括：将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；以及在所述衬底上沉积被配置成用作黏附层、扩散阻挡层和籽晶层中的至少一者的中间层。沉积所述中间层包括供应金属‑有机前体，所述金属‑有机前体包括具有金属‑硅化物(M‑Si)键的第一材料。所述方法还包括：在所述中间层上沉积所述金属互连层。

公开(公告)号：CN107644835A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710604639.4

申请日：2017-07-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 萨曼莎·坦 ,  特塞翁格·金姆 ,  游正义 ,  普拉文·纳拉 ,  诺维·特约克洛 ,  阿尔图尔·科利奇 ,  克伦·雅各布斯·卡纳里克

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

摘要： 本发明涉及用于增强自底向上特征填充的原子层蚀刻。原子层蚀刻(ALE)使得能够通过自底向上填充，例如钴的无电沉积(ELD)来有效地填充半导体和其他衬底上的小特征结构，例如触点和通孔。

公开(公告)号：CN118335604A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410274445.2

申请日：2018-02-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 游正义 ,  萨曼莎·坦 ,  姜瑜 ,  吴晖荣 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  内德·莎玛 ,  鲍里斯·沃洛斯基

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。

公开(公告)号：CN116626993A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310318757.4

申请日：2021-07-02

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 游正义 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  穆罕默德·哈隆·阿尔维 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  理查德·A·戈奇奥 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  林庆煌 ,  杰罗姆·胡巴塞克

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/38 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/20

摘要： 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。

公开(公告)号：CN113574456B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180002531.2

申请日：2021-01-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李达 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  游正义

IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/027

摘要： 本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。

公开(公告)号：CN115398336A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180025525.9

申请日：2021-03-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  游正义 ,  李英熙 ,  艾伦·J·詹生 ,  李达

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/67

摘要： 本公开涉及具有敏化抗蚀剂膜的堆叠件，以及用于施加这种敏化膜的方法和装置。在特定实施方案中，敏化剂可以气体形式提供，并且可以在沉积步骤之后回收未反应的敏化剂前体。