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公开(公告)号：CN101536223A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041942.2
申请日：2007-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/052 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明的目的是提高非水电解质二次电池用集电体的机械强度和耐久性，使活性物质层高效地且以高的粘附力担载于集电体表面。为了实现该目的，使用如下的一对加工机构：该一对加工机构被设置成表面相互压接而形成可使片材状物通过的压接钳部，并且在至少一个加工机构的表面形成有多个凹部；使集电体用金属箔通过加工机构的压接钳部以进行压缩加工，从而通过伴随压缩加工而发生的局部塑性变形在集电体用金属箔的至少一个表面形成多个凸部。
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公开(公告)号：CN101308927B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200810135692.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/70 , H01M4/02 , H01M4/134 , H01M4/661 , H01M4/78 , H01M10/052 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供一种包括基材部、多个凸部、以及缺损部位的集电体。其中，基材部为金属片材，凸部形成于基材部的表面上。缺损部位为2个以上、优选为2～10个微小凸部的集合体。微小凸部形成于基材部表面，是高度低于凸部平均高度的35％的突起。当在该集电体的形成有凸部的表面形成电极活性物质层而制作电极时，可以明显地抑制该电极活性物质层的剥离以及剥离传播。如果使用该电极，则可以获得一种非水电解质二次电池，其电池容量和能量密度较高，充放电循环特性优良，且可以长期稳定地维持高输出功率。
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公开(公告)号：CN101449408B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780018249.3
申请日：2007-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/661 , H01M4/70
Abstract: 本发明的锂二次电池用负极具备集电体和担载在其上的负极活性物质层。负极活性物质层含有多个柱状粒子。集电体的表面包含凹部和被所述凹部区划的多个突出区域。所述突出区域上担载有柱状粒子。此外，本发明涉及采用所述负极的锂二次电池。根据本发明，能够提供一种主要是循环特性优良的高容量的锂二次电池用负极及采用该负极的锂二次电池。
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公开(公告)号：CN101652886A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011146.9
申请日：2008-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/78 , H01M4/661 , H01M4/664 , H01M4/667 , H01M10/052 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明涉及电池用集电体，其由金属箔形成，至少担载有正极用的活性物质或负极用的活性物质。在金属箔的至少一个面上形成被压缩的基底平面，并且按规定的间隔配置有伴随着该基底平面的形成而形成的非压缩的突起。基底平面的表面粗糙度与突起的表面粗糙度不同，优选基底平面的表面粗糙度以算术平均粗糙度计为0.8μm以下。
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公开(公告)号：CN102473984A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002504.1
申请日：2011-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M10/52 , H01M4/13 , H01M10/0566 , H01M10/0585 , H01M10/0587
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/131 , H01M10/0566 , H01M10/0587 , H01M10/4235 , H01M10/526
Abstract: 本发明的目的在于提供在不使电池特性降低的情况下抑制了电池膨胀的非水电解质二次电池。本发明是将正极板(6)以及负极板(9)隔着隔膜(10a)、(10b)卷绕或者层叠而成的电极组(11)与非水电解液一起封入外包装材料(14)中而成的二次电池，其中，正极板(6)在正极集电体(4)上形成有正极合剂层(5)，负极板(9)在负极集电体(7)上形成有负极合剂层(8)，正极合剂层(5)以及负极合剂层(8)中的至少一个的表面上形成有包含由无机氧化物构成的结构材料(16)和粘合材料的气体吸附层(19)，在该气体吸附层(19)内形成的气孔(17)内附载有气体吸附剂(18)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101536223B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780041942.2
申请日：2007-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/052 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明的目的是提高非水电解质二次电池用集电体的机械强度和耐久性，使活性物质层高效地且以高的粘附力担载于集电体表面。为了实现该目的，使用如下的一对加工机构：该一对加工机构被设置成表面相互压接而形成可使片材状物通过的压接钳部，并且在至少一个加工机构的表面形成有多个凹部；使集电体用金属箔通过加工机构的压接钳部以进行压缩加工，从而通过伴随压缩加工而发生的局部塑性变形在集电体用金属箔的至少一个表面形成多个凸部。
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公开(公告)号：CN102263234A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110165469.7
申请日：2011-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M10/42 , H01M4/1395 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/0402 , H01M4/0421 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/661 , H01M6/40 , Y10T29/49108 , Y10T29/49112
Abstract: 锂离子二次电池用负极具备集电体和被支撑在所述集电体的表面上的负极活性物质层，所述负极活性物质层包含含有合金系活性物质的多个粒状体，所述粒状体被支撑在所述集电体的除从所述集电体的周缘开始宽度为20μm～500μm的周缘区域之外的区域上。
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公开(公告)号：CN101678504A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020922.1
申请日：2008-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/073 , B23K26/08 , B23K103/04
CPC classification number: B23K26/0823 , B23K26/066 , B23K26/389 , B23K2103/04 , H01M4/134 , H01M4/661 , H01M4/70
Abstract: 本发明提供一种辊加工方法以及辊加工装置，利用加工头(4)使由激光振荡器(3)输出的激光(21)聚光并使其照射到辊(2)的表面上。编码器(5c)输出与辊(2)的旋转位置对应的信号。控制部(24)根据编码器(5c)的输出信号对激光振荡器(3)进行控制，以便重复进行多次每当辊(2)旋转一周就对辊(2)的表面的同一部位照射激光(21)的作业，从而形成凹部。
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公开(公告)号：CN101449408A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018249.3
申请日：2007-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/661 , H01M4/70
Abstract: 本发明的锂二次电池用负极具备集电体和担载在其上的负极活性物质层。负极活性物质层含有多个柱状粒子。集电体的表面包含凹部和被所述凹部区划的多个突出区域。所述突出区域上担载有柱状粒子。此外，本发明涉及采用所述负极的锂二次电池。根据本发明，能够提供一种主要是循环特性优良的高容量的锂二次电池用负极及采用该负极的锂二次电池。
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公开(公告)号：CN101652886B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880011146.9
申请日：2008-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/78 , H01M4/661 , H01M4/664 , H01M4/667 , H01M10/052 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明涉及电池用集电体，其由金属箔形成，至少担载有正极用的活性物质或负极用的活性物质。在金属箔的至少一个面上形成被压缩的基底平面，并且按规定的间隔配置有伴随着该基底平面的形成而形成的非压缩的突起。基底平面的表面粗糙度与突起的表面粗糙度不同，优选基底平面的表面粗糙度以算术平均粗糙度计为0.8μm以下。
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