公开(公告)号：CN117321169A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035675.2

申请日：2022-06-08

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 金熹硕 ,  李玖和 ,  柳在鸿 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC分类号： C09K3/14

摘要： 本发明涉及一种有机膜研磨组合物以及利用其的研磨方法，其特征在于：包含将亲水性基团和疏水性基团均包含在内的研磨促进剂，不仅是聚合物(Polymer)、SOC、SOH，还对于通过共价键强键合的有机膜，如，无定形碳膜(ACL)或类金刚石碳(Diamond‑Like Carbon，DLC)，也可以保持高研磨速度。

公开(公告)号：CN112399999A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201980044957.7

申请日：2019-07-17

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供一种化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法，即使减少金属总含量，也可实现等同或更高于传统研磨剂的研磨速度，或者当使用相同于传统的金属总含量时，可实现明显高于传统研磨剂的研磨速度。化学机械研磨组合物包含铁基金属催化剂和镁基金属催化剂，金属催化剂的总含量中铁基金属催化剂的金属含量等于或更多于镁基金属催化剂的金属含量。

公开(公告)号：CN101142293B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200680008151.5

申请日：2006-03-08

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  金东完

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C11D7/02 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/003

摘要： 本发明公开了用于制备化学机械抛光(CMP)研磨液组合物的氧化剂及其制备方法。制备用于(CMP)研磨液组合物的氧化剂的方法包括下列步骤：通过将铁盐和5℃或更低的冷水混合来制备铁盐水溶液；以及通过将硅盐与所述铁盐水溶液混合并搅拌以进行硅盐的反应制备纳米合成颗粒，其中所述纳米合成颗粒为含铁的胶态硅。

公开(公告)号：CN113302256B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201980087413.9

申请日：2019-12-27

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 文元均 ,  金宰贤 ,  申圭淳 ,  朴钟大 ,  李敏键 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  赵京淑 ,  柳在鸿

IPC分类号： C09K3/14 ,  C09G1/04

摘要： 本发明提供一种可以通过对研磨粒子的表面进行改性而具有高研磨速度、缺陷或划痕较少的优秀研磨品质的化学‑机械研磨粒子以及包含所述研磨粒子的研磨浆料组合物。

公开(公告)号：CN110536940B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201880026333.8

申请日：2018-02-22

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴昌墉 ,  朴民成 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

摘要： 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。

公开(公告)号：CN113302256A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201980087413.9

申请日：2019-12-27

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 文元均 ,  金宰贤 ,  申圭淳 ,  朴钟大 ,  李敏键 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  赵京淑 ,  柳在鸿

IPC分类号： C09K3/14 ,  C09G1/04

摘要： 本发明提供一种可以通过对研磨粒子的表面进行改性而具有高研磨速度、缺陷或划痕较少的优秀研磨品质的化学‑机械研磨粒子以及包含所述研磨粒子的研磨浆料组合物。

公开(公告)号：CN101037556A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710087501.8

申请日：2007-03-16

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  申宗哲 ,  李镐圭

IPC分类号： C09D5/24 ,  C09D141/00 ,  C09D175/04 ,  G02B1/10

CPC分类号： H01B1/124

摘要： 公开了导电涂层组合物和使用该导电涂层组合物形成涂层的方法。所述导电涂层组合物能够在显示装置的保护膜表面上形成抗静电涂层。该导电涂层组合物包含：1至30wt％的聚乙烯二氧噻吩水分散溶液；5至15wt％的水溶性粘合剂树脂；0.2至10wt％的三聚氰胺树脂；6至40wt％的醇溶剂；5至30wt％的有机溶剂，该有机溶剂选自二甲基亚砜、丙二醇甲醚、N－甲基吡咯烷酮、3－乙氧基丙酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、二甘醇一丁醚及其混合物；以及10至50wt％的水。形成所述导电涂层的方法包括在衬底上涂布所述导电涂层组合物并干燥该涂层组合物的步骤。

公开(公告)号：CN1872900B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200610083480.8

申请日：2006-05-30

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  孔铉九 ,  李凤祥 ,  孙祯炫

IPC分类号： C08J5/14

摘要： 公开了化学机械抛光(CMP)浆液组合物。该化学机械抛光浆液(CMP)组合物包括：二氧化铈研磨剂；重均分子量为50,000-500,000的聚羧酸或其盐；醇化合物和水。优选地，相对于总的浆液组合物，该二氧化铈研磨剂的量为0.1-20％重量比，该聚羧酸或其盐的量为0.01-20％重量比，该醇化合物的量为0.001-10％重量比，且该浆液组合物具有5-10的pH值。该CMP浆液组合物用于STI(浅槽隔离)方法的CMP过程以形成多层结构，增强抛光均匀性，并抑制晶片的凹陷和侵蚀。

公开(公告)号：CN101142293A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200680008151.5

申请日：2006-03-08

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  金东完

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C11D7/02 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/003

摘要： 本发明公开了用于制备化学机械抛光(CMP)研磨液组合物的氧化剂及其制备方法。制备用于(CMP)研磨液组合物的氧化剂的方法包括下列步骤：通过将铁盐和5℃或更低的冷水混合来制备铁盐水溶液；以及通过将硅盐与所述铁盐水溶液混合并搅拌以进行硅盐的反应制备纳米合成颗粒，其中所述纳米合成颗粒为含铁的胶态硅。

公开(公告)号：CN101059652A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710097819.4

申请日：2007-04-18

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 孙祯炫 ,  朴钟大 ,  安寅奭

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 本发明公开了光固化树脂组合物。该光固化树脂组合物包括：(A)100重量份的环氧树脂；(B)0.01至20重量份的光聚合引发剂；(C)0.01至10重量份的偶联剂；以及(D)0.01至120重量份的无机填料。该光固化树脂组合物还可包括(E)0.05至10重量份的光酸发生剂。该光固化树脂组合物具有改善的热传导性和隔湿功能，从而可用于生产显示装置，例如有机发光二级管(OLED)、液晶显示器(LCD)和可挠性显示器。