掺杂剂及导体材料
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115397803A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202180028713.7

    申请日:2021-04-15

    Abstract: 本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中,R1~R3相同或不同,表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是,R1~R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数,等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中,Ar1、Ar2、Ar3相同或不同,表示二价芳香族基团,Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同,表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同,表示0以上的整数。

    涂布型绝缘膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN106605293B

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN201580047073.9

    申请日:2015-08-25

    Abstract: 本发明提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数低、绝缘电阻值高、润湿性高、可通过涂布法来形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂,环状烯烃共聚物是环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂包含以下述式(1)表示且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。式(1)中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。

    有机半导体器件制造用油墨组合物

    公开(公告)号:CN112771684B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN201980061317.7

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将具有刚性的主链骨架的有机半导体材料以最适于单晶形成工艺的溶质浓度进行油墨化的有机半导体器件制造用油墨组合物。本发明的有机半导体器件制造用油墨组合物含有选自下述萘化合物(A)中的至少一种溶剂、和至少一种溶质。相对于萘化合物(A)(100%),萘化合物(A)的异构体的含量以通过气相色谱法得到的峰面积的比例计优选为2%以下。萘化合物(A):下述式(a)表示的化合物[式(a)中,R的定义参见说明书]。#imgabs0#

    有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物

    公开(公告)号:CN104854719B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201380064733.5

    申请日:2013-12-02

    Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以形成结晶性高的有机晶体管的有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物。本发明的有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物为用于溶解有机半导体材料的溶剂或溶剂组合物,其含有下式(A)表示的溶剂A。式(A)中、R1为C1‑4烷基、C1‑4酰基、C5‑6环烷烃环、C5‑6环烯烃环、C6‑12芳基、或2个以上这些基团键合而成的基团。R2、R3、R4、R5相同或不同,为氢原子、C1‑4烷基、或C1‑4酰基。R6为C1‑4烷基、或C1‑4酰基。R1和R3任选相互键合并与邻接的氧原子及碳原子一起形成环,n为1或2,m为0~2的整数。[化学式1]

    涂布型绝缘膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN106605293A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201580047073.9

    申请日:2015-08-25

    Abstract: 本发明提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数低、绝缘电阻值高、润湿性高、可通过涂布法来形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂,环状烯烃共聚物是环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂包含以下述式(1)表示且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。式(1)中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。

    掺杂剂及导体材料
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115397803B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202180028713.7

    申请日:2021-04-15

    Abstract: 本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中,R1~R3相同或不同,表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是,R1~R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数,等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中,Ar1、Ar2、Ar3相同或不同,表示二价芳香族基团,Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同,表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同,表示0以上的整数。#imgabs0#

    导体材料
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115461415A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202180031352.1

    申请日:2021-04-27

    Abstract: 本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成,该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子,优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中,R1、R2相同或不同,表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。

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