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公开(公告)号：CN100555582C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200580027119.7
申请日：2005-08-01
申请人： 株式会社明电舍 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40
摘要： 一种氧化物膜形成设备，其包括反应器10，其中装有用于容纳基材100的加热器单元14；管道11，其上装有用于将含有机硅或有机金属的原料气体引入到反应器内的原料气体引入阀V1；管道12，其上装有用于将含臭氧气体引入到反应器10同的含臭氧气体引入阀V2；和管道13，其上装有用于将气体从反应器10中排出的排气阀13。当原料气体引入阀V1、含臭氧气体引入阀V2和排气阀V3进行打开-关闭操作，以交替地将原料气体和含臭氧气体供应到反应器10中时，含臭氧气体引入阀V2促使含臭氧气体的臭氧浓度下降到0.1体积%到100体积%范围内，并且加热器单元将基材的温度调节到室温到400℃的范围内。
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公开(公告)号：CN101002308A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580027119.7
申请日：2005-08-01
申请人： 株式会社明电舍 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40
摘要： 一种氧化物膜形成设备，其包括反应器10，其中装有用于容纳基材100的加热器单元14；管道11，其上装有用于将含有机硅或有机金属的原料气体引入到反应器内的原料气体引入阀V1；管道12，其上装有用于将含臭氧气体引入到反应器10内的含臭氧气体引入阀V2；和管道13，其上装有用于将气体从反应器10中排出的排气阀13。当原料气体引入阀V1、含臭氧气体引入阀V2和排气阀V3进行打开－关闭操作，以交替地将原料气体和含臭氧气体供应到反应器10中时，含臭氧气体引入阀V2促使含臭氧气体的臭氧浓度下降到0.1体积％到100体积％范围内，并且加热器单元将基材的温度调节到室温到400℃的范围内。
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公开(公告)号：CN113196455B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201980078450.3
申请日：2019-09-05
申请人： 株式会社明电舍
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/316
摘要： 提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。
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公开(公告)号：CN114286875A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080060774.7
申请日：2020-04-22
申请人： 株式会社明电舍
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316
摘要： 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。
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公开(公告)号：CN107406609A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015186.5
申请日：2016-03-11
申请人： 株式会社明电舍
CPC分类号： C08J7/12 , C01B13/10 , C08J2379/08
摘要： 一种用于改性树脂(6)的方法，该方法用于亲水化树脂(6)的表面。向树脂(6)的表面供应高浓度臭氧气体和不饱和烃气体，并亲水化树脂(6)的表面。高浓度臭氧气体通过再蒸发由含臭氧气体的液化和分馏获得的液体臭氧来生成。作为高浓度臭氧气体，使用具有50体积％或更大的臭氧浓度的臭氧气体。作为不饱和烃气体，使用包含具有双键或三键的碳数为10或更低的不饱和烃的气体。
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公开(公告)号：CN113196455A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980078450.3
申请日：2019-09-05
申请人： 株式会社明电舍
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/316
摘要： 提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。
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公开(公告)号：CN107406609B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680015186.5
申请日：2016-03-11
申请人： 株式会社明电舍
摘要： 一种用于改性树脂(6)的方法，该方法用于亲水化树脂(6)的表面。向树脂(6)的表面供应高浓度臭氧气体和不饱和烃气体，并亲水化树脂(6)的表面。高浓度臭氧气体通过再蒸发由含臭氧气体的液化和分馏获得的液体臭氧来生成。作为高浓度臭氧气体，使用具有50体积％或更大的臭氧浓度的臭氧气体。作为不饱和烃气体，使用包含具有双键或三键的碳数为10或更低的不饱和烃的气体。
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公开(公告)号：CN107614580B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201680028950.2
申请日：2016-05-17
申请人： 株式会社明电舍
摘要： 一种树脂膜(6)的改性装置(1)，该改性装置(1)用于使树脂膜(6)的表面成为亲水性的。改性装置(1)具有腔室(2)、不饱和烃供给装置(3)和臭氧产生装置(4)。在腔室(2)中，设置预先将树脂膜(6)卷绕到其上的供给辊(7)、卷取辊(8)和喷头(10)。将卷绕到供给辊(7)上的树脂膜(6)卷绕到卷取辊(8)上时，从喷头(10)向在供给辊(7)和卷取辊(8)之间移动的树脂膜(6)的表面供给高浓度臭氧气体和不饱和烃气体。
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公开(公告)号：CN107614580A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028950.2
申请日：2016-05-17
申请人： 株式会社明电舍
CPC分类号： C08J7/12 , C01B13/10 , C08C19/04 , C08F8/06 , C08J2323/00
摘要： 一种树脂膜(6)的改性装置(1)，该改性装置(1)用于使树脂膜(6)的表面成为亲水性的。改性装置(1)具有腔室(2)、不饱和烃供给装置(3)和臭氧产生装置(4)。在腔室(2)中，设置预先将树脂膜(6)卷绕到其上的供给辊(7)、卷取辊(8)和喷头(10)。将卷绕到供给辊(7)上的树脂膜(6)卷绕到卷取辊(8)上时，从喷头(10)向在供给辊(7)和卷取辊(8)之间移动的树脂膜(6)的表面供给高浓度臭氧气体和不饱和烃气体。
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公开(公告)号：CN114286875B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080060774.7
申请日：2020-04-22
申请人： 株式会社明电舍
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316
摘要： 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。
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