公开(公告)号：CN113196455B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201980078450.3

申请日：2019-09-05

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 龟田直人 ,  三浦敏德 ,  花仓满

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

摘要： 提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。

公开(公告)号：CN113196455A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980078450.3

申请日：2019-09-05

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 龟田直人 ,  三浦敏德 ,  花仓满

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

摘要： 提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。

公开(公告)号：CN101889330A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200880119208.8

申请日：2008-11-20

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 三浦敏德

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  G03F7/427

摘要： 一种抗蚀剂除去装置(1)，通过该抗蚀剂除去装置(1)可在低至90℃的温度下除去基片上的抗蚀剂。抗蚀剂除去装置(1)包括腔室(2)，其中，经受抗蚀剂(17)除去的基片(16)容纳在该腔室(2)中，以便可加热，并且在比大气压力低的压力下，不饱和烃气体或氟代烃的气体连同臭氧气体供给到该腔室(2)。腔室(2)的内部压力被调节为使得基片(16)具有90℃或更低的温度。臭氧气体的例子包括从通过基于蒸汽压力的差经液化臭氧来分离臭氧然后再次汽化臭氧而从含臭氧的气体得到超高浓度臭氧气体。优选的是，为了清洗经过处理的基片(16)，将超纯水供给到该基片(16)。腔室(2)设有用于保持基片(16)的基座(15)。由发射红外光的光源(4)加热基座(2)。

公开(公告)号：CN114286875B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080060774.7

申请日：2020-04-22

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 龟田直人 ,  三浦敏德 ,  花仓满

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

摘要： 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。

公开(公告)号：CN111902564B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201880091593.3

申请日：2018-11-28

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 龟田直人 ,  三浦敏德

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

摘要： 公开了氧化物膜形成方法，包括向放置在减压处理炉(5)中的工件(7)供给臭氧浓度为20至100体积％的臭氧气体、不饱和烃气体和原料气体，由此通过化学气相沉积法在工件(7)的表面上形成氧化物膜。不饱和烃气体的实例是乙烯气体。原料气体的实例是TEOS气体。优选设定臭氧气体的流速为等于或大于不饱和烃气体和原料气体的总流速的两倍。通过这种氧化物膜形成方法，即使在200℃或更低的低温条件下以高沉积速率在工件(7)上也形成氧化物膜。

公开(公告)号：CN114286875A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202080060774.7

申请日：2020-04-22

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 龟田直人 ,  三浦敏德 ,  花仓满

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

摘要： 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。

公开(公告)号：CN107406609A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680015186.5

申请日：2016-03-11

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 三浦敏德 ,  花仓满

IPC分类号： C08J7/12 ,  C01B13/10

CPC分类号： C08J7/12 ,  C01B13/10 ,  C08J2379/08

摘要： 一种用于改性树脂(6)的方法，该方法用于亲水化树脂(6)的表面。向树脂(6)的表面供应高浓度臭氧气体和不饱和烃气体，并亲水化树脂(6)的表面。高浓度臭氧气体通过再蒸发由含臭氧气体的液化和分馏获得的液体臭氧来生成。作为高浓度臭氧气体，使用具有50体积％或更大的臭氧浓度的臭氧气体。作为不饱和烃气体，使用包含具有双键或三键的碳数为10或更低的不饱和烃的气体。

公开(公告)号：CN101715601B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200880017047.1

申请日：2008-05-08

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 三浦敏德

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

摘要： 抗蚀剂去除设备1在防止爆裂现象发生的同时去除基板上的抗蚀剂，同时降低抗蚀剂去除时的能源成本并使装置构造简化。该抗蚀剂去除设备1配备有用来容纳基板16(例如具有高剂量离子注入抗蚀剂的基板)的腔体2，在低于大气压的压力下，将臭氧气体、不饱和烃气体和水蒸汽供应给该腔体2。上述臭氧气体可以是由含有臭氧的气体借助蒸汽压力差仅使臭氧发生液化分离然后再气化而得到的超高浓度臭氧气体。为了清洗经上述处理的基板16，可以供给超纯水。腔体2配备有用于支持基板16的基座15。基座15被加热到100℃以下的温度。加热上述基座的装置例如可以是发射红外线的光源4。

公开(公告)号：CN101715601A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200880017047.1

申请日：2008-05-08

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 三浦敏德

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

摘要： 抗蚀剂去除设备1在防止爆裂现象发生的同时去除基板上的抗蚀剂，同时降低抗蚀剂去除时的能源成本并使装置构造简化。该抗蚀剂去除设备1配备有用来容纳基板16(例如具有高剂量离子注入抗蚀剂的基板)的腔体2，在低于大气压的压力下，将臭氧气体、不饱和烃气体和水蒸汽供应给该腔体2。上述臭氧气体可以是由含有臭氧的气体借助蒸汽压力差仅使臭氧发生液化分离然后再气化而得到的超高浓度臭氧气体。为了清洗经上述处理的基板16，可以供给超纯水。腔体2配备有用于支持基板16的基座15。基座15被加热到100℃以下的温度。加热上述基座的装置例如可以是发射红外线的光源4。

公开(公告)号：CN111902564A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201880091593.3

申请日：2018-11-28

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 龟田直人 ,  三浦敏德

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

摘要： 公开了氧化物膜形成方法，包括向放置在减压处理炉(5)中的工件(7)供给臭氧浓度为20至100体积％的臭氧气体、不饱和烃气体和原料气体，由此通过化学气相沉积法在工件(7)的表面上形成氧化物膜。不饱和烃气体的实例是乙烯气体。原料气体的实例是TEOS气体。优选设定臭氧气体的流速为等于或大于不饱和烃气体和原料气体的总流速的两倍。通过这种氧化物膜形成方法，即使在200℃或更低的低温条件下以高沉积速率在工件(7)上也形成氧化物膜。