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公开(公告)号：CN105849941B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201480068397.6
申请日：2014-10-15
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种锂硫二次电池用正极及其形成方法，其可用硫可靠地覆盖碳纳米管的集电体附近的部分，同时即便硫在放电时体积膨胀，也可有效地将电解液提供到碳纳米管基端周围。本发明的锂硫二次电池用正极，其包括：集电体(P1)；在集电体表面上以该集电体表面侧为基端朝与集电体表面正交的方向定向生长的多个碳纳米管(4)；以及分别覆盖各碳纳米管表面的硫(5)，所述锂硫二次电池用正极，其特征在于：碳纳米管的密度在40mg/cm3以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117587377A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310997648.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
Abstract: 本发明提供真空处理装置和真空处理方法，在成膜中向主辊稳定地供给偏置电位。在真空处理装置中，第一卷出辊送出第一基材，该第一基材具有成膜面和与上述成膜面相反侧的非成膜面。第一卷取辊卷取上述第一基材。主辊在上述第一基材被运送的方向上设置在上述第一卷出辊与上述第一卷取辊之间，具有与上述非成膜面抵接的外周面，至少从上述第一基材露出的上述外周面被绝缘材料覆盖，将上述第一基材卷绕运送。成膜源与抵接于上述非成膜面的上述主辊的上述外周面相向。第二卷出辊送出第二基材，该第二基材被上述主辊卷绕运送，在上述主辊的上述外周面覆盖上述第一基材的上述成膜面的一部分。第二卷取辊卷取上述第二基材。电源向上述主辊供给偏置电位。
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公开(公告)号：CN109384216A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810707847.1
申请日：2018-07-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C01B32/15 , C01B32/16 , C01B32/186 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种使碳纳米结构体在处理对象物整个表面上生长的碳纳米结构体生长用CVD装置以及碳纳米结构体的制造方法，该生长用CVD装置(M)具有：处理炉(1)；运送装置(15)，以通过处理炉内的方式运送处理对象物(Fm)；气体导入装置(11、12)，向处理炉内导入含碳的原料气体；以及加热装置(13)，加热原料气体；所述CVD装置使碳纳米结构体在通过处理室内的处理对象物的表面上生长；运送装置具有放置处理对象物并以规定速度移动的带状体(Vm)，该带状体上形成允许碳纳米结构体向处理对象物的放置面侧(Fm1)生长的多个开口；在所述CVD装置中，网眼体(Bm)介于带状体和处理对象物之间。
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公开(公告)号：CN105849941A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480068397.6
申请日：2014-10-15
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种锂硫二次电池用正极及其形成方法，其可用硫可靠地覆盖碳纳米管的集电体附近的部分，同时即便硫在放电时体积膨胀，也可有效地将电解液提供到碳纳米管基端周围。本发明的锂硫二次电池用正极，其包括：集电体(P1)；在集电体表面上以该集电体表面侧为基端朝与集电体表面正交的方向定向生长的多个碳纳米管(4)；以及分别覆盖各碳纳米管表面的硫(5)，所述锂硫二次电池用正极，其特征在于：碳纳米管的密度在40mg/cm3以下。
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公开(公告)号：CN117626213A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311052370.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和真空处理方法，在被主辊卷绕运送的基材的温度变化的情况下抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。真空处理装置具有：卷出辊、卷取辊、主辊、成膜源、辅助辊、温度计、电源、温度调节机构以及控制装置。控制装置检测被上述主辊卷绕运送的上述基材的温度，在上述基材的温度处于成膜温度范围的情况下开始在上述基材形成成膜材料的成膜，在开始向上述基材成膜后，在上述基材的温度偏离阈值范围的情况下调节上述主辊的温度并且调节上述主辊与上述基材之间的附着力，以使得上述基材的温度处于上述阈值范围，在上述基材的温度在成膜温度范围内时继续进行上述成膜材料向上述基材的成膜。
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公开(公告)号：CN105830273A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480067929.4
申请日：2014-10-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01M10/058 , H01M2/16 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M4/70 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M2/1653 , H01M2/1606 , H01M4/13 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M4/663 , H01M4/70 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0566 , H01M10/0567 , H01M10/058 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种锂硫二次电池，其可抑制溶出到电解液中的多硫化物向负极扩散，可抑制充放电容量下降。本发明的锂硫二次电池包括：正极(P)，其具有含硫的正极活性物质；负极(N)，其具有含锂的负极活性物质；以及隔板(S)，其配置在正极和负极之间，并保持电解液(L)，所述锂硫二次电池，其特征在于：在隔板与正极之间以及隔板与负极之间中的至少一处，配置了具有磺基的高分子无纺布(F)。
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