公开(公告)号：CN101678970A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019238.1

申请日：2008-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 武者和博 ,  南展史 ,  川口崇文 ,  村上裕彦 ,  中野美尚 ,  江上洋一

IPC: B65G49/07 ,  B25J15/08 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6838

Abstract: 本发明提供一种既可实现基板搬运高速化又能确保适当的搬运动作的基板托持机构。其中，在末端执行器(14)的托持面(14a)上设置由碳纳米管制成的保持部(15)，并用碳纳米管的顶端来托持基板(W)。此时，基板和碳纳米管间产生分子间相互作用力，基板以对托持面具有一定吸引力的状态受其托持。该吸引力在大气中、空气中都会发生，且单位面积上碳纳米管的根数越多，吸引力越强。根据上述构造，可有效防止托持面上的被搬运物滑动，实现基板搬运的高速化。此外，碳纳米管有很好的耐热性，可防止在高温环境下使用时保持部因热变质或因粘着而引起的搬运不良，可确保适当的基板搬运动作。

公开(公告)号：CN111065874B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201980004028.3

申请日：2019-03-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 西桥勉 ,  中野美尚 ,  村上裕彦 ,  吉元刚 ,  伊藤薰树 ,  小宫卓巳

IPC: F26B5/06 ,  F26B3/28 ,  F26B3/347 ,  A23L3/44

Abstract: 本发明实现在短时间内真空冻结干燥以及降低成本。真空冻结干燥装置具有喷雾部、管部、加热部以及收集部。上述喷雾部将原料液向真空容器内喷雾。上述管部为非直线状，具有第一开口端和第二开口端，上述原料液向上述真空容器内喷雾而形成的液滴自冻结而形成的冻结颗粒被上述第一开口端捕捉。上述加热部通过将冻结颗粒在上述管部内加热来使冻结颗粒升华干燥，上述冻结颗粒通过在喷雾时获得的动能而在上述管部内从上述第一开口端朝向上述第二开口端移动。上述收集部收集干燥颗粒，上述干燥颗粒通过上述冻结颗粒在上述管部内升华干燥而形成，并从上述管部的上述第二开口端被释放。

公开(公告)号：CN109384216A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810707847.1

申请日：2018-07-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中野美尚 ,  野末龙弘 ,  福田义朗 ,  塚原尚希 ,  村上裕彦

IPC: C01B32/15 ,  C01B32/16 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种使碳纳米结构体在处理对象物整个表面上生长的碳纳米结构体生长用CVD装置以及碳纳米结构体的制造方法，该生长用CVD装置(M)具有：处理炉(1)；运送装置(15)，以通过处理炉内的方式运送处理对象物(Fm)；气体导入装置(11、12)，向处理炉内导入含碳的原料气体；以及加热装置(13)，加热原料气体；所述CVD装置使碳纳米结构体在通过处理室内的处理对象物的表面上生长；运送装置具有放置处理对象物并以规定速度移动的带状体(Vm)，该带状体上形成允许碳纳米结构体向处理对象物的放置面侧(Fm1)生长的多个开口；在所述CVD装置中，网眼体(Bm)介于带状体和处理对象物之间。

公开(公告)号：CN101484383A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025057.5

申请日：2007-05-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中野美尚 ,  山崎贵久 ,  村上裕彦

IPC: C01B31/02 ,  B01J23/755 ,  B01J33/00 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C16/511 ,  B01J23/74 ,  B01J37/349 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/36 ,  Y10T428/12063 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明涉及具有使用电弧等离子枪进行微粒化的催化剂层的碳纳米管成长用基板。在该催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长。通过电弧等离子枪的发射数控制CNT成长用催化剂的粒径。在控制该催化剂粒径的催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长，控制其内径或外径。

公开(公告)号：CN111065874A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201980004028.3

申请日：2019-03-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 西桥勉 ,  中野美尚 ,  村上裕彦 ,  吉元刚 ,  伊藤薰树 ,  小宫卓巳

IPC: F26B5/06 ,  F26B3/28 ,  F26B3/347 ,  A23L3/44

Abstract: 本发明实现在短时间内真空冻结干燥以及降低成本。真空冻结干燥装置具有喷雾部、管部、加热部以及收集部。上述喷雾部将原料液向真空容器内喷雾。上述管部为非直线状，具有第一开口端和第二开口端，上述原料液向上述真空容器内喷雾而形成的液滴自冻结而形成的冻结颗粒被上述第一开口端捕捉。上述加热部通过将冻结颗粒在上述管部内加热来使冻结颗粒升华干燥，上述冻结颗粒通过在喷雾时获得的动能而在上述管部内从上述第一开口端朝向上述第二开口端移动。上述收集部收集干燥颗粒，上述干燥颗粒通过上述冻结颗粒在上述管部内升华干燥而形成，并从上述管部的上述第二开口端被释放。

公开(公告)号：CN1696337A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510069674.8

申请日：2005-05-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中野美尚 ,  平川正明 ,  村上裕彦

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/513

CPC classification number: D01F9/127 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  D01F9/133

Abstract: 本发明涉及碳纳米管的制造方法以及实施此方法的等离子体CVD装置。由已有的等离子体CVD法于规定的衬底表面上制造碳纳米管时，是通过等离子体加热衬底，难以控制衬底温度，不适合于低温下制造碳纳米管。本发明是在将含碳的原料气体导入真空室(11)，用等离子体CVD法于衬底(S)表面上汽相生长碳纳米管之际。在不使衬底暴露于等离子体区域(P)中的条件下发生等离子体，用加热装置将衬底加热到预定温度，使等离子体分解的原料气体与衬底表面接触，而于衬底表面上生长碳纳米管。