真空蒸镀方法
    1.
    发明公开
    真空蒸镀方法 审中-公开

    公开(公告)号:CN118621269A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410240938.4

    申请日:2024-03-04

    Abstract: 本发明提供一种真空蒸镀方法,能够尽量抑制蒸镀舟皿上产生的局部变形的进行,延长蒸镀舟皿的使用寿命。包含蒸发工序,其使用蒸镀舟皿(3),以与限定收纳部的舟皿主体的底板抵接的方式从其上方供给线状的蒸镀材料,通过在两电极安装板部间通电而加热舟皿主体,使收纳部内的蒸镀材料蒸发,其中,所述蒸镀舟皿具有:具有蒸镀材料(Em)的收纳部(31a)的作为蒸镀源(BS)的舟皿主体(31);以及分别从舟皿主体的两端伸出的电极安装板部(33)。还包括移位工序,其在供给线状的蒸镀材料期间,通过与舟皿主体的底板抵接的线状的蒸镀材料的前端部(Em1)相对于舟皿主体的相对移动而使前端部连续或间歇地移位。

    真空处理装置和真空处理方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117626213A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311052370.5

    申请日:2023-08-21

    Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和真空处理方法,在被主辊卷绕运送的基材的温度变化的情况下抑制被主辊卷绕运送的基材的变形,形成可靠性高的形成有覆膜的基材。真空处理装置具有:卷出辊、卷取辊、主辊、成膜源、辅助辊、温度计、电源、温度调节机构以及控制装置。控制装置检测被上述主辊卷绕运送的上述基材的温度,在上述基材的温度处于成膜温度范围的情况下开始在上述基材形成成膜材料的成膜,在开始向上述基材成膜后,在上述基材的温度偏离阈值范围的情况下调节上述主辊的温度并且调节上述主辊与上述基材之间的附着力,以使得上述基材的温度处于上述阈值范围,在上述基材的温度在成膜温度范围内时继续进行上述成膜材料向上述基材的成膜。

    真空蒸镀装置用的蒸发源
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118531356A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410067573.X

    申请日:2024-01-16

    Abstract: 本发明提供一种真空处理装置用的蒸发源,其即使在以较快的蒸镀速率进行蒸镀时,也能尽量抑制蒸镀舟皿的变形,使用寿命长。具备:蒸镀舟皿(3),其具有舟皿主体(31)和分别从该舟皿主体两端伸出的电极安装板部(33),所述舟皿主体具有蒸镀材料(Em)的收纳部(31a);以及材料供给机构(6),其对舟皿主体的收纳部从其上方供给线状的蒸镀材料(Em);通过在两电极安装板部间通电,对舟皿主体进行加热,使收纳部内的蒸镀材料蒸发。设置支撑机构(8),其与由蒸镀材料的供给带来的载荷所作用的、限定该收纳部的舟皿主体的底板部分从其下方抵接,支撑机构具有支撑板,所述支撑板采用其上端与舟皿主体的底板部分抵接的状态设置。

    真空蒸镀装置用的蒸发源
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118531355A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410065687.0

    申请日:2024-01-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制局部过热而使寿命延长的真空处理装置用的蒸发源。具备蒸镀舟皿,其具有:舟皿主体(31),其具有蒸镀材料(Em)的收纳部(31a);立板部(32),其从舟皿主体的一个方向两端分别向上方立起;以及蒸镀舟皿,其从两立板部的上端分别向外侧伸出。通过在两电极安装板部间通电,加热舟皿主体,使收纳部内的蒸镀材料蒸发。此时,在立板部上设置通电电流的分流路。

    真空处理装置和真空处理方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117587377A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202310997648.X

    申请日:2023-08-09

    Abstract: 本发明提供真空处理装置和真空处理方法,在成膜中向主辊稳定地供给偏置电位。在真空处理装置中,第一卷出辊送出第一基材,该第一基材具有成膜面和与上述成膜面相反侧的非成膜面。第一卷取辊卷取上述第一基材。主辊在上述第一基材被运送的方向上设置在上述第一卷出辊与上述第一卷取辊之间,具有与上述非成膜面抵接的外周面,至少从上述第一基材露出的上述外周面被绝缘材料覆盖,将上述第一基材卷绕运送。成膜源与抵接于上述非成膜面的上述主辊的上述外周面相向。第二卷出辊送出第二基材,该第二基材被上述主辊卷绕运送,在上述主辊的上述外周面覆盖上述第一基材的上述成膜面的一部分。第二卷取辊卷取上述第二基材。电源向上述主辊供给偏置电位。

    溅射装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112154227A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201980033716.2

    申请日:2019-07-04

    Abstract: 本发明的溅射装置具有:板状的调节器,设置于靶与基板之间,且具有与磁路相对应的开口,并遮盖不与所述磁路相对应的部分。所述调节器至少遮盖所述基板的面积的一半以上的面积。所述开口的形状具有大致扇形轮廓。从所述靶的旋转轴线方向观察,所述开口被配置为与所述磁路大致一致,所述靶的所述旋转轴线与所述基板的旋转轴线被配置为大致平行。

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