公开(公告)号：CN103396099B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201310341112.9

申请日：2013-08-07

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周焕福 ,  王玮 ,  陈秀丽 ,  方亮 ,  苗雁冰 ,  贺芬

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铌基温度稳定型LTCC微波介质陶瓷材料。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：（1-x）Li3NbO4+xCaTiO3+yB2O3，其中0.1≤x≤0.3;0.05≤y≤1；以纯度≥99%的Li2CO3、Nb2O5、CaCO3、TiO2和B2O3为主要原料，先分别按摩尔比Li2CO3:Nb2O5=1.5:0.5和CaCO3：TiO2=1:1预先分别煅烧合成Li3NbO4和CaTiO3主粉体，然后在主粉体中加入B2O3来降低其烧结温度，从而获得介电常数适中、Q×f高，谐振频率温度系数近零的LTCC微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度处于900~1025℃，介电常数适中（18.1~31.2），Q×f值高（10500~24900GHz），谐振频率温度系数（τf）小；可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN102603282B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210080965.7

申请日：2012-03-22

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周焕福 ,  刘晓斌 ,  陈秀丽 ,  方亮 ,  王玮 ,  王成

IPC: C04B35/447 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：(1-x)Li3Bi2P3O12+xTiO2，其中：0≤x≤0.6；以纯度≥99％的Li2CO3、Bi2O3和(NH4)3PO4·3H2O为主要原料，先按摩尔比Li2CO3∶Bi2O3∶(NH4)3PO4·3H2O＝1.5∶1∶3，预先煅烧合成Li3Bi2P3O12主粉体，然后在主粉体中加入TiO2来调节其谐振频率温度系数，从而获得介电常数与Q×f高，谐振频率温度系数近零的微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度低于800℃，介电常数适中(15～24)，Q×f值高(13700～26600GHz)，谐振频率温度系数(τf)可调；可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN103030394B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310029387.9

申请日：2013-01-27

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 陈秀丽 ,  贺芬 ,  周焕福 ,  陈杰 ,  苗雁冰 ,  王玮 ,  方亮

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成，其中低熔点物质为Bi2O3，B2O3和BaCu(B2O5)中的一种，通过固相反应，即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度低、微波性能优异：Q×f值高，谐振频率温度系数τf小；不和银(Ag)反应，可以采用纯银作为内电极共烧，从而大大降低器件的制造成本，可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。

公开(公告)号：CN103396099A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310341112.9

申请日：2013-08-07

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周焕福 ,  王玮 ,  陈秀丽 ,  方亮 ,  苗雁冰 ,  贺芬

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铌基温度稳定型LTCC微波介质陶瓷材料。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：（1-x）Li3NbO4+xCaTiO3+yB2O3，其中0.1≤x≤0.3；0.05≤y≤1；以纯度≥99%的Li2CO3、Nb2O5、CaCO3、TiO2和B2O3为主要原料，先分别按摩尔比Li2CO3∶Nb2O5=1.5∶0.5和CaCO3∶TiO2=1∶1预先分别煅烧合成Li3NbO4和CaTiO3主粉体，然后在主粉体中加入B2O3来降低其烧结温度，从而获得介电常数适中、Q×f高，谐振频率温度系数近零的LTCC微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度处于900～1025℃，介电常数适中（18.1～31.2），Q×f值高（10500～24900GHz），谐振频率温度系数（τf）小；可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN103030394A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201310029387.9

申请日：2013-01-27

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 陈秀丽 ,  贺芬 ,  周焕福 ,  陈杰 ,  苗雁冰 ,  王玮 ,  方亮

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成，其中低熔点物质为Bi2O3，B2O3和BaCu(B2O5)中的一种，通过固相反应，即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度低、微波性能优异：Q×f值高，谐振频率温度系数τf小；不和银(Ag)反应，可以采用纯银作为内电极共烧，从而大大降低器件的制造成本，可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。

公开(公告)号：CN102603282A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210080965.7

申请日：2012-03-22

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周焕福 ,  刘晓斌 ,  陈秀丽 ,  方亮 ,  王玮 ,  王成

IPC: C04B35/447 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：(1-x)Li3Bi2P3O12+xTiO2，其中：0≤x≤0.6；以纯度≥99％的Li2CO3、Bi2O3和(NH4)3PO4·3H2O为主要原料，先按摩尔比Li2CO3∶Bi2O3∶(NH4)3PO4·3H2O＝1.5∶1∶3，预先煅烧合成Li3Bi2P3O12主粉体，然后在主粉体中加入TiO2来调节其谐振频率温度系数，从而获得介电常数与Q×f高，谐振频率温度系数近零的微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度低于800℃，介电常数适中(15～24)，Q×f值高(13700～26600GHz)，谐振频率温度系数(τf)可调；可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。