一种基于成分限制的注意力卷积网络的尖晶石陶瓷微波介电常数预测方法

    公开(公告)号:CN119227516A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411251202.3

    申请日:2024-09-06

    Abstract: 本发明提出了一种基于成分限制的注意力卷积网络的尖晶石陶瓷微波介电常数预测方法,具体步骤如下:首先,收集文献中的尖晶石型微波介质陶瓷的化学式及其介电常数,并将化学式转化为基础元素向量,结合组成编码和对数编码进行数据嵌入。其次,采用Adam优化算法进行超参数优化。通过Transformer编码器对嵌入的数据进行特征提取,卷积层进一步处理这些特征,池化层保留重要特征。然后,使用残差网络对数据进行训练。训练完成后,将待预测的尖晶石型微波介质陶瓷化学式输入模型,即可输出其介电常数。该方法通过化学式输入即可实现更准确的性能预测,显著提升了材料开发效率并降低了实验试错成本。

    一种基于机器学习的尖晶石结构微波介质陶瓷介电常数预测方法

    公开(公告)号:CN117409894A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311222788.6

    申请日:2023-09-21

    Abstract: 本发明涉及一种基于机器学习的尖晶石结构微波介质陶瓷介电常数预测方法,包括以下步骤:首先获取文献中的尖晶石结构微波介质陶瓷的化学式、介电常数和所包含元素的描述符等数据,对化学式生成组合特征,对生成的特征进行归一化处理之后,采用特征选择方法,包括方差筛选、相关性筛选、特征重要性筛选和特征穷举筛选。所得到的最优特征子集被用于极端梯度提升机算法的训练,并使用其它机器学习算法进行对比。训练过程结束之后,将待预测的尖晶石结构微波介质陶瓷的化学式和筛选后的最优特征子集输入最优算法模型,输出其介电常数。本发明能够建立准确率较高的预测模型,具有较高的实际应用价值。

    超低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN102603282B

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201210080965.7

    申请日:2012-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为:(1-x)Li3Bi2P3O12+xTiO2,其中:0≤x≤0.6;以纯度≥99%的Li2CO3、Bi2O3和(NH4)3PO4·3H2O为主要原料,先按摩尔比Li2CO3∶Bi2O3∶(NH4)3PO4·3H2O=1.5∶1∶3,预先煅烧合成Li3Bi2P3O12主粉体,然后在主粉体中加入TiO2来调节其谐振频率温度系数,从而获得介电常数与Q×f高,谐振频率温度系数近零的微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低于800℃,介电常数适中(15~24),Q×f值高(13700~26600GHz),谐振频率温度系数(τf)可调;可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。

    一种基于强化学习的低通滤波器智能化设计方法

    公开(公告)号:CN119720749A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411754485.3

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于强化学习的低通滤波器智能化设计方法,步骤1,获取低通滤波器的结构参数进行矩阵化表示;步骤2,基于深度强化学习框架构建强化学习环境,并将步骤1的结果作为状态输入;步骤3,设计智能体,使其基于深度强化学习框架与步骤2建立的环境进行交互;步骤4,根据步骤3的交互结果,将低通滤波器的性能指标转化为对应的奖励函数#imgabs0#,#imgabs1#,将当前状态所对应奖励与前一状态所对应奖励的差值#imgabs2#作为最终的奖励,以指导优化过程;步骤5,当模型达到预定的训练目标后,根据最终调整得到的结构参数确定低通滤波器的最终参数。通过上述系统化的步骤,本发明的方法能够实现低通滤波器设计的智能化优化,显著提升设计效率和滤波器性能。

    一种5G高通LTCC滤波器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113824417A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202110883491.9

    申请日:2021-08-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于LTCC多层陶瓷技术的5G高通滤波器,包括输入端、输出端和接地电极。所述高通滤波器是由三个电容和一个电感共四个电抗元件构成的三阶滤波器,并通过LTCC多层结构实现这个滤波器。滤波器的输入输出通过印刷在LTCC基板两个端头的焊盘实现;为了减小滤波器内部元件对地的寄生电容,改善高通滤波器高频段的插入损耗,LTCC基板内没有整片的接地层,而是通过LTCC基板侧面电极及底面焊盘和地相连。该5G高通滤波器封装结构为标准的0805尺寸(2.0mm×1.2mm)封装结构,具有体积小、成本低、带内插损小、带外抑制高、方便使用等优点,有利于批量生产。

    低成本、低密度、低烧结温度型微波介质材料及制备方法

    公开(公告)号:CN109133871B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201811059342.5

    申请日:2018-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种低成本、低密度、低烧结温度型微波介质材料及制备方法。该微波介质材料的化学配比为:4NiO‑B2O3‑V2O5。(1)以纯度≥99%的NiO、B2O3和V2O5为原料,按4NiO‑B2O3‑V2O5的化学计量比进行称料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合4h,以乙醇及氧化锆球为球磨介质,干燥后在550℃下预烧4h;(3)将预烧后的粉体进行二次球磨后添加5 wt%聚乙烯醇进行造粒,造粒后压制成型,最后将坯体排胶后在575~675℃下烧结4小时。本发明制备的微波介质陶瓷烧结温度低(≤900℃),并且低的介电常数(εr),较高的Q×f值以及低的τf值,表明具有很好商业应用前景。

    Bi2O3-B2O3二元体系微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109231967A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811198698.7

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 本发明公开了一种Bi2O3-B2O3二元体系微波介质陶瓷材料及其制备方法。该Bi2O3-B2O3二元体系微波介质陶瓷材料的化学组成式为Bi3BxO3(3+x)/2,其中x为质量份数,5≤x≤12。以纯度≥99%的Bi2O3和H3BO3为主要原料配料,将物料湿式球磨混合4h,以乙醇为球磨介质,干燥后在575~600℃空气气氛下预烧4h,所得块体破碎后湿式球磨4h,以乙醇为球磨介质;球磨后的物料干燥后添加聚乙烯醇溶液造粒,之后压制成型,将坯体在550~700oC下烧结4小时,即制得Bi2O3-B2O3二元体系微波介质陶瓷材料。本发明制备的微波介质陶瓷,可在超低的烧结温度下进行烧结(≤650℃),并且微波性能优异:介电常数(εr)较低,Q×f值高以及τf近零且可以与铝电极和银电极共烧兼容,可用于片式谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。

    NaCa2Mg2V3O12微波介电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN109111226A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201811111699.3

    申请日:2018-09-24

    Abstract: 本发明公开了一种NaCa2Mg2V3O12微波介电陶瓷的制备方法。按NaCa2Mg2V3O12的化学计量比配料,然后按照混合粉体、氧化锆球与无水乙醇质量比为1:2:1向混合粉体中依次加入氧化锆球和无水乙醇,球磨4小时,然后在100~120℃下烘干,烘干后的粉体以200目的筛网过筛处理,再直接压制成直径为12mm、厚度为6mm的圆柱状样品;然后以5℃/min的升温速率将样品升温至775~875℃,并保持该温度烧结4小时,即制得NaCa2Mg2V3O12微波介电陶瓷。本发明方法相比于传统的固相反应法,在省去预烧、二次球磨、造粒和排胶等一系列步骤的情况下成功制备出具有致密微观结构、较高Q×f值以及近零τf值的微波介质陶瓷。在进一步降低成本、简化实验操作的同时保证了材料的性能,具有一定的应用潜力。

    Li2Zn3Ti4O12微波介质陶瓷材料及其低温烧结方法

    公开(公告)号:CN101913859B

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201010253435.9

    申请日:2010-08-13

    Abstract: 本发明公开了一种Li2Zn3Ti4O12微波介质陶瓷材料及其低温烧结方法。Li2Zn3Ti4O12微波介质陶瓷材料由重量百分比为95~99.75%的Li2Zn3Ti4O12和重量百分比为0.25~5%的低熔点物质组成;其中:低熔点物质为H3BO3、BaCu(B2O5)、V2O5和Bi2O3中的一种。先按摩尔比Li2CO3∶ZnO∶TiO2=1∶3∶4,预先煅烧合成主粉体,而后在主粉体中加入BaCu(B2O5)、H3BO3、Bi2O3或V2O5,造粒,压片,烧结。本发明制备的微波介质陶瓷材料,其烧结温度低(约900℃),微波性能优异:介电常数(εr)大,Q×f值高以及τf小;不和银(Ag)反应,可以采用纯银作为电极共烧,可极大地降低器件的制造成本,可用于低温共烧陶瓷系统(LTCC)、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。

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