公开(公告)号：CN117637909A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311529575.8

申请日：2023-11-14

Applicant: 湖北大学

Inventor： 袁慧 ,  王寿阳 ,  褚子聿 ,  张荣华 ,  彭小牛 ,  王喜娜

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器及其制备方法，涉及光电子材料技术领域，本发明采用化学气相沉积的方法在云母片上沉积SnS纳米片；采用湿法转移的方法，将沉积的SnS纳米片从云母片上转移到SiO2/Si衬底上；然后刻蚀四电极图案，再用高真空复合沉积系统蒸镀Ti层和Au层，获得基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器。本发明的光电探测器在常温(300K)下就可以以对可见光532nm激发响应，Zigzag方向光电流达到920nA/μm，响应度可达255A/W，Armchair方向光电流达到586nA/μm，响应度可达155A/W。