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公开(公告)号：CN112885868A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110149898.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法，该器件包括底电极、转换层、阻变层和顶电极；其中，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种。本申请的基于氧化铌选通管的1S1R器件，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种，采用的这些材料的电学性质非常稳定，将基于这两类材料的功能层直接堆叠集成制备得到的1S1R器件性能稳定，拥有稳定的SET电压和RESET电压，以及明显的存储窗口，基于这些材料制得的1S1R器件具有1S1R的电学性能，在一定次数的直流耐受性测试中，有稳定的操作电压，也有明显的存储窗口。
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公开(公告)号：CN113113314A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110373948.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，包括以下步骤：将MOS管置于超临界流体反应腔体内，向反应腔体内加入水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为100～140℃，反应1～2h。本发明的方法，超临界二氧化碳流体能够顺利进入MOS管纳米级孔隙或空间而不造成损伤，通过超临界流体携带有效的反应性物质水进入MOS管内部，从而有效的钝化界面缺陷，改善其介电常数；本发明能显著地降低MOS管的漏电流和提升漏极饱和电流，解决了MOS管尺寸减小引发的漏电流升高和漏极饱和电流降低的难题，达到了提升MOS管器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN117637909A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311529575.8
申请日：2023-11-14
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器及其制备方法，涉及光电子材料技术领域，本发明采用化学气相沉积的方法在云母片上沉积SnS纳米片；采用湿法转移的方法，将沉积的SnS纳米片从云母片上转移到SiO2/Si衬底上；然后刻蚀四电极图案，再用高真空复合沉积系统蒸镀Ti层和Au层，获得基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器。本发明的光电探测器在常温(300K)下就可以以对可见光532nm激发响应，Zigzag方向光电流达到920nA/μm，响应度可达255A/W，Armchair方向光电流达到586nA/μm，响应度可达155A/W。
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公开(公告)号：CN117174742A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310947189.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/417 , H10B41/30
Abstract: 本发明公开一种环形浮栅器件，涉及半导体技术领域。所述环形浮栅器件包括：衬底、源极、漏极和多个纳米线结构；纳米线结构包括：纳米线沟道以及由内向外依次包裹在纳米线沟道外的隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，纳米线沟道的两端均延伸出隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，并分别与源极和漏极相接触；源极和漏极均设置在衬底上，且两极不接触；各纳米线结构由下向上依次设置在两极之间。本发明可以提高浮栅器件的可靠性，解决在沟道内掺杂难以实现与传统常规器件一样均匀的问题，并且也可以解决在源漏施加偏压后两个电极间的平行电场自上而下慢慢减弱，沟道电子注入的难度逐渐增加的问题。
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公开(公告)号：CN113066927B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110170101.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106622289B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610996107.5
申请日：2016-11-11
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种CdZnS量子点与碳点复合的纳米材料及其制备方法与应用，所述纳米材料是若干个直径4‑8纳米的CdZnS量子点均匀分散负载在碳点上构成的纳米颗粒，利用硫化物前驱体与含有碳点的分散液均匀混合，通过溶剂热法制得，制备工艺简单，易操控，所得纳米材料性质稳定、成本低廉，可作为光催化剂，纳米颗粒中的CdZnS量子点均匀负载在碳点上，既降低了CdZnS量子点的团聚，可提升物质产氢过程的稳定性，提高产氢效率。
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公开(公告)号：CN112952088B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN113522278A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010312752.7
申请日：2020-04-20
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及光催化制氢技术领域，公开了一种Au‑TiO2‑Pt析氢催化材料，所述材料中金、钛、铂的摩尔比分别为2～20：2～3：1，且TiO2分布在金纳米棒的两端，Pt位于金纳米棒的中间，所述Au‑TiO2‑Pt析氢催化材料的制备方法包括如下步骤：合成金纳米棒后，在金纳米棒两端生长TiO2，得到Au‑TiO2前驱体，最后在金纳米棒侧面沉积Pt，得到Au‑TiO2‑Pt析氢催化材料。本发明制备的Au‑TiO2‑Pt析氢光催化材料将金纳米棒的等离激元效应和Pt的高效催化活性位点有效结合，显示出了优异的光催化析氢性能，制备方法简单、可重复性好。
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公开(公告)号：CN113066927A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110170101.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
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公开(公告)号：CN110882707A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911048613.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 湖北大学
IPC: B01J27/182 , B01J35/02 , C25B1/04 , C25B11/06
Abstract: 本发明涉及光电催化制氢技术领域，具体公开了一种CoP/Si析氢催化材料及其制备方法，所述CoP为纳米片结构且呈网格状均匀分布在硅片表面，CoP层的厚度为3～5μm；本发明还提供了该材料的制备方法，具体包括以下步骤：S1、硅片表面预处理；S2、电沉积制备Si-Co盐前驱体；S3、高温磷化。本发明提供的CoP/Si析氢催化材料将硅吸光特性和CoP的电催化特性有效结合，显示出了优异的光电催化析氢性能，而且制备方法简单、可重复性好以及与硅工艺兼容。
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