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公开(公告)号：CN106774579A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710026568.4
申请日：2017-01-14
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/561
摘要： 本发明提供一种基于双反馈跨导的LDO电路，包括正反馈环路、负反馈环路、功率管Mp，晶体管M9，电阻Rst、RL，电容Cint及电容CL；其中，正反馈环路的输入端与LDO输出电压Vout及功率管Mp的漏极相连，输出端与功率管Mp的栅极连接；负反馈环路的输入端与LDO输出电压Vout及功率管Mp的漏极相连，输出端与功率管Mp的栅极连接，负反馈环路还连接电源Vdd；功率管MP的漏极与LDO输出电压Vout相连，源极连接电源Vdd，电容Cint设于功率管Mp的栅极与地之间；电阻RL与电容CL并联后连接于LDO输出电压Vout与地之间；晶体管M9的源极与功率管Mp的栅极连接，漏极接地，栅极通过电阻Rst连接电源Vdd。本发明提出可低供电输出和环路快速响应速度快，稳定性高。
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公开(公告)号：CN108227815B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810223884.5
申请日：2018-03-19
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/575
摘要： 本发明公开了应用于低电压输出的自适应动态偏置LDO电路，包括：控制电路，参考电压产生电路，反馈电路，负载电路，功率管M12，所述控制电路包括：PMOS管M1、M2、M3、M4、M12，NMOS管M5、M6、M7、M8、M9，电容C1、C2，所述参考电压产生电路包括：NMOS管M10、M11，运算放大器EA，基准电压电路bandgap，所述反馈电路包括：NMOS管M13、M14，所述负载电路包括：负载电容CL，负载电阻RL。本发明创造的电路结构以控制电路为核心，相对于现有的LDO电路，具有良好的负载瞬态响应能力，对电压输出适应能力强。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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公开(公告)号：CN114363112A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210275895.4
申请日：2022-03-21
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： H04L12/40
摘要： 本发明涉及总线仲裁的系统结构，特别涉及一种适用于局域网的总线组网系统及总线仲裁方法，其公开了一种总线组网系统及总线仲裁方法，通过处理器结合驱动器直接连接总线，设定处理器具有唯一的本机地址且能够接收数据和发送数据，通过判断接收的包含本机地址信息的数据与发送的包含本机地址信息的数据是否一致时，实现处理器是否能够成功获取总线，从而减少了现有技术中在CAN总线应用中控制器的设置，因此简化了组网结构，可靠性高。
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公开(公告)号：CN108488849A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810603888.6
申请日：2018-06-12
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： F24C3/12
摘要： 本发明公开了一种燃气灶自动调火控制装置，包括压力传感器、前置放大电路、控制电路、驱动电路、步进电机以及火力控制旋钮，所述压力传感器可安装在锅盖的排气孔处，所述压力传感器与前置放大电路输入端相连，所述前置放大电路输出端与控制电路输入端相连，所述控制电路输出端与驱动电路输入端相连，所述驱动电路输出端与步进电机相连，所述步进电机与火力控制旋钮安装在一起，所述步进电机驱动火力控制旋钮转动。本发明创造通过压力传感器检测锅盖排气孔处的气压，控制电路根据气压的变化，控制步进电机的转动，间接实现火力控制旋钮的转动，实现燃气灶的自动控制功能。本发明创造用于控制燃气灶火力大小。
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公开(公告)号：CN107643104A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201711034271.9
申请日：2017-10-30
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G01D21/02
摘要： 本发明公开了一种具有高低温及气氛环境控制的多功能测试装置,包括用于提供测试环境的多功能腔体、用于调节多功能腔体内温度及气氛的测试环境控制单元和用于监控测试的监测单元；测试环境控制单元和监测单元均与多功能腔体连接；其中，测试环境控制单元包括温控装置和气氛环境控制装置，监测单元包括电学性能测试装置和光学监控装置。本发明集温度及气氛环境控制、样品监控测试于一体，实现多种测试环境下的测试需求。
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公开(公告)号：CN107491131A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710962322.8
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/561
摘要： 本发明公开了一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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公开(公告)号：CN107272811A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710658669.3
申请日：2017-08-04
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低温度系数基准电压源电路，包括：电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路，所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流，所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压，所述电压产生电路输出基准电压。本发明创造得到的基准电压源低于1V，且具有更低的温度系数，能够抑制电源噪声，可以提供更加稳定的基准电压，符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
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公开(公告)号：CN106547300A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710016488.0
申请日：2017-01-10
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 一种低功耗低温度系数的电压基准源电路，其特征在于包括PTAT电流产生电路和负载电路；PTAT电流产生电路与负载电路一端相连，基准电压源由所述负载电路输出，所述PTAT电流产生电路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM5和NM6组成，PM0、PM1、PM2、PM3为PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM5和NM6为NMOS管。本发明与已有技术相比，具有即使是低电压，甚至是超低电压下，也能正常工作的优点。
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公开(公告)号：CN117935880A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410116423.3
申请日：2024-01-26
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G11C13/00 , G06F30/367
摘要： 本发明涉及忆阻电路技术领域，尤其涉及一种基于伪差分结构的高频忆阻电路，通过简单的晶体管拓扑结构，采用伪差分放大器、一个处在线性区的P型场效应管、一个源跟随器，一个负阻抗转换器NIC和一个N型场效应管构成。本电路使用场效应管自身的寄生电容，无需外置电容电阻，在高频下也能够产生非线性忆阻特性：具体为当输入电压端Vin的输入信号Vin为正弦信号时，输入的整体电流Iin与输入信号Vin的关系曲线呈现出捏滞回线特征。且二者的关系曲线会随着输入信号Vin频率的提升而逐步收缩，最终收缩成一条单值函数曲线的趋势。
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