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公开(公告)号：CN108227815B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810223884.5
申请日：2018-03-19
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/575
摘要： 本发明公开了应用于低电压输出的自适应动态偏置LDO电路，包括：控制电路，参考电压产生电路，反馈电路，负载电路，功率管M12，所述控制电路包括：PMOS管M1、M2、M3、M4、M12，NMOS管M5、M6、M7、M8、M9，电容C1、C2，所述参考电压产生电路包括：NMOS管M10、M11，运算放大器EA，基准电压电路bandgap，所述反馈电路包括：NMOS管M13、M14，所述负载电路包括：负载电容CL，负载电阻RL。本发明创造的电路结构以控制电路为核心，相对于现有的LDO电路，具有良好的负载瞬态响应能力，对电压输出适应能力强。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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公开(公告)号：CN107491131A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710962322.8
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/561
摘要： 本发明公开了一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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公开(公告)号：CN107479612A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710959469.1
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种快速响应LDO电路，包括：偏置电路、快速反应电路、负载电路；所述偏置电路由：PMOS晶体管M1、M2、NMOS晶体管M3、M4、M5、运算放大器AMP构成，所述快速反应电路由：PMOS晶体管M6、M7、M9、M11、M12、MP、M14、NMOS晶体管M8、M10、M13、M15、电容C1构成，所述负载电路由电容CL、电阻RL构成，本发明跟现有技术对比具有快速瞬态响应的特点。
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公开(公告)号：CN107544605B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201710962323.2
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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公开(公告)号：CN108874008B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201810651176.1
申请日：2018-06-22
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种具有双反馈的LDO电路，包括负反馈电路、正反馈电路和负载电路，主要采用NMOS晶体管、PMOS晶体管、电容和电阻，具有静态电流低、瞬态响应能力强等特点。而随芯片供电电压不断降低，传统的LDO电路可能会出现电路本身消耗的静态电流大于芯片本身消耗电流的情况。本发明的LDO电路和典型的LDO电路不同的是没有基准电路，通过正负反馈来输出更加稳定的电压，提高对负载电路电压变化的响应速度，同时可以有效降低LDO电路的功耗，符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。可用于集成电路技术领域中。
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公开(公告)号：CN107544605A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710962323.2
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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公开(公告)号：CN111046923B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201911170556.4
申请日：2019-11-26
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G06V10/764 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06V10/82
摘要： 本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种基于边界框的图像目标检测方法、装置及存储介质，所述方法为：首先利用ResNet特征提取网络提取图像特征，得到第一特征图；进而预定义先验框的横纵比，将第一特征图和先验框输入边界框调整网络进行调整偏移，得到第二特征图和边界框；接着将第二特征图和边界框输入区域提案网络RPN，生成候选框和所述候选框的得分；最后选择得分靠前的多个候选框作为目标候选框，对目标候选框进行目标检测，得到最终预测的目标边界框和类别，本发明可以提高图像中目标检测的准确率。
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公开(公告)号：CN107491131B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710962322.8
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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