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公开(公告)号：CN103123895A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310012880.X
申请日：2009-08-06
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
摘要： 应变层的松弛。本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在籽晶衬底上生长所述应变材料层；在所述应变材料层的一面上沉积第一低粘度层；通过所述第一低粘度层将所述应变材料层粘合到第一衬底，并且将所述应变材料层从所述籽晶衬底分离；在所述应变材料层的另一面上沉积第二低粘度层；在热处理步骤之前将第二衬底粘合到所述第二低粘度层，以形成夹层结构；使所述夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。
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公开(公告)号：CN102113102A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130308.5
申请日：2009-08-06
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
摘要： 本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在所述应变材料层上淀积包括第一柔性材料的第一低粘度层；在所述应变材料层上淀积包括第二柔性材料的第二低粘度层，以形成第一夹层结构；以及使所述第一夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。
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公开(公告)号：CN103123895B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310012880.X
申请日：2009-08-06
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
摘要： 应变层的松弛。本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在籽晶衬底上生长所述应变材料层；在所述应变材料层的一面上沉积第一低粘度层；通过所述第一低粘度层将所述应变材料层粘合到第一衬底，并且将所述应变材料层从所述籽晶衬底分离；在所述应变材料层的另一面上沉积第二低粘度层；在热处理步骤之前将第二衬底粘合到所述第二低粘度层，以形成夹层结构；使所述夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。
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公开(公告)号：CN102113102B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200980130308.5
申请日：2009-08-06
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
摘要： 本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在所述应变材料层的一面上淀积第一低粘度层；进行热处理，使得造成所述第一低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层；其中，将第一衬底粘合到所述第一低粘度层，并且所述方法还包括：通过活塞向所述应变材料层的与粘合有所述第一低粘度层的表面相对的表面施加机械压力，并且其中在所述热处理的至少部分期间，与所述应变材料层的面垂直地施加所述机械压力。
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