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公开(公告)号：CN117693207A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310757926.4
申请日：2023-06-26
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
IPC分类号： H10K30/10 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K30/85 , H10K30/86 , H10K30/81 , H10K71/12 , H10K71/16 , H10K71/40
摘要： 本发明提供一种基于双层无铅吸光层结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法，钙钛矿太阳电池的结构为FTO/TiO2/MASnI3/CsGeI3/Spiro‑OMeTAD/Ag，从下到上依次设置有FTO导电玻璃、TiO2电子传输层、MASnI3钙钛矿吸光层、CsGeI3钙钛矿吸光层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Ag电极，所述MASnI3钙钛矿吸光层为CH3NH3SnI3钙钛矿吸光层。本发明电池扩宽吸光层的吸收光谱至红外波段，双层异质结结构能够提升吸光层的内部电场驱动力，从而有效地促进光生载流子的解离，显著提升了钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118076119A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310435980.7
申请日：2023-04-21
申请人： 福建江夏学院 , 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站)
摘要： 本发明提供一种无电荷传输层的少铅钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池的结构为FTO/FASnI3/MAPbI3/Carbon，从下到上依次设置有FTO透明电极层、FASnI3薄膜层、MAPbI3薄膜层以及Carbon电极层，其中FASnI3/MAPbI3作为吸光层；所述FASnI3薄膜层制备方法如下：采用旋涂法制备，首先将SnI2、FAI、SnF2共同溶解在DMF/DMSO体积比为1:4混合溶剂中，之后旋涂在FTO透明电极层上，形成FASnI3薄膜层；所述MAPbI3薄膜层制备方法如下：在沉积好的FASnI3薄膜层上，采用双源共蒸发法制备MAPbI3薄膜层。本发明减少了双钙钛矿结构中Pb的使用，降低了制作成本，同时能够提供足够的内部电场驱动力促进载流子分离和传输，从并扩宽吸光层的吸收光谱。
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公开(公告)号：CN116347905A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310189920.1
申请日：2023-03-02
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
摘要： 本发明提供了一种基于P3HT界面修饰的钙钛矿太阳电池及其制备方法，钙钛矿太阳电池包括从下到上依次设置有FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、钙钛矿层、P3HT界面修饰层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Au电极。制备步骤如下：先在FTO导电玻璃上依次旋涂SnO2电子传输层、钙钛矿层；再在钙钛矿层制备P3HT界面修饰层：先称量一定质量的P3HT颗粒，溶解于氯苯溶剂中，得到P3HT溶液；当钙钛矿层退火后，将溶解的P3HT溶液旋涂在钙钛矿上，之后在N2手套箱中静止一段时间；接着旋涂Spiro‑OMeTAD空穴传输层；最后在制备Au电极。本发明采用聚‑3己基噻吩(P3HT)聚合物修饰的方式提升钙钛矿吸光层和空穴传输层的界面质量，起到了缺陷钝化和阻隔水分的协同作用。
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公开(公告)号：CN220307715U
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202321629464.X
申请日：2023-06-26
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
IPC分类号： H10K30/10 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K30/85 , H10K30/86 , H10K30/81 , H10K71/12 , H10K71/16 , H10K71/40
摘要： 本实用新型提供一种具有双吸光层结构的钙钛矿太阳电池，所述钙钛矿太阳电池的结构为从下到上依次设置有FTO导电玻璃、TiO2电子传输层、MASnI3钙钛矿吸光层、CsGeI3钙钛矿吸光层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Ag电极，所述MASnI3钙钛矿吸光层为CH3NH3SnI3钙钛矿吸光层。本实用新型具有双吸光层结构，使电池扩宽吸光层的吸收光谱至红外波段，双层异质结结构能够提升吸光层的内部电场驱动力，从而有效地促进光生载流子的解离，显著提升了钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN219843920U
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202320770308.9
申请日：2023-04-10
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
摘要： 本实用新型公开了一种钙钛矿太阳电池的封装结构，包括上LiF膜层和下LiF膜层，所述上LiF膜层设置在下LiF膜层上方，所述上LiF膜层和下LiF膜层之间设置有中间吸收层，所述中间吸收层为Au膜层。采用上述技术方案制成了一种钙钛矿太阳电池的封装结构，通过设置上LiF膜层和下LiF膜层，有效提高封装结构对于钙钛矿电池的保护性能，通过中间吸收层对于透过上LiF膜层和下LiF膜层的部分水、氧的吸收，有效防止环境中的水汽扩散进入到电池内部，适用于柔性的光伏器件，LiF以及Au均属于制备钙钛矿太阳能电池常用到的背接触电极材料，不会与电池组分发生反应，提高了封装结构的稳定性。
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公开(公告)号：CN219612492U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320363181.9
申请日：2023-03-02
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
摘要： 本实用新型提供了一种基于P3HT界面修饰的钙钛矿太阳电池，钙钛矿太阳电池包括从下到上依次设置有FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、钙钛矿层、P3HT界面修饰层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Au电极。所述FTO导电玻璃的厚度为350～450nm,SnO2电子传输层的厚度为20～50nm，钙钛矿层的厚度为200～500nm，P3HT界面修饰层的厚度为1～10nm，Spiro‑OMeTAD空穴传输层的厚度为100～300nm，Au电极的厚度为80～120nm。本实用新型采用聚‑3己基噻吩(P3HT)聚合物修饰的方式在钙钛矿层和空穴传输层之间形成P3HT界面修饰层，提升钙钛矿吸光层和空穴传输层的界面质量，起到了缺陷钝化和阻隔水分的协同作用。
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公开(公告)号：CN116496776A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310485611.9
申请日：2023-05-04
申请人： 福建江夏学院
摘要： 本发明涉及一类氨基酸修饰Cs3Cu2I5钙钛矿材料及其制备方法，所述氨基酸为L‑瓜氨酸、L‑组氨酸和5‑氨基戊酸。本发明基于简单的球磨法，将一定量的氨基酸与Cs3Cu2I5钙钛矿进行混合研磨成功合成了氨基酸修饰Cs3Cu2I5钙钛矿，成本低，在空气环境下即可获得。首先，由于有机小分子与钙钛矿的相互作用，上述三种氨基酸能够有效钝化Cs3Cu2I5钙钛矿的缺陷，抑制载流子的非辐射复合，同时不会改变Cs3Cu2I5的晶体结构；其次，氨基酸的加入有效提升了Cs3Cu2I5的荧光性能；最后，本发明采用无溶液污染物产生的球磨法，并且所使用到的原料均为无铅无毒材料，符合绿色环保的理念。
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公开(公告)号：CN112520784B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011449684.5
申请日：2020-12-11
申请人： 福建江夏学院
IPC分类号： C01G21/00
摘要： 本发明提供一种研磨制备NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料的方法，所述方法包括如下步骤：(1)将氯化铵和碘化铅混合后放入球磨机充分研磨；其中，氯化铵和碘化铅的摩尔比为1:1‑3:1，球磨机研磨时间为1‑2小时，球磨机研磨转速为200‑400转/分钟，球磨机中的物料与研磨球的质量比为1:20‑1:10；(2)将步骤(1)中充分研磨后的混合物放入真空干燥箱中加热，冷却至室温获得NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料。本发明制备过程简单易控制、制备成本低，而且该方法得到的NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料具有合适的带隙，有望应用于光伏电池。
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