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公开(公告)号：CN115863448A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210973241.9
申请日：2022-08-15
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18 , H10K30/40 , H10K30/88 , H10K71/00
摘要： 本发明涉及一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法，其特征在于：钙钛矿晶体的一侧设有LiF中间层，LiF中间层之上为金属阳极且与钙钛矿晶体形成肖特基接触；所述钙钛矿晶体的另一侧为金属阴极且与钙钛矿晶体形成欧姆接触。通过在P型钙钛矿晶体与低功函数金属阳极之间引入氟化锂(LiF)中间层，钝化钙钛矿晶体表面，避免钙钛矿晶体与金属发生扩散或化学反应，从而降低界面缺陷态密度，提高探测器的电荷收集效率，同时LiF中间层使界面处的肖特基势垒高度增大，降低探测器的漏电流，从而提高探测器对带电粒子和高能射线的能量分辨能力。
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公开(公告)号：CN113275173A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110539374.0
申请日：2021-05-16
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： B05B16/20 , B05B5/00 , B05B5/16 , B05B12/08 , B05B12/12 , B05B13/04 , B05D3/02 , B05D5/12 , B05D7/24 , B05D1/04
摘要： 本发明提供了一种静电喷涂装置及采用该静电喷涂装置制备大面积薄膜的方法，解决现有静电喷涂装置结构复杂、喷涂范围有限且效率低的问题。一种静电喷涂装置，用于在待喷涂衬底上制备大面积薄膜，包括喷涂单元、高压发生单元、加热单元以及移动单元；喷涂单元包括喷头和注射泵；喷头包括助推注射器和双头注射器；双头注射器的腔室内设置双向推杆，将腔室分为上腔室和下腔室；上腔室与助推注射器连通；下腔室的下端竖直安装有喷涂针头；注射泵通过助推注射器向双向推杆提供推力，进而调节喷涂前驱体溶液的流量；高压发生单元与喷涂针头连接；加热单元用于支撑并加热待喷涂衬底；移动单元用于调节喷涂针头在待喷涂衬底上的喷涂位置。
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公开(公告)号：CN107829139B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711081319.1
申请日：2017-11-07
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法，用于解决现有全无机钙钛矿单晶的生长方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将原料溴化铯和溴化铅混合在有机溶剂二甲基亚砜中溶解搅拌，过滤后加入环己醇和二甲基甲酰胺混合液，得到前驱体溶液；其次将前驱体溶液在一定温度下保温一定时间，过滤已析出晶体的溶液；最后将滤液置于水箱中加热升温，生长大尺寸、高结晶质量的CsPbBr3晶体。本发明方法制得CsPbBr3粉末的XRD图谱与标准结构卡片的XRD图谱一致，证明CsPbBr3粉末是纯相。并获得了长×宽×高＝(4～7)×(3～5)×(2～3)mm3的CsPbBr3单晶体，实用性好。
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公开(公告)号：CN110591114A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910876631.2
申请日：2019-09-17
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C08J3/00 , C09D125/06 , B82Y40/00 , C08L25/06
摘要： 本发明公开了一种在碲化锌表面制备聚苯乙烯微球阵列的方法，用于解决现有方法在碲化锌表面制备的聚苯乙烯微球阵列覆盖率低的技术问题。技术方案是首先将旋涂基底置于偏离旋涂中心的位置，以达到减小基底材料上各处所受离心力差异的目的，从宏观角度改善聚苯乙烯微球的分布形貌；再利用SDS作为表面活性剂，利用SDS在水溶液中电离所产生的离子基团使得聚苯乙烯微球表面带负电荷，从而增大聚苯乙烯微球之间的斥力，使得在旋涂过程中能够较好的发生自组装，调控SDS浓度参数，获得适合于制备ZnTe材料表面规则聚苯乙烯微球阵列的浓度参数；最后调控旋涂参数，获得更大面积的规则聚苯乙烯微球阵列的制备。
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公开(公告)号：CN107855923A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711083278.X
申请日：2017-11-07
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法，用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上；将从溶液法长出的MAPbBr3晶体放在第一个抛光盘上，在橡胶垫上喷WD-40抛光液1～3毫升，用手指画“8”字进行磨抛，对晶片两面分别抛光300～1000秒，之后立即用异丙醇冲洗；再将经过WD-40抛光后的晶体放在第二个抛光盘上，滴加抛光液异丙醇3～5ml，以同样的方法进行化学抛光，待晶体表面光滑、平整、无划痕时，磨抛完毕。之后立即用异丙醇冲洗，高纯氮气吹干。由于采用两种抛光液先后抛光，不会产生新的残留，实用性好。
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公开(公告)号：CN103560167A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310489066.7
申请日：2013-10-17
申请人： 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/035281 , H01L31/022408 , H01L31/1832
摘要： 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法，用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案，然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开，形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象，同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割，实现了对光刻电极的保护，避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4～8个1×8～1×32的像素阵列条形探测器，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN102168313A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110067191.X
申请日：2011-03-18
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法，技术特征在于：采用两步气相退火，第一步是用非金属Te作为气相退火介质，通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质，通过退火消除晶片中的夹杂相，提高载流子的传输特性。本发明的有益效果：通过两步法气相退火来提高晶体的电阻率和载流子的传输特性，完全消除Te夹杂相，将载流子迁移率和寿命乘积值(μτ)从5.08～7.87×10-4cm2/V提高到1.21～1.58×10-3cm2/V，从而明显改善晶体质量和辐射探测器的性能。
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公开(公告)号：CN118407112A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410458292.7
申请日：2024-04-17
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种垂直布里奇曼法制备的大体积铯铅溴单晶及其制备方法和应用，涉及单晶体技术领域。所述方法包括将原料CsBr与PbBr2按特定配比装入石英坩埚后，对石英坩埚进行真空封接；将封接好的石英坩埚置于摇摆合料炉中，设计了室温至520~560℃的阶梯升温处理，获取铯铅溴(CsPbBr3)多晶料；设计了改进的垂直布里奇曼法，将石英坩埚中合好的多晶料置于晶体生长炉中，使其在温度500~700℃的区域过热，随后移动加热炉膛，将石英坩埚以0.1~5mm/h的速率移动至温度为200~400℃的区域中，并在晶体生长过程中引入ACRT技术，最佳的ACRT参数为波形正反梯形，最大转速10~50rpm，平台时间10~40s，加速/减速时间1~5s。采用这一工艺，成功生长出了直径60mm的CsPbBr3大体积单晶。
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公开(公告)号：CN115056042B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210600516.4
申请日：2022-05-30
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种降低全无机CsPbBr3钙钛矿器件漏电流的表面处理方法，用于解决现有全无机钙钛矿晶体抛光方法实用性、表面以及体漏电流高的技术问题。技术方案是对CsPbBr3采用2000、3000、5000和7000目砂纸进行初步抛光之后，用微米级的MgO滴加无水乙醇抛光液进行粗抛，其次采用30nm的MgO滴加环己烷进行细抛，最后用UV‑O3对表面进行钝化，处理后的晶体表面无残留杂质，且有效降低了器件的漏电流，实用性和重复性好。
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公开(公告)号：CN110611013A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910877386.7
申请日：2019-09-17
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/467 , H01L21/67 , H01L31/0236 , B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法，用于解决现有制备的亚波长微结构形状、形貌连续可调性差的技术问题。技术方案是利用氧气作为刻蚀气体，采用反应离子刻蚀的方法对PS微球进行预刻蚀，利用氧气等离子体与PS微球的化学反应以及离子轰击效应对PS微球进行刻蚀。通过调节刻蚀工艺参数，选取射频功率范围，氧气流量范围，刻蚀气压，刻蚀时间，能够在短时间内实现对PS微球尺寸的连续可调。采用控制射频功率、刻蚀气氛，调节刻蚀自偏压，提高了ZnTe晶体的刻蚀速率。调节刻蚀工艺过程，调节参数射频功率，自偏压，刻蚀气氛，刻蚀气压，刻蚀时间范围，实现对亚波长微结构形状的调节。
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