公开(公告)号：CN107735869A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680010693.X

申请日：2016-02-03

申请人： 瑞德兰科技有限公司

发明人： U·埃尔-哈纳尼 ,  A·登斯莫尔 ,  S·塔赫里翁 ,  G·普雷克斯 ,  V·佩鲁马尔

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L27/14696 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/1832

摘要： 本发明涉及一种制造固态辐射检测器的方法，所述方法包括使用多个研磨和抛光步骤机械地研磨和抛光半导体晶片的第一和第二表面。所述方法还包括通过使用氧等离子体使钝化氧化物层生长于所述抛光的第一和第二表面的顶部上以便钝化所述半导体晶片。将阳极接点沉积在所述第一表面顶部上的所述第一钝化氧化物层的顶部上且图案化。将单片或图案化阴极接点沉积在所述第二表面上的所述第二钝化氧化物层的顶部上。可将氮化铝封装层沉积在所述阳极接点上方且图案化以封装所述第一钝化氧化物层，同时在物理上暴露每一阳极接点的中心部分以电连接所述阳极接点。

公开(公告)号：CN107665865A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710760261.7

申请日：2017-08-30

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 廖清君 ,  胡晓宁

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L23/562 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/1832

摘要： 本发明公开了一种碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件复合结构及制备方法。本发明中的复合结构包括碲锌镉衬底、碲镉汞红外光敏芯片、硅读出电路、宝石电极基板、和宝石形变平衡层。本发明采用常规制备方法获得碲锌镉基碲镉汞焦平面模块，然后在模块的硅读出电路背面涂敷一层聚氨酯改性环氧树脂，贴上一层宝石形变平衡层，其中宝石形变平衡层厚度与宝石电极基板一致，尺寸与硅读出电路尺寸一致；然后在宝石形变平衡层上施加4～5牛顿的力，在22～28℃下固化168～192小时。采用本发明中的方法制备的复合结构有效降低间接倒焊互连碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件在低温下工作的热失配应力，减小由于热失配造成的碲镉汞芯片变形，提高器件的低温可靠性。

公开(公告)号：CN107316908A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710330199.8

申请日：2017-05-11

申请人： 黄山博蓝特光电技术有限公司

发明人： 王笑 ,  朱小莉 ,  蓝文安 ,  潘安练 ,  刘建哲 ,  徐良

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/10 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/10 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1832

摘要： 本发明涉及一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法，属于低维半导体材料光电应用技术领域。本发明所设计的选择性光探测器由n个电极和类硫硒化镉纳米带构成；所述n大于等于3；所述类硫硒化镉纳米带的化学式为CdSxSe1-x；所述类硫硒化镉纳米带上，S的含量呈梯度变化；所述x小于1。波长选择性光探测器构建方法为将梯度纳米带分散到SiO2基底上,经过光刻，热蒸发60/20nm Cr/Au,去胶后得到纳米带器件。本发明通过选择单根纳米带不同位置的电极可以得到对应的波长范围的光探测。该探测器可以应用于纳米级光电集成电路。

公开(公告)号：CN106784160A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710028985.2

申请日：2017-01-16

申请人： 南阳师范学院

发明人： 翟静 ,  崔少博 ,  侯书进 ,  栗方 ,  李春新 ,  高纪伟

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1832

摘要： 本发明公开了制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法，通过向现有的对可见光敏感的光敏材料CdSe、CdCl2和CuCl2混合物中掺杂CdTe量子点，利用CdTe量子点的量子限域效应产生红移特性，把光谱响应谱带扩展到近红外光光谱。所制备宽光谱光敏电阻对波长在450nm到900 nm之间的光敏感，具有光谱响应谱带宽的优点。

公开(公告)号：CN106784133A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611059411.3

申请日：2016-11-25

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  陈奕宇 ,  孙常鸿 ,  刘棱枫 ,  邢雯 ,  马伟平 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1832

摘要： 本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。

公开(公告)号：CN106784066A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710028915.7

申请日：2017-01-16

申请人： 南阳师范学院

发明人： 朱永胜 ,  翟静 ,  徐秀梅 ,  卢志文 ,  程艺苑 ,  严洪轩

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836

摘要： 本发明公开了制备掺杂稀土宽谱带光敏电阻的光敏材料，通过在宽谱带光敏电阻材料CdTe、CdS、CdSe中掺杂质量百分比为1%的稀土硝酸盐，提高宽谱带光敏电阻灵敏度的同时保证其稳定性，同时由于稀土硝酸盐含量低且均为轻稀土硝酸盐，对宽谱带光敏电阻的成本影响较小，具有灵敏度高、废品率低的优点。

公开(公告)号：CN106324648A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610797744.X

申请日：2016-08-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  杜迎帅 ,  李波 ,  吴宗桂 ,  李军 ,  曹雪朋 ,  胡海帆 ,  顾建平 ,  徐光明 ,  刘必成

IPC分类号： G01T1/00

CPC分类号： G01T1/247 ,  G01T1/241 ,  G01T1/2928 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1832

摘要： 本发明提出了一种半导体探测器及其封装方法。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。

公开(公告)号：CN105706246A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480045027.0

申请日：2014-05-02

申请人： 第一阳光公司

发明人： H·A·布拉德斯 ,  K·W·安德雷尼 ,  W·H·胡伯 ,  E·T·欣纳斯 ,  J·J·斯安格 ,  Y·梁 ,  J·蔡 ,  A·F·哈维森

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/065 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1828 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/065 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 提出一种光伏装置。所述光伏装置包括层叠；以及安置在层叠上的吸收体层。所述吸收体层包括硒，并且硒的原子浓度跨吸收体层的厚度非线性变化。还提出一种制作光伏装置的方法。

公开(公告)号：CN104247036A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380022112.0

申请日：2013-04-25

申请人： 法国圣戈班玻璃厂

发明人： R.莱希纳 ,  G.马诺哈兰 ,  S.约斯特

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/1832 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/1864

摘要： 本发明关于一种用于产生分层堆叠以用于制造具有Cu2ZnSn(S,Se)4类型的化合物半导体的薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积阻挡层，所述阻挡层包括被适配成阻止碱金属的扩散的材料；在所述阻挡层上沉积电极层；沉积包括金属铜、锌和锡的第一前体层；在所述第一前体层上沉积包括从硫和硒中选择的至少一个硫属元素的第二前体层；使所述前体层退火以结晶化所述化合物半导体；在所述第一和第二前体层的退火期间供应至少一种工艺气体，其中（i）在硫或者硒被包含在所述第二前体层中的情况下，另一硫属元素和/或包含另一硫属元素的化合物被包含在所述工艺气体中，或者（ii）在硫和硒被包含在所述第二前体层中的情况下，硫和/或硒和/或包含硫的化合物和/或包含硒的化合物被包含在所述工艺气体中；（i）在所述前体层的所述退火之前在所述前体层和/或所述电极层上，（ii）在所述前体层的所述退火期间在所述前体层上，和/或（iii）在所述前体层的退火之后在所述化合物半导体上沉积元素钠和/或含钠化合物，其中所述化合物半导体以这样的方式产生以使得获得在所述化合物半导体的第一边界面和第二边界面之间的明确的钠和硫深度分布。

公开(公告)号：CN103560167A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310489066.7

申请日：2013-10-17

申请人： 西北工业大学 ,  陕西迪泰克新材料有限公司

发明人： 徐亚东 ,  何亦辉 ,  杨波 ,  王涛 ,  查钢强 ,  介万奇

IPC分类号： H01L31/18 ,  G01T1/24

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/1832

摘要： 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法，用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案，然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开，形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象，同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割，实现了对光刻电极的保护，避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4～8个1×8～1×32的像素阵列条形探测器，降低了制备成本。