一种基于类偏振特征的自适应镜面高光检测方法

    公开(公告)号:CN118898617A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202411397747.5

    申请日:2024-10-09

    摘要: 本发明提供了一种基于类偏振特征的自适应镜面高光检测方法,包括:步骤S1,针对目标工件,采集不同偏振角度下的偏振强度图像形成多通道偏振图像集合并求解得到多维图像特征数据集;步骤S2,采用Canopy算法对多维图像特征数据集进行初聚类得到初始聚类中心,随后基于初始聚类中心,采用K‑means算法对多维图像特征数据集进行细聚类得到图像特征数据集分类结果;步骤S3,基于高光判定规则生成感兴趣区域;步骤S4,标记感兴趣区域内所有的第一连通域以及感兴趣区域外与各第一连通域相邻近且属于同一类的第二连通域,并基于区域判定规则筛选得到镜面‑漫反射过渡区域包含至感兴趣区域内。有益效果是本发明能够实现对镜面‑漫反射过渡区域的准确定位。

    一种滤波通道组合定制的光谱重构方法

    公开(公告)号:CN118777230A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411281117.1

    申请日:2024-09-13

    IPC分类号: G01N21/27

    摘要: 本发明提出一种滤波通道组合定制的光谱重构方法,旨在减少重构过程中的数据冗余,该方法通过最小化双目标函数来实现:一个目标函数是场景与滤波通道在sRGB色彩空间中的红绿蓝分量差异;另一个函数是滤波通道之间的相关性;其次,将定制的滤波通道与相机集成,来捕获高信噪比的场景图像,并利用深度学习算法进行高光谱重构。相比于传统的RGB通道,我们的优化方法在重构结果上可降低均方根误差和平均相对绝对误差,且提升了峰值信噪比,从而增强了光谱重构的精度。

    超长焦深超分辨光针生成方法及其高深宽比激光直写系统

    公开(公告)号:CN116520645A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310397526.7

    申请日:2023-04-14

    IPC分类号: G03F7/20 G02B27/00 G02B27/09

    摘要: 本发明涉及一种长焦深超分辨光针生成方法及高深宽比激光直写系统,采用多焦点拼接延长焦深的特点,结合遗传算法突破传统透镜数值孔径与焦深之间的矛盾,通过超振荡透镜对入射光场进行调控,实现高数值孔径下长焦深光场,得到超越衍射极限的超长焦深超分辨光针光场;最终将这种超越衍射极限的超长焦深超分辨光针光场用来实现高深宽比激光直写加工,实现线宽小于衍射极限且加工深度有一定要求的微纳结构加工;另外,本发明产生的超长焦深超分辨光针光场不需要任何空间笨重复杂的机械结构可以直接实时获取,使高深宽比激光直写系统的架构更简单且易于系统的小型化设计。

    一种基于深度学习的平面超振荡透镜优化设计方法

    公开(公告)号:CN117148568A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310890587.7

    申请日:2023-07-20

    摘要: 本发明提供了一种基于深度学习的平面超振荡透镜优化设计方法,涉及超振荡透镜技术领域,本方法包括步骤S1:初始特征值定义在平面超振荡透镜的聚焦平面上,在聚焦平面上聚焦光斑的半高宽的值大于衍射极限时,初始定义特征值为0;在聚焦平面上聚焦光斑的半高宽小于衍射极限时,初始定义特征值为旁瓣与主瓣的比值;S2:获取超振荡透相应的特征值,构建深度学习建模的训练集和测试集,并将数据集划分为小批量;S3:构建基于卷积神经网络的超振荡特征值预测模型。本方法能够降低平面超振荡透镜设计所需算力成本,缩短优化周期,从而实现平面超振荡透镜的快速设计。

    一种基于超振荡透镜静态光片的荧光显微成像系统及方法

    公开(公告)号:CN115728925A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211508919.2

    申请日:2022-11-29

    IPC分类号: G02B21/00 G02B21/36 G02B21/02

    摘要: 本发明涉及一种基于超振荡透镜静态光片的荧光显微成像系统及方法,包括激发光发射装置、超振荡透镜、耗损光发射装置以及光栅光阑,观测样品位于超振荡透镜和光栅光阑之间;激发光发射装置发射偏振方向平行于超振荡透镜狭缝方向的线偏振光,所述超振荡透镜对经过的线偏振光进行调控产生高能旁瓣以及亚衍射极限光片;所述耗损光发射装置发射平行耗损光束,对平行耗损光束进行整形,整形后的平行耗损光束为仅覆盖高能旁瓣的平行耗损光束;这样就可以消除超振荡透镜产生的高能旁瓣对光片荧光显微成像的影响,实现高信噪比、大视场、分辨率增强的静态光片荧光显微成像。

    一种检测煤矿气体的红外气体传感器及其使用方法

    公开(公告)号:CN117451654A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311220607.6

    申请日:2023-09-21

    摘要: 本发明提供了一种检测煤矿气体的红外气体传感器及其使用方法,包括:安装组件和外壳;安装组件上设有光源和探测器;且光源与探测器均与微处理器电信号连接;探测器上开设有四个通道,四个通道内分别设置有测量水蒸气吸收光谱滤光片、测量甲烷吸收光谱滤光片、测量二氧化硫吸收光谱滤光片和参比吸收光谱滤光片;外壳的扣合于安装组件上,外壳的上端开设有安装孔,安装孔内设置滤网。本发明通过设置四个滤光片可以同时完成三种气体的检测,排除了水蒸气较强吸收性和气体吸收谱有交叠的问题,且有参考光路,更适合在煤矿等具有多种气体的环境中工作,使得测量的准确性更高;且将其放置于外壳中,体积更小,造价更便宜。

    一种多台阶微流道结构的工艺制备方法

    公开(公告)号:CN117800280A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311644645.4

    申请日:2023-12-04

    IPC分类号: B81C1/00 B81B7/02

    摘要: 本发明提供了一种多台阶微流道结构的工艺制备方法,包括:步骤S1,制备氧化硅掩膜层;步骤S2,制备两处第一开窗;步骤S3,腐蚀两个第一开窗下方的氧化硅掩膜层,并于光刻胶层上制备第二开窗;步骤S4,腐蚀两个第一开窗和第二开窗下方的氧化硅掩膜层,并于光刻胶层上制备第三开窗;步骤S5,腐蚀第一、第二、第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到流道结构;步骤S6,腐蚀第二、第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到深槽阶梯结构;步骤S7,腐蚀第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到浅槽阶梯结构;步骤S8,去除氧化硅掩膜层并于单晶硅上表面键合衬底进行晶圆级封装。有益效果是本发明可实现多种深度槽结构的制备。