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公开(公告)号：CN118866983A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410848777.7
申请日：2024-06-27
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气，层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层的正投影位于n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域，n‑‑GaN漂移层的正投影包括第一区域和第二区域；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至n‑‑GaN漂移层中；阳极的正投影与n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域和第二区域均交叠；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN119902167A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510150625.4
申请日：2025-02-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于VMD和稀疏贝叶斯盲分离的雷达抗间歇采样干扰方法，包括：基于雷达的发射信号模型和回波信号模型，确定间歇采样转发干扰信号，以确定单通道情况下接收机接收的混合信号；利用VMD算法将混合信号分解为P个模态分量；从P个模态分量中选取出部分模态分量并对混合信号升维，得到新的混合信号；根据新的混合信号，利用熵最小源数估计算法估计源信号个数；利用估计源信号个数及混合信号，重构多通道信号；利用多通道信号和基于稀疏贝叶斯学习的正定独立成分分析算法，恢复源信号。本发明可用于复杂电磁环境下线性调频脉压雷达抗间歇采样干扰，具有良好的干扰抑制能力，可以有效抑制间歇采样干扰并恢复被干扰的雷达调频信号。
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公开(公告)号：CN114725093B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210095232.4
申请日：2022-01-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种Si CMOS逻辑器件与GaN电力电子器件单片异质集成电路及其制备方法，包括：衬底、GaN缓冲层、第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有p‑Si层；p‑Si层上覆盖有栅介质层；栅介质层上设有第一栅电极、第二栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二栅电极的两侧分别设有第二源电极和第二漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第三源电极和第三漏电极；第一漏电极与第二漏电极通过第一金属互联条电气连接；第一栅电极与第二栅电极通过第二金属互联条电气连接。本发明的器件具有优异的高频高效率等性能。
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公开(公告)号：CN116643250A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310927805.X
申请日：2023-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于稀疏线性调频信号的宽带雷达高速目标相参积累方法，包括：获取目标回波信号并与LFM发射信号完成混频处理，得到混频回波信号；对混频回波信号进行采样处理，得到稀疏线性调频信号；计算得到稀疏线性调频信号的PSIAF，并对其进行矢量化处理，得到对应的矢量化结果；结合稀疏线性调频信号的PSIAF的矢量化结果，将稀疏线性调频信号的参数估计问题转换为压缩感知问题；利用改进的自适应匹配追踪算法求解压缩感知问题，重构得到CFCR平面内的稀疏信号；根据重构得到的CFCR平面内的稀疏信号得到目标的参数估计结果。本发明方法具有较高的参数估计精度，同时具有良好的抗干扰性能以及噪声抑制能力。
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公开(公告)号：CN114725094A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210096697.1
申请日：2022-01-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种Si‑GaN单片异质集成反相器，包括：衬底、衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层之间具有隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有Si有源层；Si有源层上覆盖有栅介质层，栅介质层上设有第一栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极；第一漏电极与第二漏电极通过第一金属互联条电气连接；第一栅电极与第二栅电极通过第二金属互联条电气连接。本发明还提供一种Si‑GaN单片异质集成反相器制备方法，本发明的反相器可实现低静态功耗、高开关频率等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768512A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110045034.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、超晶格层、第二势垒层和GaN帽层，其中，沟道层和第一势垒层之间形成第一导电沟道，超晶格层与第二势垒层之间形成第二导电沟道；阳极，设置在GaN帽层上，且其底部依次穿过GaN帽层和第二势垒层，位于超晶格层内，阳极与超晶格层形成肖特基接触；阴极，设置在GaN帽层上，且围设在阳极的外周，阴极与阳极之间存在间距，阴极与GaN帽层形成欧姆接触。本发明的基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管，增加了导电沟道，进一步提高了电子浓度，减少导通电阻。
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公开(公告)号：CN118866984A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410848778.1
申请日：2024-06-27
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至开口中，与n‑‑GaN漂移层接触；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置；钝化层，覆盖在阳极、p‑GaN层、i‑GaN层、AlGaN层、n‑‑GaN漂移层和阴极暴露的表面，钝化层包括第一开口和第二开口，第一开口暴露出所述阳极，第二开口暴露出阴极。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN118169686A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410377641.2
申请日：2024-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 本发明公开了一种基于SCICPF的SA‑ISAR成像与方位定标方法，包括：对回波信号进行去斜及FFT处理，得到高分辨距离像对高分辨距离像依次进行包络对齐和采样处理得到观测信号；基于观测信号的瞬时自相关函数得到矢量化的观测信号的第一自相关函数；基于理想回波信号在CFCR域的能量积累，得到矢量化的理想回波信号的瞬时自相关函数；基于第一自相关函数和矢量化的理想回波信号的自相关函数得到矢量化的观测信号的第二自相关函数；基于第二自相关函数中的感知矩阵，根据改进的自适应匹配追踪算法确定ISAR成像结果。本发明具有较好的噪声抑制能力与较高的定标精度。
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公开(公告)号：CN114725093A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210095232.4
申请日：2022-01-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种Si CMOS逻辑器件与GaN电力电子器件单片异质集成电路及其制备方法，包括：衬底、GaN缓冲层、第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有p‑Si层；p‑Si层上覆盖有栅介质层；栅介质层上设有第一栅电极、第二栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二栅电极的两侧分别设有第二源电极和第二漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第三源电极和第三漏电极；第一漏电极与第二漏电极通过第一金属互联条电气连接；第一栅电极与第二栅电极通过第二金属互联条电气连接。本发明的器件具有优异的高频高效率等性能。
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公开(公告)号：CN104601665B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410801915.2
申请日：2014-12-22
Applicant: 西安电子科技大学
Inventor： 王建东 , 沈玉龙 , 刘茜 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H04L29/08
Abstract: 本发明公开了一种对物联网感知设备进行云端实时仿真的系统和方法，包括物联网感知设备、物联网网关设备、云端设备仿真中心和MQTT服务器。物联网感知设备是接入传感网络的智能感知设备；物联网网关设备为异构传感网络提供接入；云端设备仿真中心包括用于接收、推送和处理仿真数据的仿真数据处理模块以及用于建立与物联网感知设备保持同步的云端仿真节点的仿真节点模块；MQTT服务器是物联网感知设备和其对应的云端仿真节点交互的中介。本发明根据物联网感知设备发送来的实时数据在云端建立一个与其对应的云端仿真节点，使云端仿真节点与物联网实体感知设备具有相同的功能，便于云端应用服务对实体传感设备的访问和操作。
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