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公开(公告)号：CN119092410A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411163401.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/16 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供了一种n型缓变掺杂沟道的金刚石场效应管及其制备方法，通过控制高纯磷烷和甲烷气体的磷碳比，以在预处理后的衬底上生长掺杂浓度缓变的金刚石掺杂外延层，使得金刚石掺杂外延层的掺杂浓度从靠近衬底一侧向上缓慢增加，从而制备出低欧姆接触电阻、高输出电流的掺杂金刚石的沟道掺杂浓度缓变的MOSFET器件。本发明避免了选择性掺杂等二次生长的工艺流程，并且能够更精确地控制掺杂浓度和掺杂层厚度，实现更高精度、更高质量的工艺水平，此外本发明的气态掺杂源能够以离化的方式实现晶格损伤更小、掺杂效率更高的金刚石外延生长，因此本发明解决了掺杂金刚石场效应晶体管器件输出电流小、阈值电压高的两个关键难题。
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公开(公告)号：CN118136722A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410124470.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种锗终端金刚石核探测器的制备方法及金刚石核探测器，通过在单晶金刚石衬底的第一面磁控溅射第一面二硫化锗薄膜，将单晶金刚石衬底置入MPCVD系统对表面进行氢等离子体处理，以在单晶金刚石衬底的第一面形成第一锗终端金刚石表面层。采用相同的工艺，在单晶金刚石衬底的第二面形成第二锗终端金刚石表面层。然后在第一锗终端金刚石表面层的上表面制备第一电极，在第二锗终端金刚石表面层的下表面制备第二电极，对当前器件表面进行氧等离子体处理形成第一氧终端和第二氧终端。本方案提供的锗终端金刚石具有良好的欧姆接触效果和金属粘附性，相较于现有的制备方法，有效减少了制备步骤，降低了工艺难度。
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公开(公告)号：CN115232615B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210720391.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法，包括：选取一定晶向的外延衬底；对衬底进行有机清洗；对清洗过后的衬底进行超声播种处理；对经过超声播种处理的衬底进行预处理；在衬底上生长微晶金刚石，并通过调整生长环境中氮气和氧气的比例调控晶粒取向，以形成具有特定晶向的微晶金刚石晶粒，从而实现硅空位色心发光强度的调控。本发明提供的制备方法不需要引入其他杂质气源，即可实现低成本、可控性强的金刚石中硅空位，避免了连续金刚石膜阻挡刻蚀硅的问题，(56)对比文件Yang, Bing;Yu, Biao;Li, Haining;Huang, Nan;Liu, Lusheng;Jiang,Xi.Enhanced and switchable silicon-vacancy photoluminescence in air-annealednanocrystalline diamondfilms.Carbon.2019,第156卷242-252.李俊鹏 等.多晶金刚石薄膜硅空位色心形成机理及调控.物理学报.2023,第72卷(第03期),336-343.王启亮;吕宪义;成绍恒;张晴;李红东;邹广田.高速生长CVD金刚石单晶及应用.超硬材料工程.2011,(第02期),1-5.刘学杰;乔海懋.硅掺杂金刚石薄膜形成过程的研究.内蒙古科技大学学报.2017,(第02期),126-130.吴高华;王兵;熊鹰;陶波;黄芳亮;刘学维.氧碳比对MPCVD法同质外延单晶金刚石的影响.功能材料.2013,(第14期),2065-2068+2073.
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公开(公告)号：CN116313745A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310027177.X
申请日：2023-01-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种改善晶格失配的硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取111面单晶硅衬底；在111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层；在单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层；对金刚石外延层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；在氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮，形成硼铝氮外延层，以形成硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结。本发明的制备方法突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，有效缓解了金刚石上硼铝氮在外延过程中的晶格畸变，减少形成的异质结界面处的表面态与悬挂键，提高了金刚石异质结的质量。
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公开(公告)号：CN119049963A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411163505.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT中低阻值欧姆接触电极的制备方法，包括：在氮化镓(GaN)异质结外延材料上光刻出源电极和漏电极欧姆区域；淀积镍金属薄层；进行退火，形成镍金属小球；以镍金属小球为掩膜，采用干法刻蚀至二维电子气沟道以下，形成纳米凹槽阵列；酸洗去除镍金属小球；淀积无Au欧姆接触金属，进行退火，退火后的纳米金属柱体侧壁与二维电子气沟道直接接触形成欧姆接触，从而形成源电极和漏电极；本发明能够增大GaN HEMT中源电极和漏电极的金属电极与二维电子气沟道接触的面积，实现与Si CMOS工艺兼容的无Au源电极和漏电极欧姆接触，有效降低了欧姆接触电阻，提高了氮化镓HEMT器件的性能，降低了工艺成本，且工艺简单、易于实现、效果突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115232615A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210720391.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法，包括：选取一定晶向的外延衬底；对衬底进行有机清洗；对清洗过后的衬底进行超声播种处理；对经过超声播种处理的衬底进行预处理；在衬底上生长微晶金刚石，并通过调整生长环境中氮气和氧气的比例调控晶粒取向，以形成具有特定晶向的微晶金刚石晶粒，从而实现硅空位色心发光强度的调控。本发明提供的制备方法不需要引入其他杂质气源，即可实现低成本、可控性强的金刚石中硅空位，避免了连续金刚石膜阻挡刻蚀硅的问题，无需后处理工艺，具有生长周期短、生长工艺简单、成本低、安全环保且生长稳定可控的优点。
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公开(公告)号：CN114525582A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210011087.7
申请日：2022-01-05
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石及制备方法，其制备方法包括步骤：S1、在衬底上制备金刚石成核层；S2、在金刚石成核层上外延生长晶面取向均一、且表面凹凸不平的多晶金刚石层；S3、在多晶金刚石层的凹凸不平的表面上外延生长金属铱；S4、对金属铱进行表面抛光处理，以露出多晶金刚石层与金属铱交错分布的平面，形成复合衬底；S5、在复合衬底上生长单晶金刚石。该制备方法在晶面取向均一的多晶金刚石表面即可形核，避免传统单晶金刚石异质外延过程中形核阶段对衬底直流偏压的需要，且所形成的单晶金刚石晶体取向均一，质量较高，从而实现了与现有设备的兼容，降低了工艺复杂度，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN119766896A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411916536.8
申请日：2024-12-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种指定格式的以太网协议MAC帧的生成方法，属于芯片验证技术领域，包括：基于System Verilog语言，通过class定义测试人员所需的参数、function、sequence；调用该sequence或function，以根据参数中的MAC帧类型和MAC帧参数，生成指定格式的以太网协议MAC帧。本发明整合了多种MAC帧格式并封装转换过程，可以实现快速生成和转换MAC帧的功能，有效解决了现有技术中多种MAC帧格式处理复杂的问题，显著提升了构建测试用例和搭建验证环境的效率；此外，还降低了测试人员学习多种MAC帧格式所需的成本，增强了在不同场景下的应用灵活性和实用性，具有很高的复用性和实用价值。
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公开(公告)号：CN119121157A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411175546.0
申请日：2024-08-26
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , C23C16/511 , C23C16/27 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种高迁移率的共掺杂金刚石及制备方法，包括步骤：提供未有意掺杂金刚石；在未有意掺杂金刚石表面制备氢终端结构，形成氢终端金刚石；在氢终端金刚石的氢终端结构表面制备待掺杂元素的本征薄膜；在预设温度下刻蚀本征薄膜，使得本征薄膜的待掺杂元素热扩散至氢终端结构中和未有意掺杂金刚石中并形成p型掺杂，得到共掺杂金刚石层。该制备方法可以有效修复磁控溅射对金刚石表面晶格的损伤，降低表面粗糙度，提高共掺杂金刚石的界面质量，同时在p型掺杂元素和同为p型导电的氢终端结构的共同作用下，氢终端金刚石的载流子迁移率得到大幅度提高，从而提高了共掺杂金刚石层的性能，进而可以用于制备高性能的金刚石微波功率器件。
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公开(公告)号：CN119049962A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411160340.0
申请日：2024-08-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT中欧姆接触电极的制备方法，其方法包括：在透明氮化镓晶圆材料上光刻源漏欧姆接触区域，对源漏区域进行欧姆凹槽刻蚀，淀积常规不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明的欧姆金属与沟道层氮化镓材料反应，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；酸洗去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明导电材料，与存在大量氮空位形成N型重掺杂的沟道层氮化镓材料和2DEG形成欧姆接触电极；本方法先沉积不透明欧姆金属，再沉积透明导电材料，透明材料通过N型重掺杂区域与2DEG沟道接触，解决了透明材料直接沉积在晶圆上难以形成良好欧姆接触的问题，降低了欧姆接触阻值，提高了透明氮化镓HEMT的输出电流，且工艺简单、易于实现、效果突出。
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