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公开(公告)号：CN117898733A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310873310.3
申请日：2023-07-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种生理感测装置，适于感测生物体的生理信号，前述的生理感测装置包括感测芯片、耦合式感测电极以及耦合介电叠层。耦合式感测电极与感测芯片电连接。耦合介电叠层覆盖耦合式感测电极且位于耦合式感测电极与生物体之间。耦合介电叠层包括第一介电层与第二介电层，第二介电层的介电常数高于第一介电层的介电常数，且第二介电层位于第一介电层与生物体之间。
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公开(公告)号：CN110459531B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201810908711.7
申请日：2018-08-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/60 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种芯片封装结构及其制造方法，所述芯片封装结构包括重分布线路结构层、至少一芯片及封装胶体。重分布线路结构层包括至少一重分布线路、电连接重分布线路的至少一晶体管以及电连接重分布线路与晶体管的多个导电通孔。芯片设置于重分布线路结构层上，且与重分布线路结构层电连接。封装胶体设置于重分布线路结构层上，且至少包覆芯片。另提供一种芯片封装结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN108231883B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201710071802.5
申请日：2017-02-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种晶体管装置包括半导体材料层、栅极层以及绝缘层。半导体材料层一体地包括第一导电部、第二导电部、通道部以及第一凸出部。通道部位于第一导电部与第二导电部之间。通道部具有第一边界、第二边界、第三边界与第四边界，其中第一边界与第一导电部邻接，第二边界与第二导电部邻接，而第三边界与第四边界连接第一边界与第二边界的端点。第一凸出部由通道部的第三边界向外凸出。栅极层横越并重叠通道部。栅极层的第一栅极边界与第二栅极边界重叠于通道部的第一边界与第二边界。绝缘层设置于栅极层与半导体材料层之间。
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公开(公告)号：CN110504252A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201811208060.7
申请日：2018-10-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开一种系统封装(system in package；SiP)结构及其静电放电防护结构。静电放电防护结构包括重分布层以及第一晶体管阵列。重分布层具有第一电极以及第二电极。第一晶体管阵列耦接至至少一集成电路的引脚端、第一电极以及第二电极。第一晶体管阵列具有多个晶体管，晶体管中的多个第一晶体管相互并联耦接，晶体管中的多个第二晶体管相互并联耦接。第一晶体管以及第二晶体管用以被导通以宣泄静电放电电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231883A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710071802.5
申请日：2017-02-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种晶体管装置包括半导体材料层、栅极层以及绝缘层。半导体材料层一体地包括第一导电部、第二导电部、通道部以及第一凸出部。通道部位于第一导电部与第二导电部之间。通道部具有第一边界、第二边界、第三边界与第四边界，其中第一边界与第一导电部邻接，第二边界与第二导电部邻接，而第三边界与第四边界连接第一边界与第二边界的端点。第一凸出部由通道部的第三边界向外凸出。栅极层横越并重叠通道部。栅极层的第一栅极边界与第二栅极边界重叠于通道部的第一边界与第二边界。绝缘层设置于栅极层与半导体材料层之间。
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公开(公告)号：CN114203673B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010986266.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种重布线结构及其形成方法，其中该重布线结构包括：第一重布线层。第一重布线层包括介电层；至少一导体结构，位于所述介电层中，所述至少一导体结构具有宽度L；以及至少一虚设结构，位于所述至少一导体结构旁，且位于所述介电层中，且所述虚设结构具有宽度D，其中所述虚设结构与所述至少一导体结构之间具有间隙宽度S，且所述第一重布线层的平坦度DOP大于或等于95%，其中DOP=[1‑(h/T)]×100%，h是指所述介电层的顶表面的最高的高度与最低的高度之间的差；以及T是指所述至少一导体结构的厚度。
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公开(公告)号：CN115732898A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210224578.X
申请日：2022-03-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种封装结构、天线模块以及探针卡。封装结构包括连接构件以及设置在连接构件上的第一重分布结构。连接构件包括连接件以及围绕连接件的绝缘层。第一重分布结构包括第一介电层、第一布线图案以及第一元件。第一介电层设置在连接构件上。第一布线图案设置在第一介电层中。第一元件设置在第一介电层上方且电连接至连接件。
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公开(公告)号：CN111370400B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201910159382.5
申请日：2019-03-04
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开一种静电放电防护装置与具有电容的整合被动组件。所述静电放电防护装置包括配置在封装的重布线层结构中的晶体管、阻抗以及电容。晶体管的第一端与第二端分别耦接至重布线层结构的第一电力轨线与第二电力轨线。阻抗的第一端耦接至第一电力轨线。阻抗的第二端耦接至晶体管的控制端。电容的第一端耦接至阻抗的第二端。电容的第二端耦接至第二电力轨线。
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公开(公告)号：CN111603746A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910136769.9
申请日：2019-02-25
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种游泳姿势校正方法及系统，适于由计算装置利用至少两个重力传感器校正泳者的游泳姿势，其中重力传感器分别置于泳者实施相对划水动作的至少两个肢体的端部。此方法取得泳者的身体参数，以获取适于此身体参数实施一游泳姿势的协调性参考指标，并利用重力传感器监测所述肢体的划水动作，以获得肢体实施划水推进动作的时序图，然后分析时序图以计算泳者的协调性指标，以及将所计算的协调性指标与协调性参考指标比对，以根据比对结果提示校正游泳姿势。
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