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公开(公告)号：CN103249789A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180058705.3
申请日：2011-10-04
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09G1/04 , G09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： 本发明涉及含水抛光组合物，其包含：(A)磨料颗粒和(B)选自水溶性或水分散性表面活性剂的两亲性非离子表面活性剂，所述表面活性剂具有：(b1)选自具有10-18个碳原子的支化烷基的疏水基团；和(b2)选自聚氧化烯基团的亲水基团，所述聚氧化烯基团包含：(b21)氧化乙烯单体单元和(b22)取代氧化烯单体单元，其中取代基选自烷基、环烷基或芳基、烷基-环烷基、烷基-芳基、环烷基-芳基和烷基-环烷基-芳基，所述聚氧化烯基团含有呈无规、交替、梯度和嵌段分布的单体单元(b21)和(b22)；使用所述含水抛光组合物将具有图案化或未图案化低k或超低k电介质层的基材CMP的方法；和所述含水抛光组合物在生产电、机械和光学器件中的用途。
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公开(公告)号：CN105304057B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510907055.5
申请日：2015-12-09
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3225 , G11C19/28
CPC分类号： G11C19/186 , G09G1/02 , G09G3/20 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G11C19/28
摘要： 本发明公开了一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路，以解决现有技术的移位寄存器的输出信号的脉冲宽度无法灵活调节的问题。所述移位寄存器，包括：输入模块，与触发信号线、第一时钟信号线和第一节点电连接，用于控制触发信线提供的触发信号是否输出到第一节点；控制模块，与第一节点、第二节点、第一时钟信号线、第二时钟信号线和导通信号线电连接，用于控制导通信号是否输出到第二节点；输出模块，与第一节点、第二节点、高电平信号线、低电平信号线和驱动信号输出线电连接，用于响应于第一节点和第二节点的信号，选择高电平信号或低电平信号作为驱动信号并提供至驱动信号输出线。从而实现根据触发信号灵活调整输出信号的脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN105304057A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510907055.5
申请日：2015-12-09
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3225 , G11C19/28
CPC分类号： G11C19/186 , G09G1/02 , G09G3/20 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G11C19/28
摘要： 本发明公开了一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路，以解决现有技术的移位寄存器的输出信号的脉冲宽度无法灵活调节的问题。所述移位寄存器，包括：输入模块，与触发信号线、第一时钟信号线和第一节点电连接，用于控制触发信线提供的触发信号是否输出到第一节点；控制模块，与第一节点、第二节点、第一时钟信号线、第二时钟信号线和导通信号线电连接，用于控制导通信号是否输出到第二节点；输出模块，与第一节点、第二节点、高电平信号线、低电平信号线和驱动信号输出线电连接，用于响应于第一节点和第二节点的信号，选择高电平信号或低电平信号作为驱动信号并提供至驱动信号输出线。从而实现根据触发信号灵活调整输出信号的脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN103773247B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310495424.5
申请日：2013-10-21
申请人： 气体产品与化学公司
发明人： 史晓波 , J·E·Q·休斯 , 周鸿君 , D·H·卡斯蒂略二世 , 秋在昱 , J·A·施吕特 , J-A·T·施瓦茨 , L·L·恩巴赫 , S·C·温切斯特 , S·尤斯马尼 , J·A·马西拉
IPC分类号： H01L21/304 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , B24B1/00 , C01F17/00 , C01F17/0043 , C01P2004/52 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
摘要： 本发明应用了从氧化铈颗粒、氧化铈浆料或用于浅沟槽隔离（STI）工艺的化学机械抛光（CMP）组合物除去、减少或处理痕量金属污染物和较小的细氧化铈颗粒的方法。使用处理的化学机械抛光（CMP）组合物、或通过使用处理的氧化铈颗粒或处理的氧化铈浆料制备的CMP抛光组合物来抛光含至少含有二氧化硅薄膜的表面的基底以用于STI（浅沟槽隔离）加工或应用。由于在浅沟槽隔离（STI）CMP抛光中减少了痕量金属离子污染物和减少非常小的细氧化铈颗粒，已经观察到与纳米尺寸的颗粒相关的缺陷的减少。
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公开(公告)号：CN103249789B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180058705.3
申请日：2011-10-04
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09G1/04 , G09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： 本发明涉及含水抛光组合物，其包含：(A)磨料颗粒和(B)选自水溶性或水分散性表面活性剂的两亲性非离子表面活性剂，所述表面活性剂具有：(b1)选自具有10-18个碳原子的支化烷基的疏水基团；和(b2)选自聚氧化烯基团的亲水基团，所述聚氧化烯基团包含：(b21)氧化乙烯单体单元和(b22)取代氧化烯单体单元，其中取代基选自烷基、环烷基或芳基、烷基-环烷基、烷基-芳基、环烷基-芳基和烷基-环烷基-芳基，所述聚氧化烯基团含有呈无规、交替、梯度和嵌段分布的单体单元(b21)和(b22)；使用所述含水抛光组合物将具有图案化或未图案化低k或超低k电介质层的基材CMP的方法；和所述含水抛光组合物在生产电、机械和光学器件中的用途。
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公开(公告)号：CN103773247A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310495424.5
申请日：2013-10-21
申请人： 气体产品与化学公司
发明人： 史晓波 , J·E·Q·休斯 , 周鸿君 , D·H·卡斯蒂略二世 , 秋在昱 , J·A·施吕特 , J-A·T·施瓦茨 , L·L·恩巴赫 , S·C·温切斯特 , S·尤斯马尼 , J·A·马西拉
CPC分类号： C09G1/02 , B24B1/00 , C01F17/00 , C01F17/0043 , C01P2004/52 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
摘要： 本发明应用了从氧化铈颗粒、氧化铈浆料或用于浅沟槽隔离（STI）工艺的化学机械抛光（CMP）组合物除去、减少或处理痕量金属污染物和较小的细氧化铈颗粒的方法。使用处理的化学机械抛光（CMP）组合物、或通过使用处理的氧化铈颗粒或处理的氧化铈浆料制备的CMP抛光组合物来抛光含至少含有二氧化硅薄膜的表面的基底以用于STI（浅沟槽隔离）加工或应用。由于在浅沟槽隔离（STI）CMP抛光中减少了痕量金属离子污染物和减少非常小的细氧化铈颗粒，已经观察到与纳米尺寸的颗粒相关的缺陷的减少。
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