公开(公告)号：CN104377312B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201410403553.1

申请日：2014-08-15

申请人： 剑桥显示技术有限公司

发明人： G·安德森 ,  G·威廉姆斯 ,  D·福赛西 ,  L·伯姆伯尔

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明涉及膜轮廓。一种光电器件包括第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的半导电材料，以及限定包围表面层区域的阱的电绝缘堤部结构，表面层区域包括所述第一电极，该器件具有光腔，包括：完全光反射层；部分光反射层；以及包括至少一个可溶液加工层的层结构，该层结构包括半导电材料并且位于完全光反射层和部分光反射层之间。表面层区域包括一个反射层并且可溶液加工层位于表面层区域上以及侧壁的第一斜坡和第二斜坡上。将完全光反射层和部分光反射层布置成为层结构中生成的光提供谐振腔，并且侧壁具有从表面层区域延伸的第一斜坡和从第一斜坡延伸的更陡的第二斜坡。

公开(公告)号：CN106188503B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201610563043.X

申请日：2012-01-26

申请人： 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： J·皮洛

IPC分类号： C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  C07C13/567 ,  H01L51/54 ,  H05B33/14 ,  C07C35/52 ,  C07C25/22

CPC分类号： H01L51/0043 ,  C07C25/22 ,  C07C35/52 ,  C07C2603/18 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/5222 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  H01L51/0039 ,  H05B33/14

摘要： 本发明涉及聚合物，特别是用于有机发光器件的聚合物，其包含式(I(a))的非对称取代的重复单元：其中R7代表通过非芳族碳原子与芴环的9‑碳原子结合的取代基，R8、R9和R11在每次出现时独立地代表H或取代基，条件是至少一个R8不是H；R10在每次出现时独立地为取代基；并且t在每次出现时独立地为0、1、2或3。R7优选为取代有一个或多个基团‑(Ar6)w的直链烷基，其中每个Ar6独立地代表任选取代的芳基或杂芳基，且w至少为1，例如1、2或3。

公开(公告)号：CN108148186A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201810099145.X

申请日：2013-01-31

申请人： 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： J·皮洛 ,  N·康韦

IPC分类号： C08G61/12 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC分类号： H01L51/5016 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G61/123 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3245 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/76 ,  C08G2261/95 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056

摘要： 包含任选取代的式(I)重复单元的聚合物：其中R1和R2在每次出现时独立地选自H或取代基；R1和R2可以连接形成环；并且A是任选取代的直链、支化或环状的烷基。

公开(公告)号：CN104870414B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201380067717.1

申请日：2013-12-23

申请人： 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： P·斯塔克豪斯 ,  S·海登海因 ,  R·佩京顿 ,  J·皮洛 ,  M·汉弗莱斯 ,  吉田大泰

IPC分类号： C07C35/00 ,  C08G61/12 ,  H01B1/00 ,  H01L51/00 ,  C09K11/00 ,  C07D235/00 ,  H05B33/00

CPC分类号： H01L51/0035 ,  C08G61/12 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1414 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/95 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/56

摘要： 一种共聚物，其包含式(I)的重复单元和至少一种另外的重复单元：其中：Ar1和Ar2各自独立地选自芳基和杂芳基，所述芳基和杂芳基各自独立地是未取代的或取代有一个或多个取代基；每个R独立地是取代基；每个n独立地是0、1或2；每个m独立地是0、1、2或3，并且聚合物的重复单元中的至少一个是部分共轭的重复单元。

公开(公告)号：CN105190924B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480013911.6

申请日：2014-03-12

申请人： 剑桥显示技术有限公司

发明人： C·纽萨姆

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： 用于制备有机电子器件的半导体层的共混物，该共混物包含聚合物、第一非聚合物半导体、第二非聚合物半导体和第三非聚合物半导体。该共混物使得能够实现更高浓度的半导体溶液以及更宽的溶液加工窗口，相比于包含一种聚合物和一种非聚合物半导体的共混物而言。例如，包含F8‑TFB和三种不同的取代苯并噻吩衍生物的共混物与具有一种聚合物和这些苯并噻吩衍生物之一的共混物相比在OTFT中显示出高三倍的平均饱和迁移率以及在60℃、80℃和100℃干燥之后一致的峰值饱和迁移率，即使在2分钟的延迟之后。

公开(公告)号：CN103849375B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310628213.4

申请日：2013-11-29

申请人： 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： F·雅各布森 ,  C·尼尔森 ,  J·皮洛 ,  F·迪斯塔西奥 ,  E·斯内登

IPC分类号： C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/56 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/342 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/5242 ,  C08G2261/95 ,  C08L65/00 ,  C08L2205/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14

摘要： 本发明涉及有机发光组合物、器件和方法。发光组合物，其包含下述的混合物：荧光发光材料，含有三重态‑接受重复单元和式(I)重复单元的三重态‑接受共聚物:其中A是二价基团；R1在每次出现时独立地为取代基；R2在每次出现时为H或取代基；以及x在每次出现时独立地为0、1、2或3。

公开(公告)号：CN107075089A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580057233.8

申请日：2015-10-20

申请人： 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： J·皮罗 ,  M·哈姆弗里斯

IPC分类号： C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C09D165/00 ,  C08L65/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

摘要： 包含式(I)的重复单元的聚合物：其中R1在每次出现时独立地为H或取代基；R2在每次出现时独立地为取代基；并且x为0、1、2或3。该聚合物可用作有机发光器件中的发光聚合物。

公开(公告)号：CN104037336B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410079571.9

申请日：2014-03-06

申请人： 剑桥显示技术有限公司

发明人： L·斯卡利恩 ,  A·弗莱斯纳 ,  C·贝克

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/5088 ,  C08G73/0266 ,  C08G73/0611 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3422 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/794 ,  C08G2261/95 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5361

摘要： 本发明涉及有机电子器件及其制备方法。一种包含金属阳极和空穴注入层的有机电子器件，所述器件进一步包含介于所述金属阳极和空穴注入层之间的SAM，该SAM包含化合物，所述化合物具有能够吸附到金属阳极的表面上的结构部分和亲水的结构部分，以及制造所述器件的方法。SAM优选地由具有亲水尾部的硫代化合物组成。优选的实例包括具有6-24个碳原子的硫代烷烃和硫代烯烃衍生物以及在一个或多个芳族环中具有5-14个碳原子的硫代芳族衍生物。在每种情形中，所述衍生物被选自羟基、羧基和羰基的亲水基团取代。最优选地，具有亲水尾部的所述硫代化合物是11-巯基-1-十一醇或4-苯硫酚。

公开(公告)号：CN103180989B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180050392.7

申请日：2011-10-18

申请人： 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： J·皮洛 ,  M·汉弗莱斯 ,  S·金

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/5203 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/504 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5376

摘要： 一种有机发光器件，所述有机发光器件包含阳极、阴极、介于阳极和阴极之间的发光层以及介于阳极和发光层之间的空穴传输层。所述空穴传输层包含具有三重态能级的空穴传输材料和三重态猝灭单元，该三重态猝灭单元的三重态能级低于所述空穴传输材料的三重态能级。该三重态猝灭单元选自于由下列构成的组：多芳烃例如2,6-蒽，9,10-蒽，及其衍生物；蒽嵌蒽及其衍生物；联苯乙烯芳基类及其衍生物，如联苯乙烯基苯，联苯乙烯二苯基，茋，富烯，二苯并富烯，二萘嵌苯，线性多烯烃（2至6烯）和环状多烯烃，它们中的每一个可任选地被一个或多个取代基取代。

公开(公告)号：CN104011173B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201280063824.2

申请日：2012-12-20

申请人： 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： H·米德尔顿 ,  R·J·威尔逊 ,  M·J·哈夫里斯

IPC分类号： C09K11/06 ,  H05B33/20 ,  C08G61/12 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0034 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/1624 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/334 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/5242 ,  C08G2261/95 ,  C08L65/00 ,  C09J165/00 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1433 ,  C09K2211/1475 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/5032

摘要： 发光层包含所述的发光组合物。发光组合物,其包含聚合物和磷光发光材料。该聚合物包含式(I)的共轭重复单元和至多20摩尔％的式(II)重复单元的共轭阻挡重复单元： Ar1代表芳基或杂芳基；R1是取代基,其在每次出现时可以是相同的或不同的；p是0或正整数；Ar2在每次出现时独立地代表取代或未取代的芳基或杂芳基；并且Sp1代表不在两个基团Ar2之间提供任何共轭路径的非环状间隔基团。任选地，p为0、1、2、3或4，并且每个R1是非极性取代基。每个R1有利地选