公开(公告)号：CN119256103A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042417.1

申请日：2023-06-01

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 中川康太朗 ,  太田明光 ,  长俊介

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供了一种在经FPC化时具有比以往更高的弯曲性的压延铜箔。该压延铜箔含有99.9质量％以上的Cu，剩余部分由不可避免的杂质构成，并且在经以260℃的干燥器的器内温度、30分钟的加热保持时间进行热处理时，在任意1点以及沿压延垂直方向与该点分别等间隔距离5mm的2点即共计3点测量的Taylor因子的算术平均值为2.485以下。

公开(公告)号：CN119220940A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411358725.8

申请日：2018-03-16

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 大月富男 ,  守井泰士

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种溅射靶及其制造方法，该溅射靶是靶部和背衬板部均包含铜和不可避免的杂质的一体型溅射靶，该溅射靶的维氏硬度Hv为90以上，并且与溅射面正交的截面的晶粒的扁平率为0.35以上且0.65以下。

公开(公告)号：CN119053723A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380034882.0

申请日：2023-06-01

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 姜建宇

IPC: C22F1/08 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种滑动弯曲耐折性高的铜箔、以及使用其的覆铜叠层板及柔性印刷线路板。本发明是一种立方体取向{001} 的面积率为92％以上的铜箔、以及使用其的覆铜叠层板及柔性印刷线路板。

公开(公告)号：CN114182216B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202110422866.1

申请日：2021-04-20

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 宗安慧 ,  长田幸三 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及Cu‑W‑O溅射靶和氧化物薄膜。一种Cu‑W‑O溅射靶，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的溅射靶，其中，所述Cu‑W‑O溅射靶的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。一种氧化物薄膜，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的薄膜，其中，W和Cu的含有比率以原子比计满足0.5≤W/(Cu+W)＜1。本发明的课题在于，提供一种能够形成功函数高的膜并且体积电阻率低的溅射靶。

公开(公告)号：CN118765335A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202380023801.7

申请日：2023-03-15

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 坂东慎介 ,  石野裕士

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H05K1/03

Abstract: 课题：提供一种电路直线性良好且适合于微细电路的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层压体、柔性印刷基板及电子器件。解决手段：一种柔性印刷基板用铜箔，其是含有99.96质量％以上的Cu，其余部分由不可避免的杂质构成的压延铜箔，进行300℃×30分钟热处理，对上述压延铜箔的压延面的测量视野150μm×150μm进行EBSD测量，将方位差5°以上视为晶界时的结晶粒径的标准偏差为3.0μm以下。

公开(公告)号：CN118547183A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410623335.2

申请日：2020-03-24

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 藤野慎平 ,  野末贵裕

IPC: C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明涉及铜合金、伸铜品及电子机器零件。具体地，本发明提供一种光泽度高且焊接性良好的铜合金以及使用其的伸铜品及电子机器零件。本发明的铜合金为含有合计0.5～5.0质量％的Ni及Co中的1种以上，0.1～1.2质量％的Si，其余部分由铜及不可避免的杂质构成的轧制材，沿与轧制方向成直角的方向测定的表面的表面粗糙度Rsk为‑0.50～0.70，沿与轧制方向平行的方向测定的表面的60度光泽度G60RD为200以上。

公开(公告)号：CN118302550A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202380014413.2

申请日：2023-01-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 中妻宗彦

IPC: C22C9/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/10 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02

Abstract: 本发明的课题为提供一种强度高且抑制切割时产生毛边的带状铜合金材。本发明的带状铜合金材由超过0.1质量％的Si、Ni，以及余量铜及不可避免的杂质所构成，且通过规定的方法所测得的0.2％保证应力为550MPa以上，且通过规定的方法所测得的于400℃加热30分钟后于大气环境中静置并在铜合金的温度降低至室温时的断裂伸长率为10％以下。

公开(公告)号：CN113817993B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202111090388.5

申请日：2018-08-16

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 清水正义 ,  岩渊靖幸 ,  增田爱美

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  B22F3/14 ,  B22F3/105 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  G11B5/73 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体，其中该溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。

公开(公告)号：CN118176312A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202380014095.X

申请日：2023-01-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 中村祐太

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供一种电子材料用铜合金，其中，Ni的量为1.0质量％以下，含有0.5～2.5质量％的Co，以按质量比例计(Ni+Co)/Si为3～5的方式含有Si，余量由铜以及不可避免的杂质组成，在轧制垂直方向上伸长且板厚减少的平面应变下的平均Taylor因子为3.5以下，结晶粒径为10μm以下，轧制方向的0.2％屈服强度为700MPa以上，轧制方向的导电率为50％IACS。

公开(公告)号：CN118077322A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280067860.X

申请日：2022-10-20

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 大理友希 ,  山本悠贵友 ,  横山浩平

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/01 ,  H01F1/14

Abstract: 本发明提供一种对低频率区域的屏蔽特性良好的电磁波遮蔽材料。是一种具有强磁性层与非磁性导电金属层进行层叠而成的结构体的电磁波屏蔽材料，其中，在非磁性导电金属层的至少一侧的表面上还具有含有合金的处理膜，并且该合金包含铜和镍。