公开(公告)号：CN101197379A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710198817.4

申请日：2007-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  崔正达

IPC: H01L27/115 ,  G06F13/00

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种非易失性存储器件包括多个串联的存储晶体管，其中源/漏区和其间的沟道区是第一类型，以及在该多个串联的存储晶体管的每个端部的选择晶体管，其中该每个选择晶体管的沟道区是第一类型。该第一类型可以是n－型或p－型。该非易失性存储器还可以包括在一个选择晶体管和多个串联的存储晶体管之间的多个串联的存储晶体管一端的第一虚拟选择晶体管，以及在另一选择晶体管和多个串联的存储晶体管之间的多个串联的存储晶体管的另一端的第二虚拟选择晶体管。

公开(公告)号：CN1630058A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101909.2

申请日：2004-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张永官 ,  李昌炫 ,  金载勋

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115

Abstract: 公开了一种具有自对准栅导电层的半导体器件及其制造方法。在本发明的某些实施例中，在半导体衬底上形成多个场隔离图形，以在半导体衬底中限定多个有源区。然后通过例如热退火工艺增加场隔离图形的密度。然后在各个有源区上形成多个栅绝缘图形。然后在各个栅绝缘图形上形成多个第一导电图形。

公开(公告)号：CN1496031A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03158717.8

申请日：2003-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金赞烈 ,  金昌东 ,  李昌炫 ,  高俊豪 ,  五润济

IPC: H04B10/04 ,  H04B10/06 ,  H04B10/20

CPC classification number: H04J14/0226 ,  H04B10/1149 ,  H04J14/0232 ,  H04J14/0247 ,  H04J14/0252 ,  H04J14/0282

Abstract: 一种光用户网络系统。所述光用户网络系统包括服务器侧双向光发射机和用户侧双向光接收机。服务器侧双向光发射机包括：第一半导体激光器，发射数字广播信号；第二半导体激光器，发射下行因特网数据；服务器侧光电二极管，接收上行因特网数据；带通滤波器，安装在服务器侧光电二极管之前，惟一选择上行因特网数据；多分支光波导元件，选择输入/输出数据。用户侧双向光接收机包括：用户侧多分支光波导元件，接收/选择从服务器侧双向光发射机发射过来的数据；第一光电二极管，接收从服务器侧双向光发射机发射过来的数字广播数据；第二光电二极管，接收从服务器侧双向光发射机发射过来的下行因特网数据；用户侧半导体激光器，针对上行因特网数据。