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公开(公告)号：CN112415690A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011448187.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/44
Abstract: 本发明提供一种无损耗光纤引入真空保护装置及真空设备。保护装置包括紧固螺帽、弹性密封塞、管状接头、金属软管及保护内管；弹性密封塞一端嵌设于管状接头内，另一端嵌设于紧固螺帽内，管状接头部分嵌设于紧固螺帽内且两者螺纹配合；保护内管穿过紧固螺帽、弹性密封塞及管状接头的通孔并向两侧延伸到紧固螺帽及管状接头的外部；金属软管套设于保护内管未与紧固螺帽、弹性密封塞及管状接头相套叠的部分；光纤设置于保护内管中。本发明在将真空端与大气端隔离的同时，可以避免挤压的应力直接作用在光纤上，由此可以避免光纤的折损，可以为光纤在真空‑空气界面的无损光传输提供可靠的手段。
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公开(公告)号：CN111933349A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010838618.0
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温超导薄膜，包括：n层电隔离层及n+1层超导材料层，所述超导材料层与所述电隔离层依次交替叠置；通过改变各超导材料层的厚度调整所述低温超导薄膜的超导转变温度，所述低温超导薄膜的总厚度在相干长度比拟范围内；其中，各超导材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。本发明的低温超导薄膜基于多层超薄的超导材料层及电隔离层调控低温超导薄膜的转变温度，通过调整单层超导材料层的厚度得到不同转变温度的超导材料，调控精度高、操作简单；本发明的低温超导薄膜的超导转变温度原则上与单层超导薄膜的转变温度一致，从而远小于体超导或较厚超导薄膜的转变温度。
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公开(公告)号：CN111697300A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010401712.X
申请日：2020-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于低温互连的多通道传输结构，包括主体部分和接头部分，所述主体部分包括上层、中层和下层，所述上层和下层分别附着在所述中层的上表面和下表面；所述上层为互相平行、且间距相等的N条金属带，所述中层为介质基板，所述下层为金属膜；所述接头部分包括N个接头，所述N个接头分别与所述N条金属带相连接；所述金属带的宽度与所述接头内导体的直径相同；所述主体部分的下层与每个接头的连接处设有开窗。本发明还涉及一种用于低温互连的多通道传输线。本发明能够实现低温环境的高速低能耗传输。
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公开(公告)号：CN110718841A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910926337.8
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S3/08
Abstract: 本申请提供一种片上集成硅基微球腔的制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，SOI基片包括顶部的器件层，底部的支撑层和位于器件层和支撑层之间的氧化层，器件层为Si层,氧化层为SiO2层，支撑层为Si层；采用匀胶机在器件层上旋涂光刻胶层；采用光刻机曝光后显影，将设定大小的圆形图案转移到光刻胶层上；在器件层上依次刻蚀出顶部硅柱和底部硅柱，其中底部硅柱的顶面直径小于顶部硅柱的直径，顶部硅柱为圆柱结构；去除光刻胶层；顶部硅柱结构经过激光辐照加热熔化设定时间后，顶部硅柱结构形成球形微腔。本申请实施例提供的硅基微球腔的制备方法通过在SOI基片上刻蚀顶部硅柱和底部硅柱获得的球形微腔粗糙度很小，品质因子Q值很高。
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公开(公告)号：CN106549098B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201510593967.X
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种窄带吸收超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；多层薄膜滤波器，位于所述高反膜的表面，且所述多层薄膜滤波器的底层薄膜层包覆所述超导纳米线。本发明的窄带吸收超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底制备超导纳米线，通过正面耦合可以将光直接照射到超导纳米线上，可以避免光学腔体结构超导纳米线单光子探测器件中远距离聚焦的问题，进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，且对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，纳米线上方的多层薄膜滤波器具有非目标波长滤波功能，可过滤入射光中的杂散光，进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107910400B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201711101757.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的超导纳米线单光子探测器保证器件材料层薄膜具有一定厚度的同时，可以降低器件材料的临界温度，并保证了器件材料的均一性及较小的转换温度宽度，提高器件的探测效率。
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公开(公告)号：CN109633491A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061775.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/0023 , G01C1/00 , G01C21/16
Abstract: 本发明提供一种全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，所述标定装置包括：激励源，电连接于所述激励源的标定源，设于所述标定源下方的无磁安置台，设于所述标定源一侧的安装支架，设于所述安装支架上的全张量磁梯度测量组件，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件的组合惯导，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述组合惯导的测控组件，及设于所述标定源一侧的姿态调整装置。通过本发明提供的全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，解决了现有技术无法提供一种简单、便捷的标定装置及标定方法的问题。
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公开(公告)号：CN109633490A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061718.4
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
CPC classification number: G01R33/0023
Abstract: 本发明提供一种全张量磁梯度测量组件标定系统及标定方法，所述系统包括：激励源；电连接于激励源的标定源，用于在激励源的驱动下产生标定磁场；设于标定源下方的无磁转台，用于对标定源进行角度调整；设于标定源一侧的安装支架，用于提供安装平台；设于安装支架上的全张量磁梯度测量组件，用于测量标定源在全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；电连接于全张量磁梯度测量组件的测控组件，用于采集磁场梯度值并存储；设于标定源一侧的姿态调整装置，用于固定安装支架并通过对安装支架进行定点转动以对全张量磁梯度测量组件进行姿态调整。通过本发明解决了现有技术无法提供一种简单、高效的标定系统及标定方法的问题。
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公开(公告)号：CN109521282A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811368721.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十九研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明提出一种基于微波光学调制器的微波单量子探测器，包括微波信号输入装置、低噪声放大器、微波滤波器、激光器、微波光子转换器、光学滤波器、光子可控衰减器和单光子探测器。本发明基于微波光学调制器，将微波信号上转换为光学信号，实现微波单量子探测。本发明基于微波光学调制器的微波单量子探测器，在微波信号输入装置处输入微波信号，微波信号经过放大滤波、电光转换，光子滤波，进入光子探测器，得到单光子信号，用于后端的信号处理，分析输入微波信号的电磁特性。本发明具有探测效率高、计数率高、暗计数低的特点，所有器件工作在室温下，无需专用的制冷设备，无需使用加工工艺难度大的微纳机构，实现方便。
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公开(公告)号：CN106129141B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610565762.5
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/0352 , H01L31/08 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供种微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器,包括:微纳光纤及超导纳米线;所述超导纳米线位于所述微纳光纤表面,且所述超导纳米线的长度方向与所述微纳光纤的长度方向致。本发明将超导纳米线形成于所述微纳光纤表面,利用微纳光纤在微纳尺度的光传输、耦合特性,可以实现微纳光纤与超导纳米线的直接高效光耦合,提高了超导纳米线单光子探测器的光耦合效率;超导纳米线的有效面积与传统器件相比不受光纤端面尺寸限制,可以减小超导纳米线的长度,从而有效降低超导纳米线单光子探测器的动态电感,进而提高超导纳米线单光子探测器的速率;超导纳米线直接形成于所述微纳光纤的表面,提高了超导纳米线单光子探测器长期工作的稳定性。
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