公开(公告)号：CN107046095B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201611152072.3

申请日：2016-12-14

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： W.拉贝格 ,  T.武尔夫特

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： G11B5/398 ,  G01R33/0023 ,  G01R33/09 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268

摘要： 实施例涉及一种磁性传感器设备（700），其包括磁电阻结构（710）。该磁电阻结构（710）包括磁性自由层（770），其被配置成在该自由层（770）中自发地生成闭合通量磁化模式（775）。该磁电阻结构（710）还包括具有非闭合通量参考磁化模式（755）的磁性参考层（750）。该磁性传感器设备（700）还包括被配置成在磁性自由层（770）中生成偏置场的磁性偏置结构（780），该偏置场具有垂直于参考磁化模式（755）的非零磁性偏置场分量。

公开(公告)号：CN109085516A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810612839.9

申请日：2018-06-14

申请人： 艾普凌科有限公司

发明人： 挽地友生

IPC分类号： G01R33/10

CPC分类号： G01R33/0023 ,  G01R33/0005 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/129 ,  H03F2203/45116 ,  H03F2203/45151 ,  H03F2203/45528 ,  G01R33/10 ,  G01R33/0029 ,  G01R33/0041 ,  G01R33/0088

摘要： 本发明涉及磁传感器电路。磁传感器电路具有：垂直磁场传感器、水平磁场传感器、对第一测定模式和第二测定模式进行切换控制的控制电路、第一运算放大器、第一反馈电路、第二运算放大器、第二反馈电路、以及连接电路，还具备由控制电路控制来对第一反馈电路的阻抗进行切换的第一开关、对第二反馈电路的阻抗进行切换的第二开关和对连接电路的阻抗进行切换的第三开关之中的至少任一个。提供一种不使用磁会聚板且削减放大电路的占有面积并能够进行使2轴的灵敏度一致后的磁场的检测的磁传感器电路。

公开(公告)号：CN104422474B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201410446961.5

申请日：2014-09-03

申请人： 费希尔控制国际公司

发明人： D·M·库尼亚万

IPC分类号： G01D18/00 ,  G01D5/14

CPC分类号： G01R35/00 ,  G01R33/0023 ,  G01R33/0035 ,  G01R33/07

摘要： 在种用于验证从霍尔效应传感器系统中的霍尔效应传感器获得的测量值的方法中,利用具有第值的激励电流激励霍尔效应传感器。当利用具有第值的激励电流激励霍尔效应传感器时,获得与霍尔效应传感器的电压输出相对应的第测量值。另外,利用具有第二值的激励电流激励霍尔效应传感器,第二值与第值不同。当利用具有第二值的激励电流激励霍尔效应传感器时,获得与霍尔效应传感器的电压输出相对应的第二测量值。至少基于第测量值和第二测量值,验证霍尔效应传感器的操作。

公开(公告)号：CN107110918A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580051925.1

申请日：2015-07-27

申请人： 1010210 B.C.有限公司

发明人： 朱利安·保罗·卡尔松 ,  迪恩·大卫·斯盖贝尔

IPC分类号： G01R33/02 ,  G08B13/08

CPC分类号： G08B13/2491 ,  G01R33/0023 ,  G01R33/02 ,  G01V3/081 ,  G08B3/10 ,  G08B5/36 ,  G08B6/00 ,  G08B13/08 ,  G08B13/24 ,  G08B25/10

摘要： 一种近距离传感器包括产生磁场的磁体和磁场传感器。所述磁场传感器包括无线电和天线，所述天线能够在多个输出频率发射输出信号。微处理器用多个数据协议编程。每个输出频率按照至少一个数据协议操作。存在被拨动以向所述微处理器提供代码的拨码开关。数据协议由所述微处理器基于所述代码实现。存在基于由所述微处理器实现的所述数据协议编程为离散频率的MEMS振荡器。所述MEMS振荡器将所述离散频率提供给所述无线电。所述无线电设置有基于所述离散频率生成所述输出信号的单个锁相环。所述单个锁相环可以是x32复用器。

公开(公告)号：CN104204834B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380016580.7

申请日：2013-02-26

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 清水典子 ,  市村崇 ,  东贵博

IPC分类号： G01R33/02 ,  G01R29/08

CPC分类号： G01R33/0206 ,  G01R29/0878 ,  G01R33/0023 ,  G01R33/0047

摘要： 本发明提供磁场探头。磁场探头(1)的检测部(20)具备：第1布线图案(31)，其形成于多层基板(10)的第1面(16)，并相对于磁场探头(1)的轴线(3)方向具有规定的斜率 第2布线图案向具有规定的斜率 以及第1贯通通路孔(41)，其沿厚度方向贯通多层基板(10)，并将第1布线图案(31)的前端部(31b)与第2布线图案(32)的前端部(32b)连接。第1布线图案(31)的后端部(31a)与构成带状线路(80)的导体图案(84)连接，第2布线图案(32)的后端部(32b)与构成带状线路(80)的接地图案(82、83)连接。(32)，其形成于第2面(17)，并相对于轴线(3)方

公开(公告)号：CN102985838B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201080066146.6

申请日：2010-04-14

申请人： 西门子公司

发明人： P.哈姆贝格尔 ,  A.莱克莫泽尔

IPC分类号： G01R33/07 ,  G01R33/00 ,  H01F27/38 ,  H01F27/40

CPC分类号： G01R33/072 ,  G01R33/0023 ,  H01F3/12 ,  H01F27/402

摘要： 用于检测被磁通量穿过的磁芯（2）的片段（L1）中的磁特征参量、尤其是磁场强度（H1）的方法，其中磁芯（2）的磁通量的一部分（18）被分叉并且至少分段地在磁旁路部分（7）中被引导，其中旁路部分（7）的磁材料不饱和，并且其中借助于传感器设备和分析设备（8，10）从磁通量的分叉部分（18）或者由此导出的参量中确定磁特征参量（H1）。

公开(公告)号：CN105572609A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510956688.5

申请日：2015-12-18

申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学

发明人： 李裴森 ,  潘孟春 ,  赵建强 ,  陈棣湘 ,  田武刚 ,  胡佳飞 ,  张琦

IPC分类号： G01R33/09 ,  G01R33/00

CPC分类号： G01R33/093 ,  G01R33/0023

摘要： 本发明公开了一种可调量程的多铁异质磁场传感器及量程调节方法，磁场传感器包括从下至上依次排列的底层金属电极层、自由层、隔离层、钉扎层和顶层金属电极层；所述自由层为多铁异质多层结构，从下至上依次为铁电层和第一铁磁层；所述钉扎层为多层结构，从下至上依次为第二铁磁层和反铁磁层；所述自由层的铁电应力轴方向在水平投影上垂直于钉扎层的磁矩方向。量程调节方法包括向磁场传感器的铁电层施加量程切换电压V，使得铁电层产生电场应力，所述第一铁磁层受所述电场应力的作用，使得饱和磁场发生变化，从而改变磁场传感器的量程。本发明具有结构简单、体积小、可方便灵活的调整传感器量程，保证传感器在低磁场测量精度的优点。

公开(公告)号：CN105277220A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510329622.3

申请日：2015-06-15

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 艾德温·沙彭顿克 ,  皮特·范德泽 ,  法比奥·塞巴斯蒂亚诺 ,  罗伯特·H·M·范费尔德温

IPC分类号： G01D5/12

CPC分类号： G01R33/0023 ,  G01D5/145 ,  G01D5/16 ,  G01D18/004 ,  G01R33/09

摘要： 描述了一种传感器系统(100，200，300)，包括：(a)第一传感器路径(110)，包括：串联在第一供电端子(st1)和第二供电端子(st2)之间的第一感测元件(111)和第二感测元件(112)，以及设置在第一供电端子(st1)和第二供电端子(st2)之间的中间节点(in，in1)，(b)第二传感器路径(120)，包括：(b1)串联在第一供电端子(st1)和第二供电端子(st2)之间的第三感测元件(123)和第四感测元件(124)，其中第三感测元件(123)被细分为第一第三子组件(R3a)和第二第三子组件(R3b)以及第四感测元件(124)被细分为第一第四子组件(R4a)和第二第四子组件(R4b)，(b2)在第一供电端子(st1)和第二供电端子(st2)之间提供第一参考节点(rn1)，以及(b3)在第一供电端子(st1)和第二供电端子(st2)之间提供与第一参考节点(rn1)不同的第二参考节点(rn2)，以及(c)处理单元(150，250，350)：从中间节点(in，in1)接收输入信号(vinp)，从第一参考节点(rn1)接收第一参考信号(vrefp)，以及从第二参考节点(rn2)接收第二参考信号(vrefn)，以及被配置为：基于输入信号(vinp)、第一参考信号(vrefp)和第二参考信号(vrefn)来提供传感器输出信号(dout)。

公开(公告)号：CN104682945A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410404440.3

申请日：2014-08-15

申请人： 德州仪器德国股份有限公司

发明人： 薇奥拉·谢弗 ,  米哈伊尔·瓦莱尔耶维克·伊万诺夫

IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03F3/45 ,  H03F3/08 ,  G01R33/02

CPC分类号： G01R33/0041 ,  G01R33/0023 ,  G01R33/04

摘要： 本申请案涉及磁通门磁传感器读出设备。本发明呈现紧凑、低功率磁通门磁传感器读出电路及设备，其中解调器或整流器电路解调来自磁通门感测线圈的感测信号，且将经解调信号提供到放大器电路，所述放大器电路具有跨导或其它放大器及连接于放大器输入与放大器输出之间的一或多个反馈电容器以对放大器输出电流进行积分并提供指示由磁通门传感器感测的磁场的电压输出信号。

公开(公告)号：CN104321712A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201280072726.5

申请日：2012-02-28

申请人： BEI传感器及系统有限公司

发明人： 雷内·皮蒂尼耶

IPC分类号： G05F1/66 ,  G05F1/10

CPC分类号： G01R33/0023 ,  G01R33/07 ,  G05F1/563

摘要： 公开了包括可编程传感器系统的方法、系统、设备、传感器和其他实施方式，该可编程传感器系统包括可变电压源(“VVS”)和可编程传感器，所述可变电压源用以接收外部输入电压并根据输入电压提供可变输出电压，所述VVS配置成被控制为调整VVS的行为，所述可编程传感器耦合到VVS的输出端以接收可变输出电压。该传感器配置成在由VVS提供至少一个预定电平的编程电压以给传感器提供电力时进行编程，并配置成在由VVS提供常规操作电压以给传感器提供电力时执行常规传感器操作。传感器系统还包括控制器，其引起对VVS的可控调整，以便在预定时间段内提供编程电压以给传感器提供电力，从而引起对传感器进行编程。