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公开(公告)号：CN109633906A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910001062.7
申请日：2019-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： G02B27/0101 , G02B27/0018 , G02B2027/0129 , G02B2027/014 , G06K9/00597
摘要： 本申请提供一种虚拟现实设备及其图像校正方法，所述虚拟现实设备的图像校正方法包括：获取显示屏的成像光场与人眼的成像光场的函数关系；获取人眼的实际成像光场；根据所述函数关系及人眼的实际成像光场计算出显示屏的校正成像光场；对显示屏的像素进行重排，获得所述显示屏的校正成像光场。本申请中，针对不同视力，对虚拟现实设备的像素进行重排，获得显示所需的成像光场，以适合不同视力的用户，用户无需佩戴校正眼镜即可直接观看图像，不易产生眩晕感。
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公开(公告)号：CN105607247B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610005436.9
申请日：2016-01-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02B26/02
摘要： 本发明提供了一种光阀、阵列基板及显示装置，涉及微机电系统显示领域，解决了现有的MEMS显示装置难以形成显示所需的高灰阶的问题。一种光阀，包括：固定组件，所述固定组件上具有第一开口部；可移动组件，所述可移动组件上具有第二开口部，所述可移动组件与所述固定组件面对设置；控制器件，所述控制器件与所述可移动组件相连，用于控制所述可移动组件在所述可移动组件所在的面内移动，且所述第一开口部和所述第二开口部的交叠面积随着在移动方向上所移动的距离，呈非线性变化。应用于微机电显示。
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公开(公告)号：CN108279028A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810054670.X
申请日：2018-01-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种光电检测结构及其制作方法、光电检测装置。光电检测结构包括第一晶体管、第二晶体管、第一光电二极管和电阻，第一晶体管的栅极与扫描线连接，源极与电源端连接，漏极与第二晶体管的源极连接，第二晶体管的漏极与信号读取线连，第二晶体管的第一栅极与低电平信号端连接；电阻包括第二光电二极管和遮光层；第一光电二极管包括第一P型半导体层、第一本征层和第一N型半导体层，第二光电二极管包括第二P型半导体层、第二本征层和第二N型半导体层；第一P型半导体层、第二N型半导体层和第二栅极连接，第一N型半导体层与高电平信号端连接，第二P型半导体层与低电平信号端连接。本发明能在提高光电检测效率的同时，降低制作难度。
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公开(公告)号：CN104834146B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510272138.1
申请日：2015-05-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： G02F1/157 , G02F1/155 , G02F1/163 , G02F2201/44 , G09G3/2003 , G09G3/32 , G09G3/3433 , G09G3/36 , G09G3/38 , G09G2300/023 , G09G2300/04
摘要： 本发明公开了一种显示器件、其制作方法、其驱动方法及显示装置，该显示器件包括：显示面板和位于显示面板的出光侧的电致变色器件；由于电致变色器件和显示面板共用显示面板中最靠近显示面板的出光侧的第一衬底基板和第一透明电极，这样，不仅可以节约一张衬底基板，还可以省去一层透明电极的制作工序，从而可以减薄显示器件的整体厚度，简化显示器件的制作工艺，降低显示器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN107516647A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710710353.4
申请日：2017-08-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板的制作方法包括：在有源层上沉积具有多层结构的氧化硅层，其中，所述氧化硅层中的多层结构采用不完全相同的工艺条件制作；在所述氧化硅层之上沉积氮氧化硅层。通过该种结构的氧化硅层及氮氧化硅层阻挡氢向有源层中扩散，解决有源层中氢过量带来的器件短路问题。
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公开(公告)号：CN107504912A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710866721.4
申请日：2017-09-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明公开了一种厚度测试方法及装置，涉及厚度测试技术领域，能够测试任意膜厚，且提高测量精度。本发明的主要技术方案为：一种厚度测试方法，用于测试透光的待测样品的待测层厚度，包括：将待测样品置于光学器件与金属层之间，其中，光学器件包括入光面和出光面；调节向所述光学器件的入光面发射的入射光，使从光学器件的出光面出射的光强小于10-12W/m2，以得到入射光的光学参数；根据入射光的光学参数计算待测层的厚度。该厚度测试方法主要用于测试透光待测样品的待测层厚度。
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公开(公告)号：CN107315114A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710536377.2
申请日：2017-07-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明实施例公开一种电容测试单元以及电容测试方法，其中，电容测试单元包括：相对设置的非金属电极和第一金属电极以及设置在非金属电极和第一金属电极之间的介质层；非金属电极上设置有至少一个第二金属电极，第二金属电极在非金属电极上的正投影与第一金属电极在非金属电极上的正投影之间存在间隔，本发明在非金属电极上设置第二金属电极，由于非金属电极和第二金属电极之间存在电子移动，因此可以通过测量第一金属电极和第二金属电极之间的电容来获得非金属电极和金属电极之间的电容值，能够有效的测试非金属电极与金属电极之间的电容。
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公开(公告)号：CN106876480A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710297455.8
申请日：2017-04-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本发明提供了低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该低温多晶硅薄膜晶体管的有源层包括多个子单元，所述多个子单元中低温多晶硅的迁移率不同。该低温多晶硅薄膜晶体管可以有效降低漏电流同时迁移率保持较高水平。
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公开(公告)号：CN105789327A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610327210.0
申请日：2016-05-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L29/6675 , H01L29/7866 , H01L29/78696
摘要： 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够在保证薄膜晶体管电子迁移率的基础上，降低薄膜晶体管的漏电流。该薄膜晶体管包括源极、漏极以及半导体有源层，半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，非晶硅部的至少一部分位于源极和漏极之间；非晶硅部主要由非晶硅构成，多晶硅部主要由多晶硅构成。
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公开(公告)号：CN105047610A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510564851.3
申请日：2015-09-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/027 , H01L27/12 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/027 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/78633 , H01L29/78645 , H01L21/77 , H01L21/0274
摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以减少阵列基板的构图工艺数量，从而降低阵列基板的生产成本，提高生产效率和设备利用率。所述阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上依次形成第一透明导电层和金属层；采用一次构图工艺形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极。
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