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公开(公告)号：CN108766972B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810450327.7
申请日：2018-05-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板。所述薄膜晶体管的制作方法通过降低金属氧化物材料成膜时的氧含量，能够降低成膜的方块电阻率，使其满足导电材料的要求，从而能够通过金属氧化物来制作薄膜晶体管的源电极和漏电极，使得源电极和漏电极可以与有源层由同一成膜腔室制备，省去制备源电极和漏电极的成膜设备腔室，提高了薄膜晶体管的量产效率，节约了显示基板的生产成本。
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公开(公告)号：CN107134459B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201710224653.1
申请日：2017-04-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 张文林
摘要： 本发明提出了显示背板及其制作方法和显示装置。该显示背板包括：衬底，该衬底具有显示区，显示区包括像素区，像素区设置有TFT单元，且该TFT单元包括：多个触控电极，形成在衬底的一侧；缓冲层，形成在衬底的一侧且覆盖多个触控电极；第一遮光层，形成在缓冲层远离衬底的一侧，并用于使多个触控电极电连接。本发明所提出的显示背板，其触控电极集成在显示背板中，并利用遮光层实现触控电极之间的电连接，从而可使显示面板的厚度有效地降低，且将触控面板集成在显示背板上还可有效地降低其生产成本。
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公开(公告)号：CN108766972A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810450327.7
申请日：2018-05-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L27/1214 , H01L29/66265
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板。所述薄膜晶体管的制作方法通过降低金属氧化物材料成膜时的氧含量，能够降低成膜的方块电阻率，使其满足导电材料的要求，从而能够通过金属氧化物来制作薄膜晶体管的源电极和漏电极，使得源电极和漏电极可以与有源层由同一成膜腔室制备，省去制备源电极和漏电极的成膜设备腔室，提高了薄膜晶体管的量产效率，节约了显示基板的生产成本。
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公开(公告)号：CN108573983A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710144824.X
申请日：2017-03-13
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L21/82 , G06K9/00
摘要： 本发明提供了一种光学探测器，包括：依次层叠设置的第一电极、光电转换层、第二电极、第一绝缘层和第三电极的层叠结构；光学探测器还包括：有源层、栅绝缘层和栅极；第一电极或第二电极作为源极和漏极中的一个；第三电极作为源极和漏极中的另一个；栅绝缘层设置在有源层上；栅极设置在栅绝缘层上。本发明还提供一种上述光学探测器的制备方法、指纹识别传感器、显示装置。本发明可以提高光学探测器的感光区面积，从而可以提高光学探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108178624A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810004209.3
申请日：2018-01-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/08 , H01L29/786
摘要： 本申请公开了一种氧化物靶材及其制备方法、薄膜晶体管、显示装置，用以减少氧化物半导体中的氧空位缺陷，从而提高氧化物半导体迁移率。本申请实施例提供了一种氧化物靶材，所述氧化物靶材的组成元素包括：氧，铟，锌，以及钪。
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公开(公告)号：CN104795404B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510182175.3
申请日：2015-04-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02587 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L29/24 , H01L29/66969
摘要： 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法以及显示装置，上述阵列基板包括：有源层，其中，在有源层中含氧量高于预设值的位置形成有目标氧化物，目标氧化物的载流子迁移率大于有源层中其他位置的材料的载流子迁移率。根据本发明的技术方案，通过在有源层中含氧量高于预设值的位置形成有目标氧化物(例如锌基氮氧化物)，由于目标氧化物具有比有源层本身更高的载流子迁移率，可以提高该区域的载流子浓度，使得有源层整体的载流子浓度较为均匀，减少有源层载流子浓度不均造成的Mura缺陷。
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公开(公告)号：CN107134459A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710224653.1
申请日：2017-04-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 张文林
摘要： 本发明提出了显示背板及其制作方法和显示装置。该显示背板包括：衬底，该衬底具有显示区，显示区包括像素区，像素区设置有TFT单元，且该TFT单元包括：多个触控电极，形成在衬底的一侧；缓冲层，形成在衬底的一侧且覆盖多个触控电极；第一遮光层，形成在缓冲层远离衬底的一侧，并用于使多个触控电极电连接。本发明所提出的显示背板，其触控电极集成在显示背板中，并利用遮光层实现触控电极之间的电连接，从而可使显示面板的厚度有效地降低，且将触控面板集成在显示背板上还可有效地降低其生产成本。
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公开(公告)号：CN104635988A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510068329.6
申请日：2015-02-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G06F3/041
摘要： 本发明提供了一种触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置，属于显示技术领域。其中，触摸基板包括：第一信号线；与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。本发明的技术方案能够实现触摸显示面板的远距离触控功能。
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公开(公告)号：CN104020621A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410224631.1
申请日：2014-05-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L27/124 , H01L27/127
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够防止铜等金属在对透明导电薄膜进行构图工艺的过程中发生氧化，保证源极和漏极的导电能力。该种阵列基板，包括多个阵列排布的像素单元区域，所述像素单元区域包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的有源层和所述像素电极之间形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别对应所述有源层的两端，所述薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述薄膜晶体管的漏极搭接在所述像素电极之上并通过所述第二过孔连接所述有源层。
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公开(公告)号：CN103839888A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410069523.1
申请日：2014-02-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L27/1244 , H01L27/1259
摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以解决数据线发生断路后数据信号无法导通的问题，提高了阵列基板的良品率。该制备方法包括：在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线；在形成有修复导线的基板上形成包括多个过孔的隔离层；过孔与修复导线垂直对应，且沿第一方向，在任意两个相邻的源极之间的区域，至少形成有一个过孔；在形成有隔离层的基板上形成包括源极、漏极、以及与源极电连接的数据线的源漏金属层；数据线沿第一方向平行排布；任一根修复导线与一根数据线垂直对应，且数据线通过隔离层上的过孔与修复导线接触。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制造。
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