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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119050109A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119028965A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN117766470B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC: H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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公开(公告)号：CN117766470A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC: H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107544005A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710591993.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。
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公开(公告)号：CN119050091B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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公开(公告)号：CN119050091A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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