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公开(公告)号：CN203481264U
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201320498022.6
申请日：2013-08-15
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 一种白光LED的芯片，涉及半导体光电技术领域。包括P型氮化物出光面，位于透明导电层和P型氮化物出光面之间的金属扩展层。具体方法包括：提供完整的具有P型氮化物层、有源层、N型氮化物层的外延基片，刻蚀裸露N型层，并在必要区域，沉积包括电流阻挡层和金属扩展层，再生长透明导电层；并旋涂荧光层在P型出光面，最后利用剥离工艺制作打线焊盘。此芯片结构和制备方法利于提高荧光粉涂覆均匀性，有效降低白光芯片成本。
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公开(公告)号：CN203192833U
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201320113571.7
申请日：2013-03-13
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构，涉及LED外延生产技术领域，特别是GaN基绿光LED的生长技术，包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱有源层包括GaN垒层、InGaN量子阱层和变温GaN过渡层，在InGaN/GaN多量子阱有源层的GaN垒层和InGaN量子阱层之间生长低In组分的缓冲层shallowwell。本实用新型大大降低了与垒之间的应力，能够缓解量子阱、垒之间的应力差，因此量子阱中的极化电场也大大降低，在垒与量子阱之间缓冲层shallowwell使得极化电场得到降低，使得电子与空穴的波函数在空间上的分离现象得到缓解，使得有效辐射复合得到提升。
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公开(公告)号：CN214588790U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202022988667.0
申请日：2020-12-11
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本实用新型公开了半导体制造领域内的，特别涉及一种自动修正的Micro‑LED巨量转移装置。该自动修正的Micro‑LED巨量转移装置，包括弹性薄膜，其上设置有微器件；间距扩张装置，其位于弹性薄膜的一侧，该间距扩张装置包括一置放弹性薄膜的扩张平台；转移装置，其对着间距扩张装置；以及间距修正装置，其内嵌于扩张平台，包括一矩形修正台，该修正台可相对于扩张平台升降。本实用新型能够修正微器件间距误差，实现微器件间距调整。
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公开(公告)号：CN210272366U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201921492808.0
申请日：2019-09-09
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 一种集成发光Micro LED芯片，属于半导体光电技术领域，在衬底的上方依次设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，在n型掺杂GaN层上分别设置N型电极、绝缘介质掩膜层、第一、第二蓝光电致发光结构层和绿光电致发光结构层，在第一、第二蓝光电致发光结构层和绿光电致发光结构层表面分别设置P型电极；在第二蓝光电致发光结构层的透明导电层上设置红光光致发光转换层。本实用新型达到了将GaN基蓝光和绿光电致发光与红光光致发光技术集成，制作成红、绿、蓝三基色Micro LED发光单元，并且将红、绿、蓝三基色发光单元横向间隔地淀积于n型掺杂GaN层之上，并通过n型掺杂GaN层连接的效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210245534U
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201921520905.6
申请日：2019-09-09
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 一种UV LED外延结构，涉及LED外延生长技术领域和近紫外UV LED固化技术领域，自下而上包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层，多量子阱有源层包括多量子阱有源层第一、第二和第三发光层。本实用新型将三种UV波长集成在单个LED芯片上，能够有效克服现有技术的缺点。当LED芯片在正向导通时，三组量子阱层发射不同波长的紫外光。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208485950U
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201821139286.1
申请日：2018-07-18
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 一种MOCVD使用的喷淋头，属于半导体技术领域，具体涉及MOCVD外延生产技术领域，在喷淋头外表面设置有匀气网，匀气网为由相互交织的钼丝组成的具有网孔的网体，匀气网的网孔与喷淋头的孔洞相对设置，使经过喷淋头流出的气体正好经过匀气网网孔。本实用新型能很好地降低III族和V族气体在喷淋头表面的预反应，并且喷淋头表面有匀气网的包覆，即便产生反应残留物，也会首先在匀气网上沉积，喷淋头表面始终保持洁净。当匀气网沉积一定的反应残留物后只需更换另一个新的匀气网，不需对喷淋头表面进行清洁，可以大大缩短停机时间，大幅增加MOCVD机台的稼动率。
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公开(公告)号：CN205803635U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620529417.1
申请日：2016-06-03
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： C30B25/12
摘要： 一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘，涉及MOCVD外延片生产技术领域，在圆形石墨盘上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盘背面中心位置设置圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。本实用新型采用以上技术方案可增加石墨盘在此相应区域的背面到加热丝的距离，达到降低中心片位置的生长温度，从而改善因内外圈生长速率不一致造成的中心片位置波长偏短现象，提高波长命中率。
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公开(公告)号：CN205122640U
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201520830860.8
申请日：2015-10-26
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L23/544
摘要： 一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本实用新型的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
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公开(公告)号：CN204257692U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420655496.1
申请日：2014-11-05
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/46
摘要： 具有双反射层的倒装发光二极管芯片，涉及发光二极管芯片的生产技术领域，在一透明生长基板的同一侧依次设置N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上设置透明氧化物欧姆接触层，在透明氧化物欧姆接触层上设置P反射层；在局部裸露的N型半导体层上设置N反射层；P反射层和N反射层布置在透明生长基板的同一侧；P反射层由P反射金属层、第一阻挡金属层和第一Ti接触金属层组成，N反射层由N反射金属层、第二阻挡金属层和第二Ti接触金属层组成。本实用新型有助于倒装发光二极管芯片提升亮度和提高层与层之间的黏附，改善可靠性。
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公开(公告)号：CN203521455U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320654914.0
申请日：2013-10-23
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 一种LED芯片，属半导体光电子器件制造技术领域，包括依次设置的衬底层、N型氮化物层、量子阱层和P型氮化物层，还包括N金属扩展电极、P电极焊盘和N电极焊盘，其特征在于所述P电极焊盘和N电极焊盘分别设置在P型氮化物层外，所述P电极焊盘和N电极焊盘设置在同一高度上，所述N金属扩展电极的部分或全部与N型氮化物层直接接触。本实用新型方便打线，提高封装工艺的稳定性，可以大大增加LED芯片的有效发光面积，减少N电极焊盘和金属扩展电极对光的吸收，提高芯片的亮度和发光效率。
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