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公开(公告)号：CN105280800B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510698067.1
申请日：2015-10-26
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L23/544
摘要： 一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本发明的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
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公开(公告)号：CN105280800A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510698067.1
申请日：2015-10-26
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L23/544
CPC分类号： H01L33/62 , H01L23/544 , H01L33/48 , H01L33/647
摘要： 一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本发明的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
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公开(公告)号：CN103618042A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310598862.4
申请日：2013-11-25
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/10 , H01L33/14 , H01L2224/10
摘要： 一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN103618042B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310598862.4
申请日：2013-11-25
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN103456853A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310354876.1
申请日：2013-08-15
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/14 , H01L33/42 , H01L33/505
摘要： 一种白光LED的芯片及生产方法，涉及半导体光电技术领域。包括P型氮化物出光面，位于透明导电层和P型氮化物出光面之间的金属扩展层。具体方法包括：提供完整的具有P型氮化物层、有源层、N型氮化物层的外延基片，刻蚀裸露N型层，并在必要区域，沉积包括电流阻挡层和金属扩展层，再生长透明导电层；并旋涂荧光层在P型出光面，最后利用剥离工艺制作打线焊盘。此芯片结构和制备方法利于提高荧光粉涂覆均匀性，有效降低白光芯片成本。
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公开(公告)号：CN103515504A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310501616.2
申请日：2013-10-23
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/385
摘要： 一种LED芯片及其加工工艺，属半导体光电子器件制造技术领域，对外延片基片上的P型氮化物层刻蚀裸露出N型氮化物层；在P型电极焊盘区域下面制作电流阻挡层，刻蚀保留P型电极焊盘区域下面绝缘物质、N型电极焊盘和扩展电极与P型氮化物层直接接触的绝缘物质和P型氮化物和量子阱侧壁的绝缘物质；在基片表面沉积ITO薄膜，再光刻制成电流扩展层、合金，再在基片表面蒸镀金属层，剥离后部分金属层后，形成P型电极焊盘、N型电极焊盘和N金属扩展电极。产品的P电极焊盘和N电极焊盘均位于P型出光面之上，高度相同；N金属扩展电极部分或全部与部分N型氮化物层直接接触。本发明方便打线，提高氮化物基底LED芯片的亮度和光提取效率。
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公开(公告)号：CN105655461A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610000815.9
申请日：2016-01-04
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L2933/0016
摘要： 一种LED芯片及其制造方法，属于半导体领域，本发明第二金属电极下方区域外延层被刻蚀减薄，形成第二沟槽；于第二沟槽内沉积第二金属电极；第二沟槽的设置，可增加第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层的接触面积，间接降低接触电阻，进而降低LED芯片的工作电压；第二沟槽还可增加第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层接触面积，可提高第二金属电极的粘附性，进而提升LED芯片的可靠性；第二沟槽的设置使第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层间的功函数差增大，形成高阻肖特基接触，具有电流阻挡作用，可改善电流横向扩展能力，提高LED芯片电流分布均匀性，减缓LED芯片在大电流下的饱和速度，达到提升LED芯片亮度与光效的目的。
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公开(公告)号：CN205122640U
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201520830860.8
申请日：2015-10-26
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L23/544
摘要： 一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本实用新型的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
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公开(公告)号：CN203521455U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320654914.0
申请日：2013-10-23
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 一种LED芯片，属半导体光电子器件制造技术领域，包括依次设置的衬底层、N型氮化物层、量子阱层和P型氮化物层，还包括N金属扩展电极、P电极焊盘和N电极焊盘，其特征在于所述P电极焊盘和N电极焊盘分别设置在P型氮化物层外，所述P电极焊盘和N电极焊盘设置在同一高度上，所述N金属扩展电极的部分或全部与N型氮化物层直接接触。本实用新型方便打线，提高封装工艺的稳定性，可以大大增加LED芯片的有效发光面积，减少N电极焊盘和金属扩展电极对光的吸收，提高芯片的亮度和发光效率。
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公开(公告)号：CN203589085U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320747631.0
申请日：2013-11-25
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本实用新型在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。
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