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公开(公告)号：CN102373506A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010256345.5
申请日：2010-08-17
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC衬底表面形成石墨烯。应用本发明的方法能够获得连续、均匀、无褶皱的高质量石墨烯，并且由于图形衬底上每个图形的定域性好，有利于对获得的石墨烯进行器件工艺制作，有利于实现晶片尺寸的石墨烯器件和石墨烯器件的广泛应用。
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公开(公告)号：CN101503818B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910077647.3
申请日：2009-02-10
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C30B7/04
摘要： 本发明公开了一种控制溶液晶体生长速率的方法，其使用由不锈钢筛网-疏水型的微孔滤膜-不锈钢筛网组成的三层结构作为结晶器顶盖的密封件，利用其透气、不透水的功能，并通过溶液蒸发法来控制晶体生长的速率。本发明通过在结晶器顶盖采用由疏水型微孔滤膜和不锈钢筛网组成的三层结构来密封结晶器，溶剂水蒸气可以通过疏水型微孔滤膜，但是液态的水不能通过，可解决生长液的外漏问题，同时通过控制溶液温度，籽晶的截面积，微孔滤膜孔径大小、面积大小，吸附剂用量来控制晶体的生长速度，同时也保证了结晶器的密封性要求，通过设定籽晶面积、生长温度、微孔滤膜的蒸发孔径、蒸发面积和吸附剂用量，即可获得结晶质量较好的单晶体。
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公开(公告)号：CN101798706A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910077648.8
申请日：2009-02-10
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅(SiC)基底上外延生长，这种石墨烯在电子束轰击下，强制形核并可控生长。石墨烯的层数可以控制在6层以下，生成区域的平均直径可达厘米量级。制备方法采用真空脉冲电子束轰击。先将SiC去位清洗并将表面氢蚀成原子级平整度的原子台阶。在真空腔中对SiC采用脉冲电子束轰击，形成的石墨烯连成一片；旋转靶台，继续轰击，新生成的石墨烯会与先生成的合并；重复这一过程，可以制备大面积的石墨烯。扫描隧道显微镜(STM)研究表明通过本发明脉冲电子束法可以在SiC表面上形成高质量石墨烯。
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公开(公告)号：CN101567383A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810104843.0
申请日：2008-04-24
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/417 , H01L23/482 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/0485
摘要： 本发明提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构，包括在衬底碳化硅(1)上依次形成的第一层钽(Ta)膜(2)、第二层铂(Pt)膜(3)和第三层钽(Ta)膜(4)的欧姆电极，其中，第一层钽膜(2)的厚度为20－40nm，第二层铂膜(3)的厚度为20－60nm，第三层钽膜(4)的厚度为10－30nm。本发明还提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构的制造方法。本发明的欧姆电极结构在900－1200℃之间退火后可获得理想一致、接触电阻低的欧姆接触，减少了形成欧姆接触的退火过程中带来的接触层中多余的碳原子对电学性能的损害，并提供了改善的表面形貌，提高了电极稳定性。
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公开(公告)号：CN101503818A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910077647.3
申请日：2009-02-10
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C30B7/04
摘要： 本发明公开了一种控制溶液晶体生长速率的方法，其使用由不锈钢筛网-疏水型的微孔滤膜-不锈钢筛网组成的三层结构作为结晶器顶盖的密封件，利用其透气、不透水的功能，并通过溶液蒸发法来控制晶体生长的速率。本发明通过在结晶器顶盖采用由疏水型微孔滤膜和不锈钢筛网组成的三层结构来密封结晶器，溶剂水蒸气可以通过疏水型微孔滤膜，但是液态的水不能通过，可解决生长液的外漏问题，同时通过控制溶液温度，籽晶的截面积，微孔滤膜孔径大小、面积大小，吸附剂用量来控制晶体的生长速度，同时也保证了结晶器的密封性要求，通过设定籽晶面积、生长温度、微孔滤膜的蒸发孔径、蒸发面积和吸附剂用量，即可获得结晶质量较好的单晶体。
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公开(公告)号：CN100523315C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710175320.0
申请日：2007-09-28
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种经碳化处理的分体式Ta坩埚及其制造方法，其中本发明的分体式Ta坩埚，包括分别经碳化处理的坩埚盖、坩埚筒和圆凸台的坩埚底，圆凸台的坩埚底具有上凸台和下底座，其中坩埚筒与圆凸台坩埚底的上凸台分体进行配合。本发明分体式坩埚的各部件分别经石墨在高温下进行处理，从而获得坩埚部件表面上均为TaC的坩埚部件，由此坩埚部件配合形成的坩埚成本低廉、寿命长，易于操作，具有重要的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN101469450A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810118266.0
申请日：2008-08-12
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 系列铒镱硼酸盐激光晶体，其分子式为Er1－xYbxBa3B9O18(0＜x＜1)，是固溶体，可以根据需要任意改变掺杂量。该晶体具有很高的激活离子掺杂浓度，并且没有发光浓度猝灭现象，可大大地提高激光的发光效率。将该晶体用于薄片式半导体泵浦固体激光器，高浓度的激活离子和敏化离子的引入有利于降低晶体的厚度，提高功率并使得激光器件进一步小型化，更加紧凑。同时，晶体中Yb3+敏化离子的引入使其能与目前常用的半导体激光泵浦相匹配，50nm的宽吸收带宽也很好地降低了晶体对激光二极管(LD)泵浦控温精度的要求。晶体中的Er3+离子作为发光中心，其特征荧光非常尖锐。该晶体易于切割、研磨、抛光和保存，不溶于水，不潮解，适合制作薄片式半导体泵浦固体激光器。
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公开(公告)号：CN101220521A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710175320.0
申请日：2007-09-28
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种经碳化处理的分体式Ta坩埚及其制造方法，其中本发明的分体式Ta坩埚，包括分别经碳化处理的坩埚盖、坩埚筒和圆凸台的坩埚底，圆凸台的坩埚底具有上凸台和下底座，其中坩埚筒与圆凸台坩埚底的上凸台分体进行配合。本发明分体式坩埚的各部件分别经石墨在高温下进行处理，从而获得坩埚部件表面上均为TaC的坩埚部件，由此坩埚部件配合形成的坩埚成本低廉、寿命长，易于操作，具有重要的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN100400723C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610081294.0
申请日：2006-05-29
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶生长后的热处理方法，该方法将覆碳膜的SiC单晶和粉料置于坩埚中，在加热炉中氩气保护下升至预定热处理温度，并保温一定时间，随炉冷却，即可通过热处理过程中的SiC晶体重结晶和固态扩散来消除部分微管和包裹物缺陷。本发明的实现了SiC单晶中微管和包裹物缺陷数量的降低，从而提高SiC单晶质量。此外，本发明工艺简单、成本低廉、易于实现，对SiC单晶缺陷的减少和质量的提高具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN100383035C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610083453.0
申请日：2006-05-31
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C01B21/06
摘要： 本发明公开了一种采用氧化物制备氮化物的方法，该方法包括以下步骤：将碱金属氮化物或碱土金属氮化物与金属氧化物混合均匀后放入反应容器中，将该反应容器置于充有氮气的密闭环境中，将反应容器的温度升至750-900℃，保温2-6小时后使其自然冷却，取出反应产物，以去离子水浸泡、清洗反应产物，烘干后即得到相应的金属氮化物。由于本发明采用碱金属或碱土金属氮化物与金属氧化物反应来合成氮化物，在低至750℃的温度下反应即可进行，并且反应迅速、成本低廉、设备简单、易于推广。
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