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公开(公告)号：CN100468781C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099092.3
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结。该p-n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p-n结不仅在40-320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p-n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101219897A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710176088.2
申请日：2007-10-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 本发明属于压电陶瓷材料的制备技术领域。目前商用的压电陶瓷仍以锆钛酸铅基陶瓷为主，对环境造成很大损害。本发明步骤：将五氧化二铌和焦硫酸钾按摩尔比为1∶8混合经280－320℃煅烧1－2h得到的产物溶于草酸溶液调pH值至2－3，获得白色沉淀；离心沉淀并溶于草酸溶液，搅拌后得到澄清透明的含铌草酸溶液A；调溶液A至pH值为10－11，经离心得白色沉淀物B；按压电陶瓷铌酸锂钠钾成分配比，将碳酸锂，碳酸钠和碳酸钾溶于乙酸中制得溶液，该溶液与沉淀物B加入到浓度为8－10mol/L的柠檬酸水溶液中，搅拌得到淡黄色透明溶胶C；80－120℃干燥48h得到透明的干凝胶D；300－400℃下处理2h去除有机物得到中间产物E；500～600℃下煅烧2－8h。本发明粉体颗粒尺寸分布范围窄、成分均匀，降低了成本。
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公开(公告)号：CN100347128C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200610012295.X
申请日：2006-06-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/475 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于压电陶瓷制备技术领域。本发明方法主要解决固相法合成温度高、钛酸铋钾粉体较粗、团聚严重的问题。本发明步骤是按摩尔比1∶1∶4称量K2CO3，Bi2O3和TiO2原料，装入以二氧化锆球为磨介，以无水乙醇为分散介质的尼龙罐中，球磨6～12h；按熔盐与原料质量比1∶9～3∶7称量KCl熔盐，装入到上述尼龙罐中，球磨6～12h；将上述混合物置于氧化铝坩埚中；在800～900℃下晶化2～4h；用去离子水洗涤至用硝酸银试剂检测不到滤液中含氯离子，干燥，即得所需产物。由本发明方法可以得到不含有铅、且具有纯钙钛矿相结构、均一粒径的钛酸铋钾超细粉体。
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公开(公告)号：CN1952214A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610114663.1
申请日：2006-11-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 二氧化钛薄膜材料的超亲水驱油表面制备方法属于功能材料领域。现有技术用光照二氧化钛薄膜实现了超亲水性，但许多石油化工仪器设备中并不具备光照条件，且需进一步降低表面与油的接触角。本发明步骤：衬底上沉积一层0.1－10微米二氧化钛薄膜；再放入气相化学表面处理室中，抽真空后充入氢气，气压在1～50000Pa；温度在室温到800℃的范围，还原处理10～120分钟。在气压0.5～2000Pa的范围，充入醇类物质使之以气态存在；在基底附近施加射频电磁场使气体发生辉光放电，产生低温等离子体，射频功率为20～500W，基底温度为室温～800℃，羟基化时间10～120分钟。该薄膜与蒸馏水静接触角为4.1°，与高速泵油的静接触角为28.4°，镀于测量原油流速的传感器探头表面，明显改善了表面附着石蜡的情况。
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公开(公告)号：CN1793036A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510123977.3
申请日：2005-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C01B3/02
Abstract: 本发明属功能陶瓷领域。目前制备铌酸盐薄膜用铌的醇盐作原料，要求控制精确，时间长，成本高。本方法步骤：按Nb2O5∶柠檬酸＝1∶10～20称水合氧化铌和柠檬酸，加入到乙二醇单甲醚中，再加过氧水，70～90℃下回流4～8h形成含铌溶液；醋酸钾溶于乙酸溶液得含钾溶液；将含钾溶液和含铌溶液按K∶Nb＝4.0～4.2∶6混合，浓度0.10～0.15M，70～90℃下混合30～45分钟形成前驱液，陈化24～48h；旋涂成膜，甩胶速度3000～4000转/分，时间为30～45s，干燥，350℃～400℃预处理10～15分钟，经3～4次成膜－干燥－预处理，获得80～100nm的薄膜后，再以10～15℃/分升至600～700℃，退火10～15min。本发明不需用昂贵的铌醇盐，前驱液稳定性好，薄膜具良好(040)择优取向结构、光催化分解水制氢能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1412151A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02153499.3
申请日：2002-12-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/453 , G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器材料钙钛矿型SrBi2Ta2O9陶瓷粉末的制备方法属于铁电存储器材料领域。本发明所采用的方法，其特征在于，它包括以下步骤：按摩尔比(0.95～1)∶(1～1.05)∶1称量醋酸锶、氧化铋和氧化钽固体，加入到5～10M氢氧化钾的水溶液中，搅拌均匀后，装入密闭的反应釜中；在200～240℃及自生压力下晶化12～48h；晶化产物经抽滤后，用去离子水洗涤，干燥，即得所需产物。该方法不使用较贵的原材料，生产工艺简单，由于反应在液相中进行并且不需要高温处理，不但降低了能耗，而且所得产物具有纯相的钙钛矿结构、均一的粒径。由该方法制备出的铁电存储器材料广泛应用于SBT靶材的制备及高温、高频场合使用的压电材料。
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公开(公告)号：CN111128712B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201911334860.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，属于材料表面处理领域。金属辅助化学刻蚀法的基本原理就是在金属颗粒/刻蚀剂/硅中自发的进行原电池反应，其中常用的金属颗粒有Au、Ag、Pt等贵金属材料，本发明主要以Ag为例作说明。以Ag颗粒为阴极发生还原反应，硅片为阳极发生氧化反应。随着反应不断进行，完成硅片抛光。本发明采用Ag颗粒(50nm～1mm)并且在实验中加上搅拌条件，使Ag颗粒和凹凸不平的硅片一起在刻蚀剂中搅拌转动，转动过程中，硅片凸起部分接触到Ag颗粒就会被刻蚀，从而达到抛光的目的。
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公开(公告)号：CN110112013B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910451363.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于碳微纳球结构及超级电容器的制备方法，将多活性位点衬底放入微波等离子体化学气相沉积系统的反应腔体中，设置如下参数：反应腔压：10‑100torr；温度700℃‑900℃；N2流速50‑150cm3/min；H2流速20‑100cm3/min；碳源气体流速1‑20cm3/min；偏压负200‑负50V；微波功率为500‑1500W，调节设备阻抗旋钮至得到不闪烁的橙黄色辉光等离子体气体，反应1‑6h，最终得到碳微纳球材料。碳微纳米球形貌丰富，直径4‑15μm，电容性能良好，电压窗口为‑0.5V‑‑0.5V时，可到达116mF/cm2。采用石墨类衬底作为集流体，增强材料电容性能，提升材料与衬底接触稳定性，原材料廉价易得，方法简单，性能稳定，具有高重复性。
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公开(公告)号：CN111031651A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911329025.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 一种等离子体束流密度分布的测量方法，属于等离子体诊断技术领域。由偏压极板、若干法拉第筒和底板组成。所述偏压极板在每个法拉第筒的轴线位置开设有采集孔，所述偏压极板在边缘端部位置开设有导线连接孔，所述偏压极板经偏压电路接地，使偏压极板带负电，所述偏压极板与法拉第筒的接触面有绝缘涂层；所述法拉第筒内壁有导电薄膜，但不与偏压极板接触，与偏压极板之间留有缝隙，所述法拉第筒下端面有导电薄膜，与下层底板凹槽的导电材料接触引出电路，所述上层底板有固定孔。通过偏压电路10中电流表测得的电流信号I，由电子束通量计算公式Flux计算可得电子束通量，即束流密度。即可测密度分布也可测形状。
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公开(公告)号：CN110112013A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910451363.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于碳微纳球结构及超级电容器的制备方法，将多活性位点衬底放入微波等离子体化学气相沉积系统的反应腔体中，设置如下参数：反应腔压：10-100torr；温度700℃-900℃；N2流速50-150cm3/min；H2流速20-100cm3/min；碳源气体流速1-20cm3/min；偏压负200-负50V；微波功率为500-1500W，调节设备阻抗旋钮至得到不闪烁的橙黄色辉光等离子体气体，反应1-6h，最终得到碳微纳球材料。碳微纳米球形貌丰富，直径4-15μm，电容性能良好，电压窗口为-0.5V--0.5V时，可到达116mF/cm2。采用石墨类衬底作为集流体，增强材料电容性能，提升材料与衬底接触稳定性，原材料廉价易得，方法简单，性能稳定，具有高重复性。
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