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公开(公告)号：CN100395373C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610039236.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2-6只套管，套管壁间距、套管壁与石英管壁间距是1mm-10mm。利用多层BN套管组作为辐射蔽罩、有效地降低热辐射所致的能量损失。BN材料导热率低，可实现100℃/mm以上的温度梯度，具有良好的保温效果。石英管内维持较高真空，BN套管之间、BN套管与石英管之间为真空，有助于减少热量损失。
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公开(公告)号：CN100344006C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在一定500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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公开(公告)号：CN1307687C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330-400℃，只通入金属有机源三甲基铟5-15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
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公开(公告)号：CN1913178A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610086105.9
申请日：2006-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐振腔：即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。
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公开(公告)号：CN1300387C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410065676.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度80nm-2μm，然后将掩膜用腐蚀的方法去除，即可得到图形蓝宝石衬底，用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至蚀刻区被GaN铺满，继续生长可以得到低位错密度氮化镓薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1900745A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610088286.9
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L51/00 , H01S5/125 , H01S5/187
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5－50nm厚的低温LT－GaN、50－2000nm厚的高温HT－GaN和或加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN；最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5－50nm厚的低温LT－GaN/50－2000nm厚的高温HT－GaN/和或包括加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN/最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN结构。
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公开(公告)号：CN1800445A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510095459.5
申请日：2005-11-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。
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公开(公告)号：CN1763268A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH3气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN1632186A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410065676.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度80nm－2μm，然后将掩膜用腐蚀的方法去除，即可得到图形蓝宝石衬底，用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至蚀刻区被GaN铺满，继续生长可以得到低位错密度氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN1186786C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02113081.7
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法：采用溶胶-凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜：先制备ZnO胶体溶液，将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐，铁和锌的原子浓度比为1～15%，溶解在无水乙醇中，均匀搅拌，最终得到ZnO胶体溶液，ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上，将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后，然后在240℃～300℃热处理数分钟后，在500℃～900℃，氮气气氛下热处理0.5-1.5小时。溶胶-凝胶法制备薄膜材料具有技术简单，低耗费，易于获得大面积的薄膜等优点。可以制得多组分均匀混合物。
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