-
公开(公告)号：CN105693261A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610015369.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/58078 , C04B35/645 , C04B2235/3826 , C04B2235/5248 , C04B2235/5445
Abstract: 本发明公开了一种ZrB2-SiC-Cf超高温陶瓷复合材料及其制备方法，属于超高温陶瓷复合材料领域。本发明旨在克服ZrB2基超高温陶瓷的本征脆性。本发明的复合材料按体积分数是由30％～60％粒径为100～200nm的ZrB2粉体、15％～30％粒径为100～500nm的SiC粉体和20％～50％碳纤维制成的。方法：一、将ZrB2粉体、SiC粉体和碳纤维加入到无水乙醇中，进行超声清洗；二、然后球磨，干燥；三、然后研磨过筛，装入石墨模具，在1400～1500℃、压力20～40MPa下热压烧结，然后冷却至室温，得到ZrB2-SiC-Cf超高温陶瓷复合材料。本发明具有烧结温度低、纤维损伤小、复合材料破坏应变高等特点；本发明的烧结温度为1400～1500℃。本发明的超高温陶瓷复合材料可应用于超高温防热结构材料等领域。
-
公开(公告)号：CN105502315A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610060579.X
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
CPC classification number: C01B21/0685 , C01P2002/10 , C01P2002/72 , C01P2004/03
Abstract: 一种原位-非原位同时生长超长氮化硅纳米材料的方法，涉及一种氮化硅纳米材料的制备方法。本发明是为了解决目前超长氮化硅纳米材料的制备方法需要催化剂，导致产物纯度不高，影响纳米线的高温性能及后续应用、反应条件较为苛刻，如加压、通入易燃性气体等，导致操作安全性较低，对设备要求较高的技术问题。本发明：一、制备预制粉体；二、煅烧。本发明操作过程较为简单、设备要求低、安全系数高等。本发明应用于制备超长氮化硅纳米材料。
-
公开(公告)号：CN103808505B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410080141.9
申请日：2014-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01M13/00
Abstract: 一种机翼静载实验装置，属于机翼检测设备领域，解决了目前进行机翼静载实验需对各型机翼订制专门的实验装置，浪费资源的问题，它包含基座、机翼挂架、气缸架和气缸；所述基座由多个相同的基块通过螺栓连接搭建而成，基块是由角钢焊接成长方形框架，并在基块上设置一道以上的加强肋；所述机翼挂架包含挂板和耳片，耳片垂直焊接在挂板上，机翼挂架的挂板通过螺栓与基座固定连接；所述气缸架由支架、底板和夹板构成，支架焊接在底板上表面，夹板设置在底板下方，气缸架通过底板和夹板以螺栓连接夹在基座上与基座连接，并在底板和夹板之间设置有垫块；所述气缸固定连接在气缸架上端；在基座上设置有两个以上的气缸架和气缸。本发明用机翼静载实验。
-
公开(公告)号：CN103172382B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310140267.6
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，它涉及一种抗超高温度氧化损伤的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料在超高温度(＞1700℃)下存在氧化层的稳定性差的问题。制备方法：一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料；二、氧化抑制处理；即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。本发明可用于制备抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。
-
公开(公告)号：CN103940604A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410191096.4
申请日：2014-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电脑程控式飞行器静力加载试验装置及方法，属于飞行器试验领域，本发明为解决现有飞行器静力试验不适用于高精度的小型承力样件的试验的问题。本发明方案：可移动式装夹设备的上端夹持部夹持试件的固定端，可移动式装夹设备的底座上表面设置有xy轴电机平面导轨，在xy轴电机平面导轨的端部、且位于试件的悬空端下方设置有激光位移传感器；应变片黏贴在试件表面；上位机通过单片机发布静力加载指令；加载部对试件进行静力加载；应变片采集试件的应变信息；激光位移传感器采集试件悬空端的位移信息；数字散斑扫描仪采集试件的应力信息；并通过单片机返回上位机。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103895856A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410166382.5
申请日：2014-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B64C1/00
Abstract: 一种复合材料机翼与机身的工字梁连接装置，包括工字梁、工字梁连接件和梁隔框，所述工字梁连接件与工字梁上下缘条之间采用螺栓连接，工字梁连接件与工字梁腹板之间为胶接；所述梁隔框由隔框和连接件组成，连接件的两端分别与工字梁连接件和隔框之间采用螺栓连接。本发明中工字梁连接件采用铝合金，便于加工，提高连接的可靠性；工字梁连接件与腹板之间采用胶接，减轻了连接重量；充分发挥了根部蒙皮的传力效率，但同时对蒙皮成型质量的要求较高。
-
公开(公告)号：CN103172382A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310140267.6
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，它涉及一种抗超高温度氧化损伤的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料在超高温度(＞1700°C）下存在氧化层的稳定性差的问题。制备方法:一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料;二、氧化抑制处理;即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。本发明可用于制备抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。
-
公开(公告)号：CN101747047B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910073080.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/58
Abstract: 一种提高ZrB2-SiC超高温陶瓷材料抗热冲击和强度的方法，它涉及一种提高陶瓷材料抗热冲击和强度的方法。本发明解决了现有二硼化锆基超高温陶瓷材料抗热冲击性能差、强度差的问题。本发明方法：一、称取原料；二、球磨分散；三、烘干；四、烧结；五、氧化；六、加热保温，即提高了ZrB2-SiC超高温陶瓷材料抗热冲击和强度。本发明方法有效的提高了ZrB2-SiC超高温陶瓷材料抗热冲击性和强度，与现有的二硼化锆基超高温陶瓷材料相比较，抗热冲击性能提高50％左右，力学性能提高30％左右。
-
公开(公告)号：CN101602597B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910072132.4
申请日：2009-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有ZrB2超高温陶瓷基复合材料的抗热冲击性能差、临界温差低、强度高、断裂韧性低和临界裂纹尺寸低的问题。硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料由硼化锆粉末、碳化硅粉末和碳黑粉末制成。方法：一、称取原料湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨得混合粉料；三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明中材料的抗热冲击性能好，其临界温差为470～1000℃，强度为132.03～695.54MPa，断裂韧性为2.01～6.57MPa·m1/2，临界裂纹尺寸为65.9～249.9μm。
-
公开(公告)号：CN102179977A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110061545.X
申请日：2011-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B18/00 , C04B35/66 , C04B35/58 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料及制备方法，本发明涉及一种超高温陶瓷材料及制备方法。本发明解决了现有硼化物超高温陶瓷基复合材料韧性差的问题。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料由残余压应力层和残余拉应力层交替叠层制成。方法：一、称取原料；二、制备残余压应力层粉体和残余拉应力层粉体；三、制备层状混合物；四、层状混合物经过烧结、保温即得到硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料的断裂韧性值最高达10.4MPam1/2，本发明制备工艺简单，成本低，本发明在提高断裂韧性的同时并没有对材料的强度造成不利的影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.027 seconds)
