公开(公告)号：CN102968001A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110257761.1

申请日：2011-09-02

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  孙广胜

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明公开了一种碱性清洗液，其不含羟胺和任何氟化物。其特征是含有水、醇胺、水溶性溶剂和3，4-二羟基苯甲酸。该清洗液对非金属和金属的腐蚀速率较低，能够同时去除金属线(metal)、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物。因此该新型的清洗液在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101971103B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880103488.3

申请日：2008-08-08

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  史永涛

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  C23G1/06 ,  C11D1/83

CPC分类号： C23F1/34 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

摘要： 一种光刻胶清洗剂，其含有：氢氧化钾、二甲基亚砜、季戊四醇和醇胺。该光刻胶清洗剂可有效除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN102827708A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110162977.X

申请日：2011-06-16

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  孙广胜

IPC分类号： C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/10 ,  G03F7/42

摘要： 本发明公开了一种含氟的半导体工业中等离子刻蚀残留物清洗液，该清洗液组合物含有：a)有机溶剂5％～75％；b)水10％～50％；c)氟化物0.1％～20％；d)有机胺0.1％～20％；e)氨基酸0.1％～10％；f)胍类0.01％～5％，优选0.05％～2％。本发明的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，对于基材如低介质材料(SiO2、PETEOS)和一些金属物质(如Ti，Al，Cu)等具有较低的蚀刻速率，同时具有抑制铝铜合金流电腐蚀的能力，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102569021A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010619942.X

申请日：2010-12-30

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 王胜利 ,  彭洪修 ,  刘兵 ,  孙广胜

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种减少金属流电腐蚀的方法。此方法包括在使用含氟的清洗剂清洗完刻蚀残余后，在槽式清洗机的去离子水槽中鼓入二氧化碳气体，然后进行清洗剂的漂洗。本发明的方法可有效减少铝金属层刻蚀清洗后流电腐蚀的产生。

公开(公告)号：CN102559354A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010619964.6

申请日：2010-12-30

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 彭洪修 ,  刘兵 ,  孙广胜

IPC分类号： C10M173/02 ,  C10N30/06 ,  C10N30/04 ,  C10N30/12 ,  C10N40/00

摘要： 本发明公开了一种水基玻璃磨削液。这种水基玻璃磨削液包含溴化烷基季铵盐表面活性剂、有机醇、缓蚀剂和水。其具有优异的冷却、润滑、洗涤、防腐蚀等性能，对金刚石磨具有良好的化学修锐作用，可以明显提高磨削加工精度和磨具的使用寿命，并有效防止磨具发生“腻塞”现象；具有良好的玻璃磨削效率，优异的化学稳定性，对健康无害、不污染环境，成本低，使用简便，可广泛应用于各种玻璃的磨削加工和清洗工艺。

公开(公告)号：CN102543674A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010619948.7

申请日：2010-12-30

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 陈东强 ,  彭洪修 ,  王胜利 ,  刘兵 ,  孙广胜

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23G1/24

摘要： 一种金属表面残留物去除方法，所述方法主要应用于半导体制造时内部互连(Inter Cornection)金属层刻蚀后的清洗或者金属层光阻返工中光阻残留物的清洗。所述清洗方法主要包括：清洗液清洗，低温去离子水清洗，表面干燥。通过在清洗液清洗后增加一步低温去离子水清洗可以有效减少清洗液和去离子水的混合物对暴露在表面的金属薄膜层的腐蚀。

公开(公告)号：CN102399648A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010277703.0

申请日：2010-09-10

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  孙广胜

IPC分类号： C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/50 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02

CPC分类号： C11D3/2065 ,  C11D3/43 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/261 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02057

摘要： 本发明公开了一种具有低氮氧化硅刻蚀速率的半导体工业用含氟清洗液，该清洗液组合物含有：a)氟化物 0.1％～20％，b)多元醇0.01％～20％，c)水5％～75％，d)溶剂1％～75％，e)其他添加剂 0～20％。本发明的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，同时对于基材如低介质材料(SiO2、PETEOS)和一些金属物质(如Ti，Al，Cu)等具有较低的蚀刻速率；特别是氮氧化硅刻蚀速率较低，从而进一步扩大含氟清洗液的清洗操作窗口，并进一步提高含氟清洗液的使用寿命，降低半导体厂的运营成本，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102227518A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980148362.2

申请日：2009-11-19

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修

IPC分类号： C23G1/18 ,  C11D7/32 ,  H01L21/306 ,  C08J3/03

CPC分类号： C11D7/3281 ,  C11D7/10 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/30604

摘要： 本发明公开了一种含氟组合物，其含有氟化物、聚乙烯吡咯烷酮类聚合物和载体。本发明克服了现有的含氟组合物存在的多晶硅腐蚀速率大的缺陷，通过加入筛选出的在含氟体系中适用的多晶硅腐蚀抑制剂聚乙烯吡咯烷酮类聚合物，提供了一种有效抑制多晶硅腐蚀速率的含氟组合物，进一步拓宽了含氟组合物在半导体晶片清洗、多晶硅机械抛光和湿蚀刻，太阳能电池等领域的应用范围。本发明还公开了含氟组合物在清洗半导体晶片中的应用。

公开(公告)号：CN101490627B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200780027419.4

申请日：2007-08-17

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  王淑敏

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D7/28

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/3761 ,  C11D7/10 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/5004 ,  H01L21/02057

摘要： 用于去除刻蚀残留物的组合物，包括清洗有效量的溶剂、缓冲水溶液、氟化物、抗冻剂、聚合物抑制剂，可用于清洗半导体制造过程中的刻蚀残留物，且不会侵蚀SiO2、PETEOS、硅、低介质材料和一些金属物质如Ti、Al、Cu。

公开(公告)号：CN101842747A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114829.7

申请日：2008-10-31

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  C23G1/06 ,  C11D1/83

摘要： 一种半导体晶圆金属基材腐蚀防护液，其含有羧基聚合物、含颜料亲和基团的聚合物和水。一种方法包括：用清洗液去除半导体晶片上经蚀刻或者蚀刻/灰化后的残余物之后，直接用本发明的半导体晶圆金属基材腐蚀防护液对半导体晶片进行清洗，之后干燥。半导体晶圆金属基材腐蚀防护液对金属具有较低的腐蚀速率，尤其对于铝。