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公开(公告)号：CN103243885B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310148800.3
申请日：2013-04-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法。该膜系自透明基底向上依次包括镀制在透明基底上的下层氮化硅薄膜、可见光吸收薄膜、金属薄膜以及上层氮化硅保护膜。本发明的膜系在可见光范围对太阳光的平均反射率在5%～30%，而辐射率小于10%。同时本发明的膜系在保持对可见光低反射、红外低辐射率前提下，还具有外观颜色可按需求进行调节的特点，丰富多彩的外观颜色可更好地实现了窗槛墙对建筑的美化效果。由于采用了上、下层氮化硅保护膜夹心结构，本发明的膜系还具备可钢化特性。本发明的颜色可调的低辐射窗槛墙膜系可直接通过工业化磁控溅射制备方法在大面积透明基底上连续镀制，易于实现低成本、大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103165723B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310100439.7
申请日：2013-03-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院
IPC分类号： G01J11/00
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种汇聚增强光响应的超导单光子探测器及其制作方法，包括MgO衬底、超导单光子探测器、透明介质隔离层、金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层。超导单光子探测器、透明介质隔离层、金属反射层、透明介质层和金属光栅层依次按照从下向上的顺序生长在MgO衬底上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的金属多环结构；金属反射层为一个金属环与一个透明介质环组合而成，且两环同心。本发明通过将大面积范围内入射的信号光汇聚到很小面积的超导单光子探测器光敏面上来显著提升其响应，最大可提升30倍。
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公开(公告)号：CN102881761B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110199099.9
申请日：2011-07-15
申请人： 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01J5/20
摘要： 本发明公开了APD红外探测器及其制作方法，APD红外探测器包括APD及与其相结合的光子耦合腔；光子耦合腔包括金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层；金属反射层、透明介质层和金属光栅层按照从下向上的顺序依次生长在APD的p+-InP结上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的多环金属环结构；金属反射层为两个同心金属环结构。本发明在APD红外探测器的p+-InP结上形成MIM结构的耦合汇聚光栅，通过对入射光的汇聚来缩小APD器件的p+-InP结尺寸，缩小器件的电学有效工作尺寸，从而可以在材料和器件制备工艺走到工艺极限时，在不损失量子效率下进一步抑制暗计数。
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公开(公告)号：CN104183692A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410403051.9
申请日：2014-08-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于特异材料增强响应率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底、金属反射层、介质隔离层、超导纳米线、介质隔离条和非对称金属谐振环阵列。金属反射层、介质隔离层、超导纳米线、介质隔离条和非对称金属谐振环阵列依次按照从下向上的顺序生长在衬底上；透明介质隔离条隔开超导纳米线与非对称金属谐振环阵列。本发明通过周期性特异结构汇聚到面积很小的超导纳米线上，大幅降低到达超导纳米线间隔无效区域的光子数量与几率，显著提升超导纳米线单光子探测器的吸收率和响应率。
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公开(公告)号：CN103017383B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210506859.0
申请日：2012-11-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种颜色可调的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该颜色可调节的太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属衬底上的氮氧化钛薄膜、二氧化钛薄膜、氮化硅薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系对太阳能的吸收率大于96%，发射率小于4%，具有光热转换效率高和集热效率高以及颜色可调的特点。本发明的吸收膜系具有在保持良好吸收率和发射率的前提下，调节外观颜色的特点，丰富多彩的外观颜色可更好地实现太阳能集热产品与建筑一体化，满足太阳能热水器、太阳能空调等光热产品的美观、多样和个性化需求。本发明的吸收膜系可直接通过工业化磁控溅射制备方法在大面积衬底上连续镀制，易于实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103117333A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110364932.0
申请日：2011-11-16
申请人： 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 江苏奥蓝工程玻璃有限公司 , 中科德孵镀膜科技(南通)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种提高器件良率的透明电极制作方法，包括以下步骤：①涂胶：在需要镀制透明电极的器件功能层上面涂一层光刻胶；②曝光和显影：在光刻胶上加上所需图形的光刻版进行曝光和显影；③镀膜：在前述带有光刻胶图案的器件上镀制所需的TCO薄膜；④去胶：将镀制好TCO薄膜的器件放入丙酮或其他溶解光刻胶的溶液中，洗掉光刻胶及光刻胶所保护区域上面镀制的TCO薄膜，得到所需图形的TCO薄膜。本发明先进行光刻后再镀膜，避免了腐蚀或刻蚀这一具有损伤性的步骤，从而消除了可能带来的损伤，大大地减少了腐蚀工艺给器件可能造成的破坏，既提高了产品的良品率又减小了工作量。
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公开(公告)号：CN102201487A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110063598.5
申请日：2011-03-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法，该方法是通过器件模拟和理论计算发现将光聚焦在距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果将微透镜直接刻蚀在锑化铟红外焦平面探测器的背面衬底上，进而为优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵的聚光能力提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN102175727A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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公开(公告)号：CN102136519A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010564411.5
申请日：2010-11-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种量子阱长波红外探测器光栅波导微腔的光耦合单元。其结构特点是采用金属背反射层、介质层、金属光栅的夹层结构。这种光耦合结构有如下优点：一、采用金属的阵列结构提高了入射光的耦合效率。二、光场被局域在金属光栅层和金属背反射层之间的微小空间内传播，从而大大提高了量子阱层的电场强度。三、采用类似于微带天线结构使得垂直电场分量在纵向方向上具有很好的均匀性。四、金属结构不仅是光耦合单元，同时还充当上下电极。五、易于制备，适合做大面阵光敏元。
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公开(公告)号：CN101789446B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010107441.3
申请日：2010-02-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/205 , H01L29/51
摘要： 本发明公开了一种双异质结MOS-HEMT器件，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、InGaN嵌入层7、GaN沟道层6、AlN势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为势垒层，降低了器件的自加热效应和栅极漏电流，降低了器件耗尽模式工作下的阈值电压；利用AlN材料强的极化性质，提高了沟道中的电子浓度，增大了饱和电流和器件的输出功率；使用原子层沉积工艺淀积的Al2O3材料作为栅介质层，大大地减少了栅极漏电流，提高了器件的击穿电压；利用InGaN材料的反向极化现象，提高了缓冲层的导带能量，降低了器件的电流坍塌效应。
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