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公开(公告)号：CN110224034B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910411818.5
申请日：2019-05-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种具有谐振选频功能的金属微腔红外探测器。探测器通过探测材料的红外吸收特性与微腔结构的谐振选频特性的有机结合，可以实现红外波段的窄带探测以及光谱成像探测。具体来说，通过将红外探测材料置于微腔结构内部，基于微腔结构的共振模式，入射红外光耦合进入微腔后，只有特定波长的光能够在微腔内部形成稳定的谐振模式，进而被探测材料吸收探测，从而实现免滤光或分光的选频窄带探测。器件的探测波长可以随微腔结构尺寸的调整而调整，因此，这种集成了微腔结构的红外探测器同时具有在像元级尺寸上实现波长选择探测的能力。通过不同像元的组合，可以方便地实现具有光谱探测识别能力的焦平面探测器芯片。
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公开(公告)号：CN101769941A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010101896.4
申请日：2010-01-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01Q60/30
摘要： 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
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公开(公告)号：CN1696658A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510025915.9
申请日：2005-05-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01N21/27
摘要： 本发明公开了一种间接倒装焊的线列红外焦平面探测器与多通道微型窄带滤光片组合的组件及贴近式安装方法。它是利用在焦平面探测器互连基板和多通道微型窄带滤光片上设置的位置对准标记，实现各通道与敏感元的精密对准。利用垫块的厚度控制，滤光片的架空安装，实现滤光片与敏感元列阵芯片表面的贴近安装。滤光片直接粘贴在互连基板上，因此这是一种冷滤光片安装方法。由于没有外加的机械安装架，整个滤光片安装结构紧凑，可靠性高。
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公开(公告)号：CN110224034A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910411818.5
申请日：2019-05-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种具有谐振选频功能的金属微腔红外探测器。探测器通过探测材料的红外吸收特性与微腔结构的谐振选频特性的有机结合，可以实现红外波段的窄带探测以及光谱成像探测。具体来说，通过将红外探测材料置于微腔结构内部，基于微腔结构的共振模式，入射红外光耦合进入微腔后，只有特定波长的光能够在微腔内部形成稳定的谐振模式，进而被探测材料吸收探测，从而实现免滤光或分光的选频窄带探测。器件的探测波长可以随微腔结构尺寸的调整而调整，因此，这种集成了微腔结构的红外探测器同时具有在像元级尺寸上实现波长选择探测的能力。通过不同像元的组合，可以方便地实现具有光谱探测识别能力的焦平面探测器芯片。
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公开(公告)号：CN101769941B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010101896.4
申请日：2010-01-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01Q60/30
摘要： 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
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公开(公告)号：CN102175727B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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公开(公告)号：CN101545884A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910050316.0
申请日：2009-04-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，包括步骤：待测晶片或器件经过扩散区域的剖面试样制备，剖面上扩散区及其附近区域微分电容显微分布的侦测，由微分电容显微分布特征确定PN结的位置和扩散深度。该方法适用于小尺寸的扩散窗口和平面型光电探测器光敏单元检测，空间分辨高并能提供侧向扩散深度的信息。
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公开(公告)号：CN102175727A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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