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公开(公告)号：CN104867878A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510271973.3
申请日：2015-05-26
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L21/02697 , H01L27/1259 , H01L27/283 , H01L2021/775
摘要： 本发明公开了一种LTPS阵列基板及其制作方法，该阵列基板的制作方法包括，对覆盖在薄膜晶体管上面的有机膜层进行蚀刻以形成第一过孔，所述第一过孔使所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；在所述第一过孔内形成保护层以覆盖在源极或漏极所在的金属层上；通过至少一次蚀刻将在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层蚀刻掉，使所述像素电极与所述保护层接触。该方法可以有效地防止在加工过孔时对源极或漏极的过度刻蚀，简单快键，易于利用现有的生产线进行推广。
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公开(公告)号：CN208737862U
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201821419770.X
申请日：2018-08-31
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
IPC分类号： G09G3/20
摘要： 本实用新型公开了一种显示面板，包括像素阵列、数据驱动电路、扫描驱动电路、解复用电路，像素阵列包括至少一像素列；数据驱动电路至少包括一数据线；扫描驱动电路连接像素阵列；解复用电路连接像素阵列和数据线，解复用电路包括解复用开关组合、信号传输线、控制线组合，解复用开关组合与数据线连接；信号传输线的两端分别连接解复用开关组合和像素列；控制线组合连接解复用开关组合，控制线组合包括第一控制线和第二控制线，第一控制线所传输的第一控制信号的电平和第二控制线所传输的第二控制信号的电平相反，与信号传输线交汇的控制线组合的数量大于或等于0。本实用新型能避免显示面板所显示的画面因信号传输线与控制线组合交汇而受到影响。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN202177768U
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201120280284.6
申请日：2011-08-03
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/139
摘要： 本实用新型提供一种PVA像素电极，包括：位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极；以及位于CF侧的与第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极，通过施加在第一电极和第二电极上的电场控制设置在第一电极和第二电极之间的液晶的指向，其中通过在第一电极和第二电极的边缘交界处对第一电极和/或第二电极设置不等长的ITO间隙以提高像素的显示质量。本实用新型还涉及一种液晶显示装置，本实用新型的PVA像素电极及相应的液晶显示装置通过修改TFT侧或CF侧的边缘交界处的ITO间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果。
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公开(公告)号：CN203337970U
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201320361129.6
申请日：2013-06-21
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1368
摘要： 本实用新型涉及一种液晶阵列基板及电子装置。所述液晶阵列基板，包括多个呈阵列分布的像素，其中，每一液像素分为主区、第一子区以及第二子区三部分，其中，主区包括第一TFT晶体管，第一子区包括第二TFT晶体管，第二子区包括第三TFT晶体管；每一像素的第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的栅极均与第一扫描线连接，该第一TFT晶体管的源极与第一数据线连接，漏极与对应的像素电极连接，该第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的源极均与第二数据线连接，漏极分别与对应的像素电极连接。所述电子装置，具有上述液晶阵列基板。本实用新型的液晶阵列基板及电子装置，能够改善大角度下的颜色失真问题。
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公开(公告)号：CN202330961U
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201120464538.X
申请日：2011-11-21
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343
摘要： 本实用新型公开一种像素电极及液晶面板，所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝，狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘；狭缝两侧设置有多个深度相同的等切口；狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口，狭缝的端部区域还设置有多个由像素电极外向内部的方向深度递减的渐变切口，所述渐变切口的深度大于或等于所述等切口的深度。本实用新型通过改变像素电极上边缘切口深度，缓解共用电极的延伸结构上切口间及切口端部的异常电场，同时在边缘切口的一侧形成渐变切口，以使边缘处的电场渐渐变化过渡到像素内部的电场，从而避免此处区域的液晶分子发生异常排列，减少此处的暗纹产生，从而提高像素的穿透率。
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公开(公告)号：CN203275841U
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201320291224.3
申请日：2013-05-24
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343 , G09G3/36 , G02B27/22 , H04N13/04
摘要： 本实用新型公开了一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板中，每个像素单元（70）对应一条第一扫描线（30）、一条第二扫描线（40）以及一条数据线（50），通过第一扫描线（30）控制第一开关元件（703）和第二开关元件（704）导通和断开，数据线（50）分别通过第一开关元件（703）和第二开关元件（704）与第一像素电极（701）和第二像素电极（702）连接，通过第二扫描线（40）控制第三开关元件（705）的导通和断开，第三开关元件（705）的输入端与任一像素电极连接，第三开关元件（705）的输出端与公共电极（60）连接。通过上述方式，本实用新型能够提高2D显示模式下的开口率和减小3D显示模式下的双眼信号串扰的同时，减少数据驱动芯片所需的数量，进而降低成本。
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公开(公告)号：CN202486474U
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201220086922.5
申请日：2012-03-09
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/139
摘要： 本实用新型提供一种PVA像素电极及相应的液晶显示装置，包括：位于TFT侧的第一电极；以及位于CF侧的与第一电极相应的第二电极，通过施加在第一电极和第二电极上的电场控制设置在第一电极和第二电极之间的液晶的指向，第一电极和第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，通过在第一电极和第二电极的边缘交界处对第一电极和/或第二电极设置不等长的ITO间隙，第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。本实用新型的PVA像素电极及相应的液晶显示装置通过修改TFT侧和/或CF侧的边缘交界处的ITO间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果。
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