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公开(公告)号：CN104485274A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410817594.5
申请日：2014-12-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种电子收集器实现方法，其特征在于包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定环形电子收集区域的三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率ur和环向电子迁移率uθ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，并依据电子迁移率与半导体掺杂杂质的关系，得到相应区域掺杂杂质的剂量分布；5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ0，计算得到C区域的掺杂杂质的剂量分布；6)根据环形电子收集区域的尺寸和A扇形区域、B扇形区域以及C区域的掺杂杂质的剂量分布，制作掩模板；7)利用离子注入方式在制作的掩模板上注入相应剂量的掺杂杂质，即制作得到一电子收集器。
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公开(公告)号：CN103013440B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210548590.2
申请日：2012-12-17
Applicant: 清华大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明特别涉及一种高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料及其制备方法，属于新型光电技术领域。本发明由金属片和多个高介电陶瓷颗粒组成，其中多个高介电陶瓷颗粒通过镶嵌或粘连固定在正方形金属片上，排列成高介电陶瓷颗粒阵列，其中任意两个相邻高介电陶瓷颗粒的间距相等。本发明通过高温固相反应法或化学合成的方法制备出高介电陶瓷并将其加工成颗粒状；然后将高介电陶瓷颗粒通过镶嵌或粘连固定到正方形金属片上，排列成高介电陶瓷颗粒阵列，形成高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料。本发明可以在一定电磁波频率处可达到接近100%的完美吸波，通过调节高介电颗粒的大小和介电常数等参数可以调控完美吸收峰的位置。
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公开(公告)号：CN103645135A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310530145.8
申请日：2013-10-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种调控椭偏仪温度场的装置及方法，待测试样品固定于变温台的样品室内，变温台通过绝热转接板固定于可调节样品台上，变温台与可调节样品台完全置于柔性密封装置内；变温台采用传导式导热设计，样品室窗口无介质材料，避免了椭偏光额外的振幅和相位变化。样品室旋盖采用螺纹结构，既可以使不同尺寸的样品以固定样品室，保证良好导热效，又可以与变温台保持相对固定，变温台通过绝热转接板固定于可调节样品台之上，保证了样品在三维空间内的定位精度。温过程中，可通过可调节样品台二次微调样品空间位置，使光路准直、信号强度达到最大，本发明实现了不同尺寸样品、不同气氛中，-190至500℃连续变温环境下，装置结构精巧，操作方便。
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公开(公告)号：CN103490122A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310430772.4
申请日：2013-09-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于光通讯、光电子技术领域，特别涉及一种基于热敏铁氧体的温控负折射开关及其制备方法。本发明是由热敏铁氧体棒和金属线组成的结构单元周期排列而成，结构周期远小于电磁波的波长，热敏铁氧体棒与金属线之间间隔一定距离；本发明采用标准的印刷电路板掩膜蚀刻技术制备所需的金属线板，将热敏铁氧体棒黏附在板的无金属线的一面，并与金属线一一对应，得到温控负折射开关；基于热敏铁氧体在其居里温度产生铁磁/顺磁转变，本发明实现了电磁波通过左手材料的负折射行为在居里温度以下为“开”和在居里温度以上为“关”的温度调控，有望推进左手材料温控传感器等器件的开发及应用。
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公开(公告)号：CN103194788A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310134231.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 清华大学
Inventor： 周济
Abstract: 本发明属于电磁介质材料技术领域，特别涉及一种太赫兹频段各向异性介质晶体的制备、表征及应用方法。本发明以饱和溶液降温法制备低对称性的各向异性晶体，并采用太赫兹时域光谱系统和可转动样品台测试其各向异性介电响应和光学参数。本发明利用太赫兹光谱和可转动样品台表征各向异性介质，主要是低对称晶体的各向异性光学性质，为相关太赫兹器件，如太赫兹吸波器、偏振器和分束器的开发奠定基础。本发明制备和表征方法简单，便于推广，所得到的晶体在THz吸波器、THz偏振器和THz分束器等新型THz器件上具有较大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103013440A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210548590.2
申请日：2012-12-17
Applicant: 清华大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明特别涉及一种高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料及其制备方法，属于新型光电技术领域。本发明由金属片和多个高介电陶瓷颗粒组成，其中多个高介电陶瓷颗粒通过镶嵌或粘连固定在正方形金属片上，排列成高介电陶瓷颗粒阵列，其中任意两个相邻高介电陶瓷颗粒的间距相等。本发明通过高温固相反应法或化学合成的方法制备出高介电陶瓷并将其加工成颗粒状；然后将高介电陶瓷颗粒通过镶嵌或粘连固定到正方形金属片上，排列成高介电陶瓷颗粒阵列，形成高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料。本发明可以在一定电磁波频率处可达到接近100%的完美吸波，通过调节高介电颗粒的大小和介电常数等参数可以调控完美吸收峰的位置。
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公开(公告)号：CN102931349A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210449341.8
申请日：2012-11-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于半导体、电子元器件技术领域，特别涉及一种片式忆阻器及其制备方法。本发明包括两平行板导电电极，两平行板导电电极通过位于二者之间的有效忆阻功能介质材料相连，形成三明治结构。通过将有效忆阻功能介质材料与电极制备成三明治结构，再包覆绝缘保护层并在结构空隙中填充绝缘材料得到完整片式忆阻器。本发明的制造方法简单，成本低，可获得一种能够用于集成电路电子领域的新型无源电子元件，能提高数字电路的集成性，推动电子电路产品的轻型化、薄小化和智能化。
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公开(公告)号：CN101242021A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810056856.5
申请日：2008-01-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于磁性材料的磁场负磁导率材料电磁响应行为调控方法属人工周期性材料领域。本发明步骤：通过理论计算或者计算机软件模拟，设计所需频段的开口谐振环；制备开口谐振环，并按照一定晶格排列成为负磁导率材料；将磁导率在负磁导率材料发生电磁谐振的频段、磁场可调的磁性材料加工成片状或棒状；将磁性材料引入到开口谐振环阵列的间隙当中或作为开口谐振环基板，制备得到引入磁性材料的开口谐振环负磁导率材料；通过磁铁或电磁铁向上述引入了磁性材料的负磁导率材料施加垂直于开口谐振环所在平面法线与电磁波传播方向构成平面的不同强度磁场，得到磁场可调负磁导率材料。本发明能大范围内调控负磁导率材料的电磁响应行为，并使负磁导率频段拓宽。
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公开(公告)号：CN101215157A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810056019.2
申请日：2008-01-11
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/553 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/14 , C03C3/062 , C03C3/112 , C03C10/16 , C03C12/00 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , H01B3/12 , H01G4/1209
Abstract: 本发明涉及一种掺氟硅铝玻璃基低温共烧陶瓷材料及其制备方法。本发明是将20～80wt％的SiO2、10～50wt％的AlF3和0～30wt％的调节剂按比例混合后，加入乙醇，研磨后烘干，在1300～1400℃下熔制成液态玻璃，淬火、粉碎后过筛得到玻璃粉，加入乙醇或水，球磨24～48小时，干燥后得到该低温共烧陶瓷材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点：(1)烧结温度低(750－850℃)，烧结收缩率可控；(2)介电常数在5～8(1MHz)之间可调，介电损耗在0.002以下；(3)机械强度高，制备工艺简单；(4)可以应用于陶瓷基板，谐振器等电子器件以及其他微电子封装材料领域。
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公开(公告)号：CN100390584C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610089404.8
申请日：2006-06-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开一种基于液晶的负折射器件的温度调控光频负折射器件。该器件由起偏器、液晶及光学玻璃组成。首先通过线性偏振紫外光照射的光控取向方法对光学玻璃表面进行液晶预倾角处理，将上述处理过的光学玻璃的取向表面相对，形成具有5μm～200μm间距的双平板结构，在双平板结构内加入液晶，同时实现一定预倾角。在光学玻璃的上表面固定一个起偏器，使其偏振方向平行于界面并与液晶分子的预倾角在同一平面内。其主要特点是能使入射到该器件上的光发生折射且折射光线和入射光线位于法线的同侧，即发生负折射现象，利用液晶分子双折射率随温度的可调节特性来实现负折射的可调控性。该器件在平板成像领域具有广泛的应用前景。
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